3C-SIC الويفير المثلي
Compared with 4H-SiC and 6H-SiC, cubic SiC (3C-SiC, β-SiC) has the highest theoretical electron mobility at room temperature (1000 cm·V-1ق-1) ، مما يمنحها ميزة في تطبيقات جهاز MOS. في نفس الوقت ،3C-SiCكما أن لديها خصائص ممتازة مثل الجهد العالي للانهيار ، والتوصيل الحراري الجيد ، والصلابة العالية ، وخلاف النطاق العريض ، ومقاومة درجة الحرارة العالية ، ومقاومة الإشعاع. لذلك ، أظهرت إمكانات كبيرة في التطبيقات في الإلكترونيات والإلكترونيات البصرية وأجهزة الاستشعار والظروف القاسية ، وتعزيز تطوير وابتكار التقنيات ذات الصلة. يمكن أن يقدم Pam-Xiamen رقاقة 3C-SIC بين الجنسين ، مع معلمات الفوقية التالية:
1.
| بند | 3C-SIC Homoepitaxy | ||
| المادة المتفاعلة | |||
| حجم | 2 inch | 4 بوصة | |
| التوصيل | نوع N. | ||
| توجيه | on axis:<111>±0.5° | ||
| المقاومة النوعية | ≤1MΩ.CM | ||
| التوجه المسطح الأساسي | {1-10}±5.0° | ||
| الطول المسطح الأساسي | 32.5mm ± 2mm | 47.5mm ± 2mm | |
| السطح انتهى | DSP | ||
| طبقة Epi | |||
| التوصيل | N ، p type | ||
| خشونة السطح | ≤2nm | ||
| سماكة | نطاق | 5 ~ 100um | |
| تفاوت | ± 10٪ | ||
| انتظام | ≤4٪ | ||
| تركيز الناقل | نطاق | 1E15 ~ 5E16 سم-3 | |
| تفاوت | ± 15 ٪ | ||
| انتظام | ≤10٪ | ||
طلب:
3C-SIC Homoepitaxy مناسبة لمختلف الثنائيات ، المستوية والخندق MOSFETs ، دوائر متكاملة في درجة الحرارة العالية المستندة إلى SIC ، إلخ.
2. مزايا رقاقة 3C-SIC
بالمقارنة مع 4H-SIC ، تكون كثافة حالة الواجهة لـ 3C-SIC أقل وتنقل القناة أعلى. أظهرت النتائج التجريبية أن كثافة حالة واجهة البوابة من 3C-SIC هي على الأقل ترتيب واحد على الأقل من حجم 4H-SIC. لذلك ، فإن MOSFETs المستندة إلى 3C-SIC مع مواصفات الجهد أقل من 1200 فولت لها مزايا ممتازة في الأداء ، وخاصة مقاومة القنوات المنخفضة واستقرار الأكسجين عالية البوابة ، مما يمكّنها من التوازن في موثوقية المقاومة وموثوقية الجهاز.
3. تكديس عيوب الصدع في نمو 3C كذا المثليين
قام الباحثون بإزالة الركيزة السيليكون من خلال الحفر في حلول HNO3 و HF قبل أداء النمو المثلي ، ثم أودعت فيلم 3C-SIC الرقيق باستخدام طريقة CVD. تم تحقيق التوصيف التفصيلي لعيوب الصدع على مواد 3C-SIC من خلال تحليل HR-XRD و STEM ، مما يدل على سلوك نوع العيب في المواد الفوقية المتجانسة. بالإضافة إلى ذلك ، وجدت الأبحاث أن النمو المثلي للأفلام السميكة 3C-SIC يمكن أن يقلل من كثافة صدع التراص ، خاصة أن استخدام معدل النمو البطيء مفيد لإغلاق الصدع. لذلك ، يمكن أن يقلل النمو المثلي للشروط في رقاقة 3C-SIC.
4. MOSFET ملفقة على رقاقة 3C SIC متجانسة
أظهرت الدراسات السابقة أن MOSFETs ملفقة على أفلام رقيقة 3C-SIC المزروعة بشكل ملحوظ على ركائز 3C-SIC باستخدام طريقة الأمراض القلبية الوعائية يمكن أن تنتج أجهزة ذات قابلية عالية القنوات وجهد انهيار أكسيد عالي. هذه الأجهزة تظهر بوابة ممتازة تسيطر عليها الحالات التشبع. مع مزيد من التحسينات في نمو الركيزة وتحسين العملية ، من المتوقع أن يتم إعداد أجهزة التنقل أكثر كفاءة في القناة باستخدام 3C SIC.
Fig.1 أداء أداء MOSFETs N-channel التي تم إعدادها على أساس 3C-SIC و 6H-SIC و 4H-SIC
سواء كنت بحاجة إلى رقاقة للبحث أو للتطبيقات الصناعية ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على[email protected] و [email protected].