AlGaN UV LED رقاقة

AlGaN UV LED رقاقة

AlGaN عبارة عن مادة شبه موصلة ذات فجوة واسعة النطاق مباشرة. من خلال تغيير تركيبة مادة AlGaN ، يمكن تعديل حجم فجوة النطاق بشكل مستمر من 3.39 فولت إلى 6.1 فولت ، مما يغطي نطاق نطاق الأشعة فوق البنفسجية من 210 نانومتر إلى 360 نانومتر ، لذلك فهي مادة مثالية لإعداد UV LED. هنا ، يتم تغطية استخدامات AlGaN UV LED في العديد من المجالات مثل التعقيم ، وتنقية البيئة ، وتحديد مكافحة التزييف ، والكشف عن الكيمياء الحيوية. يمكن أن توفر PAM-XIAMENرقائق LED للأشعة فوق البنفسجية، بما في ذلك رقاقة AlGaN LED لتصنيع أجهزة انبعاث الضوء فوق البنفسجي. تزرع رقاقة AlGaN LED المدرجة أدناه بتركيبة 10٪ Al. يمكننا أيضًا أن ننمي هيكل AlGaN LED بشكل فوق محوري مع تركيبة عالية من Al ، للحصول على معلومات محددة ، يرجى الاتصال بفريق المبيعاتvictorchan@powerwaywafer.com.

AlGaN UV LED رقاقة

1. هيكل فوق المحور لتصنيع مصفوفة LED للأشعة فوق البنفسجية AlGaN

PAMP17168-ALGAN

طبقة Epi سماكة تركيز المنشطات
pGaN 10 نانومتر مطعمه كثيرا
ف- AlGaN (10٪ Al) مطعمه كثيرا
p-GaN مخدر طفيفًا ، p = 5E16-1E17 سم-3
بئر غير مفتوح / حاجز
n-GaN 50 نانومتر
n-AlGaN (10٪ Al) مطعمه كثيرا
n-AlGaN أو n-GaN (تكوين Al <10٪) 1.7-3 أم مطعمه كثيرا
مكشوف
الركيزة الياقوت

 

AlGaN هي المادة الرئيسية لـ AlGaN فوق البنفسجية الدقيقة ، وتركيبات Al المختلفة لها تأثير على الطول الموجي اللامع للأجهزة. لذلك ، فإن تحديد تكوين Al في AlGaN مهم جدًا. بشكل عام ، إذا لم يتم توتر مادة AlGaN في الطبقة فوق المحورية ، فإن محتوى Al هو العامل الوحيد الذي يؤثر على ثابت الشبكة.

كلما كان الطول الموجي AlGaN UV LED أقصر ، كلما زادت تركيبة Al المطلوبة. ومع ذلك ، مع زيادة محتوى Al ، ستزداد تحديات النمو ، والمنشطات من النوع P ، وتصنيع التلامس الأومي والجوانب الأخرى للمادة. دائمًا ما تكون كفاءة AlGaN UV LED محدودة ، وتنخفض بشكل حاد مع زيادة تكوين Al. خذ المنشطات من النوع P على سبيل المثال.

2. تقدم أبحاث المنشطات من النوع P لـ AlGaN فوق البنفسجي Epitaxy

With the improvement of epitaxial AlGaN UV LED technology, the crystal quality of AIGaN with high Al composition has been greatly improved, and the background electron concentration has become lower and lower. However, regardless of N-type or P-type doping, with the increase of Al composition, the conductivity of the epitaxial layer drops sharply, especially for P-type AlGaN materials. This is because the activation energy of Mg acceptor in AIGaN linearly increases with the increase of Al content, so it is difficult to increase the hole concentration by only increasing the doping concentration of Mg. In this way, the concentration of P-type AlGaN hole is far less than that of N-type AlGaN electron. As a result, there is a large amount of electron surplus when the electron hole pair performs composite luminescence, and the hole injection efficiency is low, which leads to electron leakage in the injected active region.

من أجل تحسين تركيز الحفرة ، تم تطوير العديد من تقنيات المنشطات ، مثل المنشطات ، والمنشطات المشتركة ، والمنشطات المستحثة بالاستقطاب ، والمنشطات الفائقة ، والمنشطات غير المتوازنة في هندسة الكم ، إلخ. وأظهرت النتائج أن δ المنشطات للمغنيسيوم يحسن P - الموصلية النوعية بإدخال تعديل النطاق المحلي وتقليل تشتت الشوائب. في تقنية المنشطات المشتركة ، تتم إضافة كمية معينة من الشوائب المانحة ، مثل Si أو C ، لتقليل طاقة التنشيط للمستقبل. المنشطات التي يسببها الاستقطاب هي استخدام تركيبات Al التدريجية لتشكيل حقل استقطاب في المادة ثم حث المستقبِل على التنشيط. تستفيد المنشطات الفائقة من ترتيب نطاق التكافؤ ومجال الاستقطاب لثني نطاق طاقتها بعنف وتشكيل تذبذبات دورية ، وبالتالي تقليل طاقة التنشيط المستقبلة في بعض الطبقات الجزيئية وزيادة معدل التنشيط. لقد حققت هذه الأساليب بالفعل تأثيرات معينة على مواد AIGaN الغنية بالـ Ga. ومع ذلك ، نظرًا لعوامل مختلفة ، لم تحقق هذه الطرق تقدمًا كبيرًا في مصابيح LED للأشعة فوق البنفسجية عالية التركيب AlGaN.

أما بالنسبة لطرق المنشطات غير المتوازنة في هندسة الكم ، فإن الطريقة تُدخل بنية الجاليوم الكمومية في نظام مادة AlGaN ، ويتم تخدير المادة المخدرة في مادة المصفوفة بالقرب من بنية الكم المحلية GaN ، يتم تشكيل نظام المواد غير المتوازنة ، مما يدفع النظام إلى القمة من نطاق التكافؤ (VBM) ، ولضمان أن الشوائب يمكنها إطلاق الفتحة بشكل فعال إلى VBM ، ونتيجة لذلك ، يتم تنشيط طاقة متقبل AlGaN ، وبالتالي تحسين أداء أجهزة LED UV.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني علىvictorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

شارك هذا المنشور