2009 سنة العمل

من نحن

Originally engaged in physics research, we established Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN). Today, PAM-XIAMEN is a leading manufacturer of compound semiconductor materials in China. PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy solutions for compound semiconductors. Our expertise covers GaAs substrate development, III-V epitaxial deposition using Ga/Al/In/As/P materials via MBE or MOCVD, and next-generation SiC/GaN technologies…

لماذا أخترتنا

أيقونة الاختبار

خدمة مبيعات جيدة

هدفنا هو تلبية جميع متطلباتك ، بغض النظر عن مدى الطلبات الصغيرة ومدى صعوبة الأسئلة التي قد تكون عليها ، في الحفاظ على نمو مستمر ومربح لكل عميل من خلال منتجاتنا المؤهلة وخدمة مرضية.
Development_icon

أكثر من 25 عامًا من الخبرة

من خلال أكثر من 25 عامًا من الخبرات في مجال مواد أشباه الموصلات المركب وأعمال التصدير ، يمكن لفريقنا أن يضمن لك أنه يمكننا فهم متطلباتك والتعامل مع مشروعك بشكل احترافي.
التركيب البلوري للنتريدات

جودة موثوقة

الجودة هي أولويتنا الأولى. كان Pam-Xiamen هو ISO9001: 2008 ، ويمتلك ويشارك أربعة أوجه حديثة يمكن أن توفر مجموعة كبيرة من المنتجات المؤهلة لتلبية احتياجات عملائنا المختلفة ، ويجب التعامل مع كل طلب من خلال نظام الجودة الصارم. يتم توفير تقرير الاختبار لكل شحنة ، وكل رقاقة ضمان.
أيقونة الجودة

دعم التكنولوجيا المجاني والمهني

You can get our free technology service from enquiry to after service based on our 25+ experiences in semiconductor line.

 

بعد أكثر من 20 عامًا من التراكم والتطوير ، تتمتع شركتنا بميزة واضحة في مجال الابتكار التكنولوجي ومجموعة المواهب.
In the future,We need to speed up the pace of actual action to provide customers with better products and services

دكتور تشان -الرئيس التنفيذي لشركة Xiamen Powerway Advanced Material Co. ، Ltd

تثق بنا الجامعات والشركات الأكثر شهرة في العالم

شركاء

أخبار حديثة

رقاقة SOI

في تطور تكنولوجيا أشباه الموصلات المعاصرة، تحول السيليكون على العازل (SOI) من تقنية متخصصة إلى تقنية حاسمة...

4H-SiC التحكم في مورفولوجيا حفر الركيزة +

PAM-XIAMEN offers low defect 4H‑SiC substrates in the following specifications for universities and research institutes. For inquiries, please contact us at [email protected] Parameter Specification...

MOS مقابل SBD Grade SiC الركيزة

يوفر كربيد السيليكون (SiC)، باعتباره مادة تمثيلية لأشباه الموصلات من الجيل الثالث، خصائص استثنائية بما في ذلك فجوة نطاق واسعة (3.26 فولت لـ 4H-SiC)، و...

التوصيف الكهربائي لـ GaN على رقاقة SiC HEMT

في الأبحاث الرائدة حول أجهزة الترددات اللاسلكية وأجهزة الطاقة الإلكترونية، تم تحديد المعلمات الكهربائية الجوهرية للرقائق الفوقي - وخاصة خصائص النقل...

تخصيص ارتفاع حاجز شوتكي 4H-SiC (SBH) باستخدام Ar+ Bombardment +

PAM‑XIAMEN supplies high‑quality epitaxial wafers for 4H‑SiC Schottky barrier diode fabrication. For customized epiwafer solutions, please contact: [email protected] In the development...

الكشف عن المعادن السطحية وتنظيفها

For SiC device manufacturers, surface metal control is the difference between high yield and field failure. As SiC fabrication lines increasingly...

رقائق GaN المتجانسة العمودية لأجهزة الطاقة

Wide-bandgap semiconductors, exemplified by gallium nitride (GaN), have become the core material for next-generation power electronic systems due to their...

GaN صمام ثنائي باعث للضوء (LED) Epiwafer

With the advent of the intelligent era, display technology plays an increasingly vital role in daily life. Advantages such as...

أسئلة وأجوبة