2009 yr work

من نحن

قبل عام 1990، ونحن تدرج المملوكة المكثف مركز أبحاث فيزياء المادة. وفي عام 1990، أطلق مركز شيامن Powerway المواد المتقدمة المحدودة (PAM-شيامن)، والآن هو الشركة الرائدة في مجال المواد المركبة أشباه الموصلات في الصين. PAM-شيامن تطور نمو متقدمة الكريستال والتكنولوجيات تنضيد، ومجموعة من الرقاقة الجرمانيوم الجيل الأول والثاني الجيل الغاليوم زرنيخيد مع نمو الركيزة وتنضيد على ...

لماذا أخترتنا

null

خدمة مبيعات جيدة

هدفنا هو تلبية جميع الاحتياجات الخاصة بك، مهما كانت صغيرة أوامر وكيف أسئلة صعبة قد تكون، للحفاظ على النمو المستدام ومربحة لكافة العملاء من خلال منتجاتنا المؤهلين وخدمة مرضية.
null

25+ سنوات الخبرات

مع أكثر من 25 + سنة والخبرات في مجال مواد مركب أشباه الموصلات والتصدير، يمكن أن فريقنا أؤكد لكم أننا يمكن أن نفهم الاحتياجات الخاصة بك والتعامل مع المشروع الخاص بك مهنيا.
null

نوعية موثوق بها

الجودة هي الأولوية الأولى بالنسبة لنا. وقد PAM-شيامن ISO9001: 2008، وتملك وأسهم أربع facories الحديثة التي يمكن أن توفر للغاية مجموعة كبيرة من المنتجات المؤهلة لتلبية الاحتياجات المختلفة لعملائنا، وكل أمر لابد من التعامل معها من خلال نظام الجودة الصارمة لدينا. يتم تقديم تقرير اختبار لكل شحنة، وكل رقاقة والضمان.
null

دعم مجاني والمهنية تقنية

يمكنك الحصول على لدينا خدمات تكنولوجيا خالية من التحقيق بعد الخدمة على أساس لدينا 25+ الخبرات في خط أشباه الموصلات.
بعد أكثر من 20 عاما من تراكم والتنمية، والشركة لديها ميزة واضحة في الابتكار والتكنولوجيا والمواهب.
في المستقبل، ونحن بحاجة إلى تسريع وتيرة العمل الفعلي لتزويد العملاء مع أفضل المنتجات والخدمات

الطبيب تشان - الرئيس التنفيذي لشركة شيامن Powerway المواد المتقدمة المحدودة

في العالم الأكثر شهرة الجامعات والشركات الثقة بنا

Partners

آخر الأخبار

650V GaN FETs رقاقة للشحن السريع

650V GaN FETs Chip for Fast Charge The PAM65D150DNBI-TS eries 650V,150mΩ gallium nitride(GaN) FETs are normally-on devices.PAM-XIAMEN GaN FETs offer [...]

ما هي المعلمات الرئيسية لرقاقة SiC فوق المحور؟

What is the Key Parameters of SiC Epitaxial Wafer? The most basic and key parameters of SiC epitaxial materials are [...]

لماذا نحتاج كربيد السليكون رقاقة فوق المحور؟

Why do We Need Silicon Carbide Epitaxial Wafer? Silicon carbide epitaxial wafer is a kind of silicon carbide wafer [...]

خصائص Phonon لرقاقة SiC

Phonon Properties of SiC Wafer Nanyang Technological University use our SiC wafer to research Phonon Properties. They research focused on [...]

نمت درجة حرارة منخفضة InGaAs

Low Temperature Grown InGaAs  PAM-XIAMEN offer low temperature grown InGaAs on GaAs Substrate(LT-InGaAs) for InGaAs Photo Conductive antenna substrate for [...]

980 شريحة ليزر أحادية الوضع

980 Single Mode Laser Chip (PAM200827-LD) PAM XIAMEN offers 980 Single Mode Laser Chip   Powerwaywafer 980 Single mode laser chip property Minimum Typical Maximum Central Wavelength [...]

(20-2-1) ركيزة GaN قائمة بذاتها للطائرة Si-GaN

(20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-SI Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type Semi-Insulating Resistivity (300K) >106 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

(20-2-1) ركيزة GaN قائمة بذاتها للطائرة N-GaN

(20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-N Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

أسئلة وأجوبة