4H-SIC LGAD EPIWAFER *S
في السنوات الأخيرة ، تم استخدام أجهزة الكشف عن التوقيت السريع القائمة على السيليكون على نطاق واسع في مجالات مثل الفيزياء عالية الطاقة والفيزياء النووية واستكشاف الفضاء. ومع ذلك ، غالبًا ما تتطلب أجهزة كاشفات SI أنظمة معقدة لدرجة الحرارة المنخفضة للعمل في بيئات التشعيع ، وينخفض أداء الكشف عن جرعة التشعيع. بالمقارنة مع السيليكون ، يحتوي كربيد السيليكون (SIC) على فجوة نطاق أوسع ، وطاقة إزاحة ذرية أعلى ، وسرعة انجراف الإلكترون المشبعة ، والتوصيل الحراري. وفي الوقت نفسه ، فإن كاشفات الانهيار المنخفضة (LGADs) ، بسبب مكاسبها المعتدلة ، تجنب الحديث المتبادل والضوضاء العالية الناتجة عن الضرب العالي ، ويمكنها الحفاظ على إشارات الكاشف العالية دون زيادة الضوضاء. لذلك ، فإن كاشفات جسيمات 4H-SIC ، وخاصة LGADs ، مناسبة للغاية لاكتشاف الحد الأدنى من الجسيمات المؤينة (MIPs) تحت الإشعاع الشديد ودرجات حرارة عالية. يمكن لـ Pam-Xiamen أن ينمو رقائق محورية 4H-SIC المخصصة ، والهيكل المحدد هو كما يلي للرجوع إليه فقط:
1. التركيب الفوقي لـ 4H-SIC LGAD
| طبقة Epi | سماكة | تركيز المنشطات |
| طبقة الاتصال P ++ | - | - |
| ن+ كسب طبقة | 0.5 ميكرون | - |
| طبقة ن- الانجراف | - | 2 × 1014سم-3 |
| N+ طبقة المخزن المؤقت | - | - |
| N ++ Type 4H-SIC الركيزة |
2. البحث عن 4H-SiC لامآه زعينأفالنشدإيهولت
فيما يتعلق بتصميم الأجهزة وتوصيف الأداء ، وجد الباحثون مزايا مهمة في استخدام هذا الهيكل لإعداد الأجهزة مقارنةً بالثنائيات التقليدية للثنائيات 4H-SIC. لقد حقق جهدًا كبيرًا للانهيار وانخفاض تيار التسرب في الاختبار المميز IV ، وتؤكد خصائص السيرة الذاتية تحسين توزيع المجال الكهربائي للجهاز. بالإضافة إلى ذلك ، كشفت تجربة تشعيع جسيمات ألفا عن ظاهرة فريدة من انخفاض تكاليف المكسب (2-3 مرات) عن حاملة الناقل ، ويتم التكهن بأن تركيز المنشطات غير الكافي في طبقة الكسب أو تأثيرات شحنة الفضاء قد يكون عوامل محددة.
فيما يتعلق بآلية تحسين العملية وجمع الشحنات ، استخدم الباحثون برنامج Raser لنمذجة وتحليل العلاقة بين سماكة القطب المعدني ودرجة حرارة الصلب على تيار تسرب الجهاز ، وقمعنا بنجاح تيار التسرب بمقدار أربعة أوامر من الحجم من خلال التحكم في معلمة العملية. توضح البيانات التجريبية أن الجهاز الأمثل يحقق كفاءة جمع الشحن بنسبة 90 ٪ تحت جهد تحيز قدره 100 فولت ، ويتضاعف عامل الكسب عند 150 فولت ، مما يؤكد الدور الحاسم لعمليات التصنيع في تحسين الأداء.
باختصار ، توفر LGAD 4H-SIC حلاً جديدًا للكشف عن الجسيمات عالي الطاقة بسبب مقاومة الجهد العالية ، وضوضاء منخفضة ، وخصائص كسب يمكن التحكم فيها. على الرغم من أنه محدود من مستويات الكسب ، إلا أن هندسة المنشطات والتحسين الهيكلي لها القدرة على اختراق اختناقات الأداء ولديها تطبيقات مهمة في تجارب فيزياء الجسيمات المستقبلية وحقول الكشف عن الإشعاع.
سواء كنت بحاجة إلى رقائق 4H-SIC للبحث أو للتطبيقات الصناعية ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على[email protected] و [email protected].