ما هو مطياف فورييه لتحويل الأشعة تحت الحمراء (FTIR)؟

  • منزل
  • أخبار
  • ما هو مطياف فورييه لتحويل الأشعة تحت الحمراء (FTIR)؟

ما هو مطياف فورييه لتحويل الأشعة تحت الحمراء (FTIR)؟

الطاقة الاهتزازية للجزيء أكبر من طاقة الدوران. عندما يحدث انتقال مستوى الطاقة الاهتزازية ، يكون مصحوبًا حتماً بانتقال مستوى الطاقة الدورانية ، لذلك لا يمكن قياس الطيف الاهتزازي النقي ، ولكن يمكن الحصول على الطيف الاهتزازي الدوراني للجزيء فقط. هذا الطيف يسمى طيف امتصاص الأشعة تحت الحمراء.رقائق أشباه الموصلاتمن PAM-XIAMEN بواسطة مطيافية الأشعة تحت الحمراء لتحويل فورييه (FTIR) إذا لزم الأمر.

طيف امتصاص الأشعة تحت الحمراء هو أيضًا نوع من طيف الامتصاص الجزيئي. عندما يتم تشعيع العينة بضوء الأشعة تحت الحمراء بتردد متغير باستمرار ، يمتص الجزيء إشعاع ترددات معينة ويسبب تغيرًا صافياً في العزم ثنائي القطب الناجم عن حركته الاهتزازية أو الدورانية ، مما يؤدي إلى انتقال مستويات الطاقة الاهتزازية والدورانية الجزيئية من الحالة الأرضية إلى الحالة المثارة ، مما يضعف شدة الضوء المرسل المقابلة لمناطق الامتصاص هذه. يتم الحصول على طيف الأشعة تحت الحمراء بتسجيل العلاقة بين النسبة المئوية لنفاذية ضوء الأشعة تحت الحمراء ورقم الموجة أو طول الموجة.

خصائص مطياف فورييه لتحويل الأشعة تحت الحمراء (FTIR):

1) سرعة المسح سريعة ، ويمكن قياس معلومات جميع الترددات في وقت واحد خلال وقت المسح ؛

2) دقة عالية ؛

3) حساسية عالية.

4) دقة عالية.

1. أداة فورييه للطيف بالأشعة تحت الحمراء

تتكون أداة فورييه للتحليل الطيفي بالأشعة تحت الحمراء (FT-IR) من مصدر الضوء ومقياس تداخل ميكلسون ومجموعة عينات وكاشف وجهاز كمبيوتر. يتم تحويل الضوء المنبعث من مصدر الضوء إلى ضوء تداخل من خلال مقياس التداخل. يحتوي ضوء التداخل على معلومات عن جميع الأطوال الموجية المنبعثة من مصدر الضوء. عندما يمر ضوء التداخل أعلاه عبر العينة ، تمتص العينة ضوء بعض الطول الموجي ويصبح ضوء التداخل الذي يحتوي على معلومات العينة. يتم جمع عينة مخطط التداخل بواسطة الكمبيوتر ، ويتم الحصول على طيف الأشعة تحت الحمراء للامتصاص أو النفاذية المتغيرة مع التردد أو الطول الموجي بعد تحويل فورييه السريع للكمبيوتر.

هيكل فورييه مطياف الأشعة تحت الحمراء

هيكل فورييه مطياف الأشعة تحت الحمراء

2. تطبيقات التحليل الطيفي بالأشعة تحت الحمراء

يستخدم التحليل الطيفي بالأشعة تحت الحمراء على نطاق واسع في دراسة التركيب الجزيئي والتركيب الكيميائي للمواد كـ "بصمات جزيئية". وفقًا لموضع وشدة وشكل تردد النطاق الذي حصل عليه الجزيء بعد امتصاص ضوء الأشعة تحت الحمراء ، والعلاقة بين نطاق الامتصاص ودرجة الحرارة وحالة التجميع وما إلى ذلك ، يمكن تحديد التكوين المكاني للجزيء ، والقوة يمكن الحصول على ثابت وطول الرابطة وزاوية الرابطة للرابطة الكيميائية. من منظور التحليل الطيفي ، يتم استخدام تردد نطاق الامتصاص المميز بشكل أساسي لاستنتاج وجود مجموعة أو رابطة معينة في الجزيء ، ويتم استنتاج المجموعة أو الرابطة المجاورة من تغيير تردد نطاق الامتصاص المميز ، ومن ثم يتم تحديد التركيب الكيميائي للجزيء. يمكن أيضًا تحليل المخاليط والمركبات كميًا عن طريق التغييرات في شدة نطاقات الامتصاص المميزة.

تتركز مطياف فورييه للأشعة تحت الحمراء حاليًا في المجالات التالية:

1) مواد أشباه الموصلات

2) الصناعة الدوائية والكيميائية

3) البحث عن مواد البوليمر

4) صناعة البتروكيماويات

5) علم المعادن

6) البحوث الطبية الحيوية

7) تحديد الطب الشرعي

8) تحليل الغاز

9) مراقبة بيئة الغلاف الجوي

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على victorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2022-06-08

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

LEAD-TUNGSTATE CRYSTALS PBWO4

PAM XIAMEN offers Lead-Tungstate Crystals PbWO4. PRODUCT DESCRIPTION FOR LEAD-TUNGSTATE CRYSTALS Lead Tungstate (PbWO4) crystal is a scintillator which has been used as the detect material by several high energy physics devices, e.g., CMS detector in CERN. The crystal is distinguished by its fast decay time, high density [...]

2019-03-14مؤلف ميتا
UV LED wafer

We can provide 2″ UV LED wafer and AlN wafer for medical & scientific applications including photodynamic therapy also benefit from a high power and high flux density LED. 1. Features & Dimensions of UV LED Wafer Growth Technique – MOCVD Substrate Material:Sapphire Substrate (Al2O3) Substrate Conduction: Insulating Substrate [...]

2014-04-14مؤلف ميتا
10*10 mm2 N-GaN Freestanding GaN Substrate

PAM-XIAMEN, one of leading GaN substrate manufacturers, offers 10*10mm2 N-Type Freestanding GaN Substrate. To get more specific information please see the table below: 1. N-Type Freestanding GaN Substrate Specification Item PAM-FS-GAN-50-N Dimension 10 x 10.5 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation C plane (0001) off angle toward M-axis 0.35 ±0.15° Conduction Type N-type / Si Doped Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine Ground or polished. Dislocation Density ≤5x 106 cm-2 (calculated by CL)* Macro Defect Density 0 cm-2 Useable Area > 90% (edge exclusion)   Package each in single wafer container, under nitrogen atmosphere, packed in [...]

2020-08-17مؤلف ميتا
Niobium( Nb) substrate ( Polycrystalline)

PAM XIAMEN offers Niobium( Nb) substrate ( Polycrystalline). Niobium( Nb) substrate ( Polycrystalline) , 10x10x0.5 mm, 1 side polished Niobium( Nb) substrate ( Polycrystalline) Purity:  99.5% Size:     10x10x0.5 mm Surface finish:  One side optical polished Surface finish (RMS or Ra) :  N/A General Properties  [...]

2019-05-08مؤلف ميتا
Bubble evolution mechanism and stress-induced crystallization in low-temperature silicon wafer bonding based on a thin intermediate amorphous Ge layer

The dependence of the morphology and crystallinity of an amorphous Ge (a-Ge) interlayer between two Si wafers on the annealing temperature is identified to understand the bubble evolution mechanism. The effect of a-Ge layer thickness on the bubble density and size at different annealing [...]

2019-11-13مؤلف ميتا
كيف تؤثر عيوب الحفرة الفوقية على خصائص جهاز SiC MOSFET؟

SiC epitaxial wafer is available for fabricating MOSFET devices, wafer specifications can be found in https://www.powerwaywafer.com/sic-mosfet-structure.html 1.  Epitaxial Pits Epitaxial pits, as one of the most common surface morphology defects, have a typical surface morphology and structural profile as shown in Fig.1. The position of thread [...]

2024-03-21مؤلف ميتا