كربيد إبيتاز

ونحن نقدم رقيقة مخصصة (كربيد السيليكون) كربيد تنضيد على 6H أو 4H ركائز لتطوير الأجهزة كربيد السيليكون. يستخدم كربيد برنامج التحصين الموسع رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، أكسيد المعادن أشباه الموصلات والترانزستورات مجال التأثير، تأثير الحقل تقاطع
الفئة: علامة:
  • وصف

وصف المنتج

SiC(Silicon Carbide) Epitaxy

We provide custom thin film (silicon carbide) SiC epitaxy on 6H or 4H substrates for the development of silicon carbide devices. SiC epi wafer is mainly used for Schottky diodes, metal-oxide semiconductor field-effect transistors, junction field effect transistors, bipolar junction transistors, thyristors, GTO, and insulated gate bipolar

1.Specification of SiC epitaxy:

البنود مواصفات القيمة النموذجية
بولي نوع 4H
إيقاف التوجه نحو 4 درجة قبالة
<11 2_ 0>
الموصلية نوع ن
المقوي نتروجين
الناقل تركيز 5E15-2E18 cm-3
تفاوت ± 25٪ ± 15٪
انتظام 2 "(50.8mm) <10٪
3 "(76.2mm) <20٪ 10٪
4 "(100MM) <20٪ 15٪
المدى سمك 5-15 ميكرون
تفاوت ± 10٪ ± 5٪
انتظام 2 "<5٪
3 "<7٪
4 "<10٪
العيوب نقطة كبيرة 2 "<30 2 "<15
3 "<60 3 "<30
4 "<90 4 "<45
عيوب برنامج التحصين الموسع ≤20 cm-2 ≤10 cm-2
خطوة Bunching ≤2.0nm (RQ) ≤1.0nm (RQ)
(خشونة)

 

2 mm edge exclusion for 50.8 and 76.2 mm, 3 mm edge exclusion for 100.0 mmNotes:

• Average of all measurement points for thickness and carrier concentration (see pg. 5)
• N-type epi layers <20 microns are preceeded by n-type, 1E18, 0.5 micron buffer layer
• Not all doping densities are available in all thicknesses
• Uniformity:standard deviation(σ)/average
• Any special requirement on the epi-parameter is on request

2.Test Methods

NO.1. تركيز الناقل: يتم تحديد صافي المنشطات باعتبارها متوسط ​​قيمة عبر عفر باستخدام الزئبق التحقيق CV.
NO.2. يتم تحديد سمك كقيمة متوسط ​​عبر الرقاقة باستخدام FTIR: سمك.
عيوب نقطة No.3.Large: التفتيش المجهري أجريت في 100X، على أوليمبوس البصرية مجهر، أو قابلة للمقارنة.
No.4. Epi Defects Inspection or defect map performed under KLA-Tencor Candela CS20 Optical Surface Analyzer or SICA.
رقم 5. خطوة bunching: bunching خطوة والخشونة وscaned التي كتبها AFM (القوة الذرية المجهر) على مساحة x10μm 10μm

2-1:Large Point Defects Descriptions

العيوب التي تظهر في شكل واضح للعين بدون مساعدة وهي> 50microns عبر. وتشمل هذه الميزات المسامير، جسيمات الملتصقة، ورقائق andcraters. عيوب نقطة كبيرة أقل من 3 مم حساب بعضها البعض مثل عيب واحد.

2-2:Epitaxy Defect Descriptions

D1. 3C الادراج
Regions where step-ow was interrupted during epi layer growth. Typicalregions are generally triangular although more rounded shapes are sometimesseen. Count once per occurrence. Two inclusions within 200 microns count asone

D2. المذنب الذيول
Comet tails have a discrete head and trailing tail. These features are alignedparallel to the major at. Usually, all comet tails tend to be of the same length. Count once per occurrence. Two comet tails within 200 microns count as one.

D3. جزر
Similar to comet tails in appearance except they are more angular and lack adiscrete head. If present, these features are aligned parallel to the major at. Usually, any carrots present tend to be of the same length. Count once peroccurrence. Two carrots within 200 microns count as one.

D4. حبيبات
Particles have the appearance of eyes and if present are usually concentratedat the wafer edges and not within the specied area. If present, count once peroccurrence. Two particles within 200 microns count as one..

D5. قطرات السيليكون
Silicon droplets can appear as either small mounds or depressions in the wafersurface. Normally absent, but if present are largely concentrated at perimeterof wafer. If present, estimate the % of specied area affected.

D6. سقوط
Adherent particles droped during Epi growth.

3. Application of SiC epitaxial wafer

تصحيح معامل القدرة (PFC)
العاكس PV وUPS (إمدادات الطاقة غير المنقطعة) العاكسون
محركات السيارات
الإخراج تصحيح
هجين أو السيارات الكهربائية
كربيد شوتكي الصمام الثنائي مع 600V، 650V، 1200V، 1700V، 3300V هو متاح.

Please see below detail application by field:

Field Radio Frequency(RF) Power Device LED 
مادة SiLDMOS Si GaN/Al2O3
الغاليوم GaN/Si GaN/Si
GaN/SiC SiC/SiC GaN/SiC
GaN/Si Ga203 /
Device SiC based GaN HEMT SiC based MOSFET  
SiC based BJT
SiC based IGBT
SiC based SBD
/
تطبيق Radar, 5G Electric vehicles Solid State Lighting

 

4. Mechanical wafers with Epi layes: are available, such as for process monitoring, which require wafers with low bow and warpage.

150MM 4H نوع ن رقائق كربيد EPI

Instrinsic كربيد Epilayer على كربيد السيليكون الركيزة

ربما يعجبك أيضا…