We are running GaInP/GaAs/Ge triple-junction cells fabricated by a MOCVD technique and made of high-quality III-V compounds materials that deliver significantly high efficiency. Compared with conventional solar cells, multi-junction solar cells are more efficient but also more expensive to manufacture. Triple-junction cells are more cost effective. They are used in space applications. And now we offer a GaInP/GaAs/Ge epi wafer structure as follows:
1. Specification of GaInP/GaAs/Ge Epi Wafer
| سمك (أم) | ||||||
| طبقة | مادة | خلد | خلد | نوع | CV مستوى (سم-3) | |
| جزء (خ) | جزء (ص) | |||||
| 15 | الربح (خ) كما | 0.016 | 0.2 | N | > 5.00e18 | |
| 14 | ص (خ) البرنامج النووي العراقي | 0.04 | N | 5.00E + 17 | ||
| 13 | الربح (خ) P | 0.1 | N | 2.00E + 18 | ||
| 12 | الربح (خ) P | 0.5 | P | |||
| 11 | علين (خ) P | 0.1 | P | |||
| 10 | ص (خ) الغاليوم | 0.015 | P | |||
| 9 | الغاليوم | 0.015 | N | |||
| 8 | الربح (خ) P | 0.554 | 0.1 | N | ||
| 7 | الربح (خ) كما | 0.016 | 0.1 | N | ||
| 6 | الربح (خ) كما | 0.016 | 3 | P | 1-2e17 | |
| 5 | الربح (خ) P | 0.554 | 0.1 | P | 1-2e18 | |
| 4 | ص (خ) الغاليوم | 0.4 | 0.03 | P | 5.00E + 19 | |
| 3 | الغاليوم | 0.03 | N | 2.00E + 19 | ||
| 2 | الربح (خ) كما | 0.016 | 0.5 | N | 2.00E + 18 | |
| 1 | الربح (خ) P | 0.554 | 0.06 | N |
ونحن نقدم أيضا رقائق برنامج التحصين الموسع من تقاطع واحد وثنائية تقاطع InGaP / الغاليوم الخلايا الشمسية، مع مختلف الهياكل من طبقات الفوقي (AlGaAs، InGaP) نمت على الغاليوم لتطبيق الخلايا الشمسية، الرجاء النقر InGaP/GaAs Epi Wafer for Solar Cell
2. XRD of GaInP/GaAs/Ge Wafer
Figures a, b show the XRD of crystalline quality of GaInP/GaAs/Ge wafer.
a.
b.
المصدر: PAM-شيامن
لمزيد من المعلومات، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكترونيvictorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.