الغاليوم ويفر

الغاليوم رقاقة أشباه الموصلات هي مهمة III-V مركب، بنية سفاليرايت شعرية مع ثابت شعرية من 5.65 س 10-10m، نقطة انصهار من 1237 C والفرقة الفجوة من 1.4 إلكترون volts.Gallium زرنيخ رقاقة يمكن أن يتم في المواد العازلة شبه مع المقاومة أعلى من السيليكون والجرمانيوم من ثلاث درجات، والتي يمكن استخدامها لصنع ركائز الدوائر المتكاملة، للكشف عن الأشعة تحت الحمراء، للكشف عن أشعة غاما الفوتون وهلم جرا. لأن التنقل الإلكترون لها 5-6 مرات أكبر من ذلك من السيليكون، كان قد تم استخدامها على نطاق واسع في تصنيع أجهزة الميكروويف والدوائر الرقمية عالية السرعة. أجهزة أشباه الموصلات مصنوعة من الغاليوم لديها مزايا عالية التردد، ودرجة الحرارة العالية، وحسن أداء منخفض درجة الحرارة، وانخفاض مستوى الضجيج ومقاومة الإشعاع قوية. وبالإضافة إلى ذلك، فإنه يمكن أيضا أن تستخدم لتصنيع أجهزة نقل - الأجهزة تأثير الأكبر.

(الغاليوم زرنيخيد) الغاليوم ويفر وإبيتاز: الغاليوم ويفر، نوع N، P نوع أو شبه العازلة، حجمها من 2 "إلى 6". الغاليوم برنامج التحصين الموسع رقاقة لHEMT، pHEMT، mHEMT وHBT

  • برنامج التحصين الموسع ويفر ليزر ديود

    GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • الغاليوم (الغاليوم زرنيخيد) يفر

    As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • الغاليوم Epiwafer

    PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.