حج النانو على الجاليوم (0001): علم الصرف تطور تسيطر عليها Dewetting الحالة الصلبة من أغشية رقيقة وخصائص بصرية المقابلة

حج النانو على الجاليوم (0001): علم الصرف تطور تسيطر عليها Dewetting الحالة الصلبة من أغشية رقيقة وخصائص بصرية المقابلة

نحن خبير من رقائق أشباه الموصلات في صناعة أشباه الموصلات، ونحن نقدم الدعم التكنولوجي والرقائق بيع لآلاف univerisities والعملاء الصناعي من خلال عقود من الخبرة لدينا، بما في ذلك جامعة كورنيل، جامعة ستانفورد جامعة، جامعة بكين وشاندونغ Univerity، جامعة كارولينا الجنوبية، معهد كاليفورنيا للتكنولوجيا فرعون مختبر (USA، جامعة كاليفورنيا في ايرفين (الولايات المتحدة الأمريكية)، سنغافورة التحالف MIT لمركز البحوث والتكنولوجيا (سمارت)، جامعة وست فرجينيا، بوردو Univerity، جامعة كاليفورنيا، لوس أنجلوس، جامعة الملك عبد الله للعلوم والتكنولوجيا، معهد ماساتشوستس للتكنولوجيا، جامعة هيوستن، جامعة ولاية ويسكونسن، جامعة العلوم والتكنولوجيا في الصين الخ

والآن نقدم لك مثالا واحدا المادة على النحو التالي، الذي اشترى لدينا رقائق أو الخدمة:

عنوان المقال:

حج النانو على الجاليوم (0001): علم الصرف تطور تسيطر عليها Dewetting الحالة الصلبة من أغشية رقيقة والموافق خصائص بصرية

نشرت من قبل:

ساندر Kunwar1، ماو Sui1، تشيوان Zhang1، Puran Pandey1، مينغ يو Li1 وجيهوون Lee1،2 * 1College الالكترونيات والمعلومات، جامعة Kwangwoon، Nowon غو سيول 01897، كوريا الجنوبية 2Institute من النانو العلوم والهندسة، جامعة أركنساس، فايتيفيل AR 72701، الولايات المتحدة الأمريكية.

صورة الجاليوم رقاقة:

 

 

 

 

 

 

 

 

ملخص

Silver (Ag) nanostructures have demonstrated the feasibility of being utilized in various optoelectronic, catalytic, biomedical, and sensor devices due to their excellent surface plasmon resonance characteristics. The geometrical structure, spacing, and spatial arrangement of nanostructures are crucial for controlling the properties and device performance. Herein, we demonstrate the fabrication of various configurations of self-assembled Ag nanostructures on GaN (0001) by the systematic control of deposition thickness and annealing duration. The surface morphology evolution is thoroughly investigated, and the corresponding influence on optical properties is probed. The evolution of Ag nanostructures in response to thermal annealing is described based on the dewetting of thin films, Volmer–Weber growth model, coalescence growth, and surface energy minimization mechanism. For the deposition amount variation between 1 and 100 nm, the Ag nanostructures show gradual morphological transitions such as small nanoparticles (NPs) to enlarged NPs between 1 and 7 nm, elongated nanostructures to cluster networks between 10 and 30 nm, and void evolution with layered nanostructures between 40 and 100 nm. In addition, the annealing duration effect has been studied between 0 and 3600 s, where the Ag nanostructures exhibit the evolution of network-like, elongated and isolated irregular shapes, ascribed to Ostwald’s ripening along with Ag sublimation. Furthermore, corresponding Raman, photoluminescence, and reflectance spectra reveal the morphology-dependent behaviors and are discussed based on the phonon, emission band, scattering, absorption, and surface plasmon effect.

المادة مجردة عن طريق رقاقة من شيامن Powerway المواد المتقدمة المحدودة (PAM-شيامن) أو Powerway ويفر، المحدودة

"2.1 الجاليوم إعداد الركيزة. في البداية، من نوع ن كانت تزرع 5 قوالب الجاليوم ميكرون سميكة epitaxially على 650 الصفير ميكرون سميكة مع خارج المحور ± 0.1 درجة من شيامن Powerway المواد المتقدمة المحدودة (PAM-شيامن، الصين) ... "

مصدر:

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.cgd.6b01185

حول شيامن Powerway المواد المتقدمة المحدودة

وجدت في عام 1990، وشيامن Powerway المواد المتقدمة المحدودة (PAM-شيامن) هي الشركة الرائدة في مجال المواد أشباه الموصلات المركبة في الصين. PAM-شيامن تطور نمو متقدمة الكريستال والتكنولوجيات تنضيد، عمليات التصنيع، ركائز هندسيا وأجهزة أشباه الموصلات. تمكن تقنيات PAM-شيامن والأداء العالي وانخفاض تكلفة تصنيع رقاقة أشباه الموصلات.

Now PAM-XIAMEN offer GaN material including GaN substrate, GaN on sapphire, InGaN, InN, and AlN epitaxial wafer with a wide range of deposition rates, various doping levels, wide composition ranges, and low defect densities. As well as GaN based LED wafer and AlGaN/GaN HEMT wafer.

PAM-XIAMEN also offer SiC and GaAs/InP material from wafer substrate to epitaxial growth.

 Powerway Wafer Co.,Limited is a sub company of Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd specialize in dealing with overseas orders.

Are You Looking for an Semiconductor wafer?

PAM-XIAMEN is proud to offer semiconductor wafer inlcuidng SiC/GaN/GaAs/InP wafer with wafer or epitaxial wafer for all different kinds of projects. If you are looking for semiconductor wafer, send us enquiry today to learn more about how we can work with you to get you the substrate wafers you need for your next project. Our group team is looking forward to providing both quality products and excellent service for you! For more information, please visit our website:www.powerwaywafer.com, send us email at tech@powerwaywafer.com  or powerwaymaterial@gmail.com.

شارك هذا المنشور