قناع ضوئي من الكروم فارغ

قناع ضوئي من الكروم فارغ

قناع ضوئي فارغ مع الكروم المضاد للانعكاس متاح. تستخدم الأقراص الضوئية بشكل أساسي في الدوائر المتكاملة وشاشات العرض المسطحة (بما في ذلك شاشات الكريستال السائل ، LED ، OLED) ، لوحات الدوائر المطبوعة وغيرها من المجالات. القناع الضوئي هو ملف سيد النمط المستخدمة في عملية الليثوغرافيا الضوئية في تصنيع الإلكترونيات الدقيقة. فيما يلي مواصفات قناع الصورة فارغًا للرجوع إليه:

قناع ضوئي من الكروم فارغ

رقم 1 أقنعة الصور PAM190302-MASKH

رقم 1-1 رقائق السيليكون مع هياكل IC (ASIC11) بمعايير تصميم 0.35 ميكرون ؛

رقم 1-2 رقائق السيليكون مع هياكل IC (ASIC12) بمعايير تصميم 0.35 ميكرون ؛

ملاحظة:

قطر الركيزة> = 150 مم. يتم تحديد نوع / منشطات المزيج ، والاتجاه ، والسماكة ، والمقاومة ، والسطح الأمامي ، والسطح الخلفي ، والمسطحة (المسطحة) من قبل الشركة المصنعة لتوفير المعلمات الأساسية للعنصر المطلوب (الترانزستورات ، والمقاومات ، والمكثفات) المحددة في مجموعة التصميم. توفر الشركة المصنعة مجموعة تصميم مناسبة لتطوير طوبولوجيا IC. ينفذ العميل التطوير وفقًا لمجموعة التصميم وينقل المعلومات إلى الشركة المصنعة بتنسيق GDS. تنتج الشركة المصنعة مجموعة من الصور الضوئية وفقًا للمعلومات الموجودة في تنسيق GDS. تقوم الشركة المصنعة بتصنيع الألواح باستخدام مجموعة من الماسكات الضوئية ووفقًا لمتطلبات Design Kit.

رقم 1-3 قناع ضوئي فارغ

الحجم 152 × 152 × مم ، مقياس 5: 1 ، مصمم للطباعة الحجرية الضوئية بمعايير تصميم تبلغ 0.35 ميكرومتر ؛

متطلبات النموذج الأساسي

الغرض: قوالب ثنائية للإسقاط و / لتر

حجم الركيزة: 6 “x6” x0.25 “، كوارتز

نوع الجهاز: 5x ، نيكون NSR 2205i11D

مجال التعرض: 110 مم × 110 مم

Pellicle: نعم ، NIK49P-122-1K17 / HFLC ، حماية من جانب واحد من الكروم (حماية ثنائية الاتجاه عند الطلب)

الحجم الحرج الأدنى: 1.75 ميكرون

استنساخ الأبعاد الحرجة: 0.05 ميكرومتر (3σ)

دقة التسجيل (التسجيل): 0.1 ميكرومتر

العيب: 0.1 / سم2 (1 ميكرون)

رقم 2 الكروم فوتوماسك على الكوارتز PAM200313-MASKH                         

رقم 2-1 الأقل تعقيدًا: Strip & Ship ؛

القرص المضغوط> = 5um ؛

مساحات شاسعة مفتوحة اكتب الشبكة: قياسي

المواد: الكوارتز والكروم المضاد للانعكاس. لا قشرة.    

رقم 2-2 معتدل واحد:

5x شبكاني 6 "x6" x0.12 "كوارتز ؛

لا توجد عيوب أكبر من 2.5 ميكرومتر ؛

أصغر من 1،25um عيب

القرص المضغوط> = 5um ؛ خطوط / مسافات / مثمنات ؛

شبكة الكتابة: يجب أن تحتفظ بالقرص المضغوط

المواد: الكوارتز والكروم المضاد للانعكاس. لا قشرة.                                                      

رقم 2-3الأكثر تعقيدًا:

5x شبكاني 6 "x6" x0.12 "كوارتز ؛

لا توجد عيوب أكبر من 1،25um ؛

أصغر من عيب 0.625 ميكرون

القرص المضغوط> = 2،5 ميكرومتر ؛ خطوط / مسافات / مثمنات ؛

شبكة الكتابة: يجب أن تحتفظ بالقرص المضغوط

المواد: الكوارتز والكروم المضاد للانعكاس. لا قشرة.

لن يكون هناك أي قشور ضرورية في فراغات القناع الضوئي هذه ، وسيكون حجم قناع شبكاني 6 × 6 بوصة وسمك 0.12 بوصة. الحد الأدنى لأحجام الميزات على الأقنعة 2.5 ميكرومتر و 5 ميكرومتر. قناع ضوئي (شبكاني) هو لتصنيع عملية الطباعة الحجرية لاستخدامها في آلات السائر.

تفي المعلمات الفنية للقناع الضوئي الفارغ بالمتطلبات الواردة في الجدول 1 والجدول 2.

الجدول 1 معلمات جودة قناع الصورة
درجة D C B A S T U V W W + P. X X + ص Y ص + ص Z Z + P.
تفاوت ±0.3 ±0.3 ±0.2 ±0.15 ±0.1 ±0.1 ±0.05 ±0.04 ±0.035 ±0.035 ±0.032 ±0.032 ±0.028 ±0.028 ±0.022 ±0.022
يعني أن الهدف ±0.3 ±0.3 ±0.2 ±0.15 ±0.1 ±0.075 ±0.05 ±0.04 ±0.03 ±0.03 ±0.028 ±0.028 ±0.025 ±0.025 ±0.02 ±0.02
انتظام 0.2 0.2 0.2 0.15 0.1 0.075 0.05 0.04 0.035 0.035 0.035 0.035 0.03 0.03 0.025 0.025
تسجيل ±0.4 ±0.3 ±0.2 ±0.15 ±0.1 ±0.075 ±0.05 ±0.06 ±0.055 ±0.055 ±0.05 ±0.05 ±0.045 ±0.045 ±0.04 ±0.04
حجم العيب 1.5 1.5 1 0.8 0.6 0.4 0.4 0.35 0.3 0.3 0.25 0.25 0.2 0.2 0.2 0.2
كثافة عيب 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
عيب الحافة / / / / / / / 0.3 0.3 0.3 0.25 0.25 0.2 0.2 0.2 0.2
خشونة الحافة / / / / / / / 0.3 0.3 0.3 0.25 0.25 0.2 0.2 0.2 0.2
تقريب الزاوية / / / / / / / 0.3 0.3 0.3 0.25 0.25 0.2 0.2 0.2 0.2
مرحلة PSM / / / / / / / / / 180 ± 4 / 180 ± 3 / 180 ± 3 / 180 ± 3
ترجمة PSM / / / / / / / / / 6 ± 0.4 / 6 ± 0.3 / 6 ± 0.3 / 6 ± 0.3

 

ملاحظة:

المعلمات قابلة للتطبيق على نطاق شبكاني ؛ يتم ترتيب مستوى الجودة من الأقل إلى الأعلى:

  • عملية 0.5um تدعم ما يصل إلى مستوى S ؛ تدعم عملية 0.35um ما يصل إلى مستوى U ، وتدعم عملية 0.18um ما يصل إلى مستوى X ؛
  • القناع الزجاجي العادي ينطبق فقط على الفئة د.
الجدول 2 متطلبات جودة قناع ضوئي
  1: 1 قناع رئيسي 1: 1 مسح شعاع الإلكترون قناع UT
درجة PB السلطة الفلسطينية إب EA ES جامعة كاليفورنيا يو بي UA
مواصفات القرص المضغوط >2.5 1.2 ~ 2.5 >1.5 1.2 ~ 1.5 <1.2 >2 1.5 ~ 2.0 <1.5
تفاوت ±0.25 ±0.2 ±0.2 ±0.15 ±0.1 ±0.25 ±0.2 ±0.15
انتظام 0.3 0.3 0.3 0.25 0.2 0.25 0.2 0.15
تسجيل ±0.8 ±0.8 ±0.2 ±0.15 ±0.1 ±0.2 ±0.15 ±0.1
حجم العيب 2 2 1.5 1.5 1.0 2 1.5 1
كثافة الخلل (جهاز كمبيوتر شخصى / في2) 2 1 2 1 0.5 0 0 0

 

ملاحظة:

ينطبق المطلب على قناع 1: 1 ، ويتم تصنيف مستوى الجودة من الأقل إلى الأعلى ؛

قناع UT ينطبق فقط على مادة الكوارتز ؛ قناع الزجاج العادي ينطبق على أعلى مستوى ب.

رقم 3 الطباعة الحجرية الضوئية فارغة PAM200326-MASKH

الركيزة الزجاج:

الحجم: 50x50mm +/- 0.2mm ؛

السماكة: 3.67 مم +/- 0.02 مم

المواد: كوارتز

لا المواصفات. على التسطيح: 1/4 ~ 1/2 الطول الموجي

خالية من الرقائق على الحواف

بدء الركيزة 7X7inch X 150mil

طبقة طلاء شبكية فارغة قياسية 3.0 OD AR كروم

رقم 4 قناع للصور على الكوارتز PAM200602-MASKH

رقم 4-1 قناع الصورة

حجم القناع 5 "X5"

المواد السفلية للقناع: كوارتز

الطباعة الحجرية: شعاع الإلكترون

قطبية القناع: BF

ميزة التسامح: 0.02um

حجم الميزة: 0.4 ميكرومتر

الدقة: 0.12 ميكرومتر

شبكة التصنيع: 0.005um ، 0.02um                       

رقم 4-2 قناع ضوئي فارغ

حجم القناع 5 "X5"

قناع المواد السفلية الكوارتز

الطباعة الحجرية: الليزر

قطبية القناع: DF

ميزة التسامح: 0.5um

حجم الميزة: 10 ميكرون ، 3 ميكرومتر ، أو 5 ميكرومتر

الدقة: 0.12 ميكرومتر

شبكة التصنيع: 0.02um

رقم 5 كوارتز مع LR كروم PAM200811-MASKH

حجم القناع = 5 × 5 × 0.09 أوم

المادة = كوارتز مع LR Chrome

الاتجاه: RR لأسفل.

داتا داكنة.

البعد الحرج (CD): 4 ميكرومتر +/- 0.5 ميكرومتر (لجميع الأقنعة)

العيوب: 0> 5 ميكرومتر

يرجى الملاحظة:

الكوارتز مع LR Chrome لتصنيع قناع المحاذاة (NUV Photo lithography 350-450 نانومتر الطول الموجي) ؛

البيانات المطلوب تحجيمها هي 1:01 لأن محاذاة القناع لها تحجيم 1: 1 ، بدلاً من 5: 1 ؛

مادة القناع هي كوارتز مع LR Chrome ، وجانب الكروم متجه لأسفل (قراءة حقيقية (RR) لأسفل) ؛

في تصميم التخطيط ، يتم استخدام الطبقة المعدنية رقم 28 ، ويجب أن تكون مساحة الطبقة المعدنية في تخطيطات التصميم من الكروم على قناع الصورة.

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على victorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.                                                                       

2021-11-09

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

Freestanding GaN Substrate

Product Specifications PAM XIAMEN offers Freestanding GaN Substrate 2″GaN Free-standing Substrate Item PAM-FS-GaN50-N PAM-FS-GaN50-SI Conduction Type N-type Semi-insulating Size 2″(50.8)+/-1mm Thickness 260+/-20um Orientation C-axis(0001)+/-0.5° Primary Flat Location (1-100)+/-0.5° Primary Flat Length 16+/-1mm Secondary Flat Location (11-20)+/-3° Secondary Flat Length 8+/-1mm Resistivity(300K) <0.5Ω·cm >10^6Ω·cm Dislocation Density <5×10^6cm-2 Marco Defect Density A grade<=2cm-2 B grade>2cm-2 TTV <=15um BOW <=20um Surface Finish Front Surface:Ra<0.2nm.Epi-ready polished Back Surface:1.Fine ground 2.Rough grinded ≥ 90 % Usable Area           1.5″GaN Free-standing Substrate Item PAM-FS-GaN50-N PAM-FS-GaN50-SI Conduction Type N-type Semi-insulating Size 1.5″(38.1)+/-0.5mm Thickness 260+/-20um Orientation C-axis(0001)+/-0.5° Primary Flat Location (1-100)+/-0.5° Primary Flat Length 12+/-1mm Secondary Flat Location (11-20)+/-3° Secondary Flat Length 6+/-1mm Resistivity(300K) <0.5Ω·cm >10^6Ω·cm Dislocation [...]

2019-03-15مؤلف ميتا
New AlGaN/GaN HEMTs employing both a floating gate and a field plate

We designed and fabricated AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) employing both a floating gate (FG) and a field plate (FP), which increase the breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs significantly without sacrificing forward electric characteristics. The electric field strength at the gate–drain region of the proposed AlGaN/GaN HEMT [...]

2018-01-10مؤلف ميتا
6″ Silicon EPI Wafer

PAM XIAMEN offers 6″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 6″Øx675μm n- Si:P[100] 0.001-0.002 P/EOx 3.2 ±0.2 n- Si:P 0.32-0.46 n+/n++ For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China.PAM-XIAMEN develops advanced crystal [...]

2019-03-08مؤلف ميتا
125mm (5 Inch) Silicon Wafers

N-type or P-type 125mm silicon wafer can be supplied with the orientation of <111> or <100>. More specs are shown as following: 1. 125mm Silicon Substrate Wafer List No. 1 ID Dia Type Dopant Ori Res (Ohm-cm) Thick (um) Polish Grade Description PAM2683 125mm N As <111> <0.0035 375um SSP MECH Mechanical Grade. EPI Layer: N/Phos Res: 4.59-5.874ohm.cm 12-16um PAM2684 125mm N P <100> <0.001 3000um SSP Test 3mm thick PAM2685 125mm P B <111> 43485 525-575um SSP Test Sold As-Is PAM2686 125mm P B <111> 43485 500-550um SSP Test Sold As-Is No. 2 Item Material Orient. Diam (mm) Thck (μm) Surf. Resistivity (Ωcm) Comment PAM2687 p-type Si:B [100] 5″ 889 [...]

2019-02-20مؤلف ميتا
150mm&200mm Silicon Wafer

PAM XIAMEN offers 150mm&200mm Silicon Wafer. Diameter Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 150 N Phos CZ -100 1-20 180-200 P/P PRIME 150 N Phos CZ -100 1-100 500-550 P/P PRIME 150 N Phos CZ -100 1-100 500-600 P/E TEST 150 N Phos CZ -100 1-100 650-700 P/E/DTOx PRIME 150 N Phos CZ -100 1-100 650-700 P/E/Ni PRIME 150 N Phos CZ -100 1-20 650-700 P/E/OX PRIME 150 N Phos CZ -100 1-20 650-700 P/E/WTOx 150 P Boron CZ -100 1-20 180-200 P/P PRIME 150 P Boron CZ -100 1-100 500-550 P/P PRIME 150 P Boron CZ -100 1-100 500-600 P/E TEST 150 P Boron CZ -100 .001-.005 650-700 P/E PRIME 150 P Boron CZ -100 1-100 650-700 P/E/DTOx PRIME 150 P Boron CZ -100 1-100 650-700 P/E/Ni PRIME 150 P Boron CZ -100 1-20 650-700 P/E/OX PRIME 150 P Boron CZ -100 1-20 650-700 P/E/WTOx 150 P Boron CZ -100 1-20 950-1050 P/E PRIME 150 P Boron CZ -100 1-20 950-1050 P/P PRIME 150 Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P 150 Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P 150 N Si VGF -100 650-700 P/E PRIME 150 P Zn VGF -100 650-700 P/E PRIME 150 Si Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P TEST 150 Si Undoped VGF -100 >1E7 500-600 P/P TEST 150 Si Undoped VGF -100 >1E7 610-660 P/P EPI 150 Si Undoped VGF -100 >1E7 650-700 P/E PRIME 150 Single Wafer Shipper ePak Lid/Base/Spring Holds1Wafer Clean Room 150 Round Single Wafer Shipper ePak Lid/Base/Spring Holds1Wafer Clean Room 150 Shipping Cassette ePak Holds25Wafers Clean Room 200 N Phos CZ -100 1-20 700-750 P/E/OX PRIME 200 P Boron CZ -100 1-100 600-800 P/E TEST 200 P Boron CZ -100 1-20 700-750 P/E/OX PRIME For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in [...]

2019-03-04مؤلف ميتا
Flipping 60 GHz transistors

InGaAs HEMTs form two-stage gain blocks delivering 9 dB of gain while consuming just 20 mW A TEAM of Taiwanese engineers has used flip-chip packaging to build anInGaAs HEMT delivering up to 6.5 dB of gain at 60 GHz. The researchers argue that one of the [...]

2012-09-10مؤلف ميتا