قالب نيتريد الألومنيوم مقاس 2 بوصة على الياقوت
بام شيامنتقدم شركة AlN مقاس 2 بوصة على رقاقة من الياقوت المزروعة بواسطة MOCVD، وهي التقنية الرئيسية لتنمية نيتريد الألومنيوم أحادي البلورة على ركيزة ياقوت كبيرة الحجم ومنخفضة التكلفة وناضجة. أحد الاستخدامات المهمة لقالب AlN-on-sapphire عالي الجودة هو الأجهزة الإلكترونية الضوئية العميقة فوق البنفسجية (DUV).
1. مواصفات قالب AlN على الياقوت
المواصفات1:
قالب نيتريد الألومنيوم مقاس 2 بوصة على الياقوت (0001) من النوع شبه العازل
نوع الموصلية: شبه عازلة AlN
الركيزة: الياقوت
البعد: Φ50.8 مم ± 0.1 مم
السُمك: 200 نانومتر ~ 5 أم (4000 ~ 5000 نانومتر)
منطقة استبعاد الحافة: <2 مم
المنطقة القابلة للاستخدام: >90%
الاتجاه: المستوى C (0001) ± 1°
إجمالي تباين السماكة: <15 ميكرومتر
البلورة: XRD FWHM بقيمة (0002) <350 ثانية قوسية
XRD FWHM من (10-12) < 450 ثانية قوسية
خشونة السطح Ra <5 نانومتر (10 ميكرومتر × 10 ميكرومتر)
هيكل الركيزة: الياقوت (0001)
التلميع: مصقول من جانب واحد (SSP). مصقول على الوجهين (DSP) متاح عند الطلب.
حول المنطقة الصالحة للاستخدام:تشير طريقة الحساب إلى المنطقة التي يمكن استخدامها بعد إزالة العيوب (مثل الحفر) التي يزيد حجمها الكلي عن 0.2 مم.
المواصفات 2:
| اسم القالب | AlN على رقاقة الياقوت |
| المادة المتفاعلة | 2 "و 4" الياقوت |
| سمك الركيزة | 430 ~ 450um |
| سمك آلن | 50~400 نانومتر+/-10 نانومتر |
| حجم القالب | 2 بوصة، 4 بوصة |
| خشونة السطح | را <1 نانومتر |
| فوهم (002) | 0.17 درجة |
ملامح AlN/الياقوت:
التوحيد العالي والجودة الكريستالية
2. اختبار توصيف نتريد الألومنيوم على رقاقة الياقوت
أطياف XRD لأفلام نيتريد الألومنيوم مقاس 2 بوصة على الياقوت
لا يوجد سوى اتجاه المحور C مع ذروة حادة لأفلام نيتريد الألومنيوم على الياقوت.
أطياف رامان لأفلام AlN البلورية مقاس 2 بوصة على الياقوت.
صورة مجهرية SEM (× 50.00KX) لطبقات AlN مقاس 2 بوصة المزروعة على الياقوت.
صورة مجهرية AFM لأفلام AlN على الياقوت بعد تلميع خشن.
Image Ra = 0.727 نانومتر بمساحة مسح 5 × 5 ميكرومتر.
3. صعوبات النمو والحلول للأغشية الرقيقة الفوقي AlN المودعة بواسطة MOCVD
بشكل عام، ينمو AlN بشكل فوقي على ركيزة من الياقوت على شكل حرف C. ومع ذلك، فمن الصعب جدًا إعداد AlN الفوقي عالي الجودة على الياقوت C-plane. بالإضافة إلى عدم تطابق شبكة AlN / الياقوت الكبيرة وعدم التطابق الحراري، هناك سببان:
- رابطة Al-N قوية جدًا. إن انتشار ذرات Al على سطح النمو محدود، ومعدل النمو الجانبي منخفض جدًا، ومن الصعب تكوين نمو ثنائي الأبعاد؛
- هناك رد فعل مسبق قوي بين Al source TMA وNH في نمو MOCVD. لن يستهلك التفاعل المسبق كمية كبيرة من المواد المتفاعلة فحسب، بل قد تترسب المواد الصلبة المتكونة على سطح الرقاقة ولا يمكن أن تتحلل بالكامل، مما يؤدي إلى تطعيم الشوائب في طبقة AlN، وحتى التسبب في نمو متعدد البلورات للطبقة الفوقي، مما يؤثر بشكل خطير على تحسين أداء الجهاز
تم اقتراح حلول للحصول على غشاء رقيق فوقي عالي الجودة مرسب بواسطة MOCVD:
من ناحية، بسبب خصائص نمو AlN نفسه، عندما يكون سمك AlN على الياقوت رقيقًا جدًا (على سبيل المثال 1um)، سيتم تشكيل عدد كبير من المناطق غير المجمعة على السطح. يقترح زيادة سمك نيتريد الألومنيوم بشكل صحيح إذا كانت هناك حاجة إلى خطوة ذرية سطحية أفضل.
من ناحية أخرى، أثناء نمو AlN، يمكن إدخال طريقة تعديل درجة الحرارة في الموقع لتشكيل طبقة واجهة في مادة AlN، والتي لعبت دورًا في القضاء على الاضطرابات وإطلاق الإجهاد. هذه الطريقة توفر الوقت وتوفر العمالة، وهي بسيطة وسهلة التنفيذ، ولن تسبب تلوث غرفة التفاعل. إنها طريقة فعالة لتحسين جودة طبقة AlN المترسبة على الياقوت.
4. تطبيقات AlN على قالب الياقوت
نيتريد الألومنيوم (AIN)، كفجوة نطاق واسعة للغايةمادة أشباه الموصلات، هي مادة مهمة ينبعث منها الضوء فوق البنفسجي مع مزايا قوة مجال الانهيار العالية جدًا، وسرعة انجراف الإلكترون عالية التشبع، والموصلية الحرارية العالية، وسرعة الصوت السطحية العالية، والمعامل البصري غير الخطي العالي، وما إلى ذلك. لذا، فإن فيلم نيتريد الألومنيوم الفوقي المزروع على ركيزة من الياقوتله تطبيقات مهمة في أجهزة الكشف عن الأشعة فوق البنفسجية، والثنائيات الباعثة للضوء فوق البنفسجي، وأشعة الليزر فوق البنفسجية، خاصة في أجهزة الكشف عن ضوء النهار العمياء، ومصابيح LED فوق البنفسجية المعبأة بشكل مقلوب. الى جانب ذلك، يمكن أن يكون للتطبيقات الكهرضغطية مع الموجات الصوتية السائبة.
لمزيد من المعلومات، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني[email protected]و[email protected]