برنامج التحصين الموسع ويفر ليزر ديود

برنامج التحصين الموسع ويفر ليزر ديود

GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • وصف

وصف المنتج

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), a LD epitaxial wafer supplier, focuses on the GaAs and InP based laser diode epi wafers grown by MOCVD reactors for fiber-optic communication, industrial application, and special-purpose usage. PAM-XIAMEN can offer LD epitaxy wafer based on GaAs substrate for various fields, like VCSEL, infrared, photo-detector and etc. More details about the LD epitaxy wafer material, please refer to the table below:

الركيزة المواد القدرة المادية الطول الموجي تطبيق
الغاليوم الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP 635NM  
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 650NM Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP 660nm  
الغاليوم / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / الغاليوم 703nm  
الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP 780nm  
الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP 785nm  
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 800-1064nm LD الأشعة تحت الحمراء
الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP 808nm الليزر LD الأشعة تحت الحمراء
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 850NM Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة <870nm صور كاشف
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 850-1100nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)
RCLED
الغاليوم / AlGaAs / غايناس / AlGaAs / الغاليوم 905nm  
الغاليوم / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / الغاليوم 950nm الأشعة  
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 980nm LD الأشعة تحت الحمراء
البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 1250-1600nm انهيار جليدي الصور كاشف
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 1250-1600nm/>2.0um
(InGaAs absorptive layer)
صور كاشف
الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 1250-1600nm/<1.4μm
(InGaAsP absorptive layer)
صور كاشف
البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 1270-1630nm الاتحاد الالماني ليزر
GaAsP / الغاليوم / الغاليوم الركيزة 1300nm  
البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 1310NM FP الليزر
GaAsP / الغاليوم / الغاليوم الركيزة 1550nm FP الليزر
  1654nm  
البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة 1900nm FP الليزر
  2004nm  

 

About LD Epitaxy Wafer Applications & Market

The applications of GaAs based LD epitaxy wafer in the laser field can be divided into VCSELs and non-VCSELs. The current GaAs based LD epitaxy applications mainly lies in VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), based on GaAs materials, is mainly used for face recognition. It is expected to have a high growth rate in the future. EEL (Edge Emitting Laser) is a non-VCSEL device, mainly used in the field of automotive lidar, and the demand is expected to increase with the expansion of the driverless car market.

The GaAs substrate used in the laser field requires high technical indicators, and the unit epitaxial wafer price is significantly higher than that of other fields. The future LD epitaxial market space can be expected. Laser applications are the most sensitive to dislocation density. There is a high requirement for the GaAs substrate materials in laser applications. Therefore, the higher requirement is put forward on LD epitaxial wafer manufacturers and LD epitaxial wafer process. At present, the near-infrared band (760~1060 nm) semiconductor laser based on GaAs substrate has the most mature development and the most widespread application, and it has already been commercialized.

Please see below detail specification of LD epitaxy wafer:

رقاقة رقاقة ليزر VCSEL

VCSEL Laser Epi Wafer

703nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

808nm الليزر ديود ليزر برنامج التحصين الموسع رقاقة 1

780nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

650nm الليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

785nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

808nm laser diode epi wafers-2

850nm وليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

905nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

950nm الأشعة يزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

1550nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

1654nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

2004nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة

 

رقائق باعث واحد

واحد باعث LD رقاقة 755nm @ 8W

واحد باعث LD رقاقة 808nm الليزر @ 8W

واحد باعث LD رقاقة 808nm الليزر @ 10W

واحد باعث LD رقاقة 830nm @ 2W

واحد باعث LD رقاقة 880nm @ 8W

واحد باعث LD رقاقة 900 + نانومتر @ 10W

واحد باعث LD رقاقة 900 + نانومتر @ 15W

واحد باعث LD رقاقة 905nm @ 25W

واحد باعث LD رقاقة 1470nm @ 3W

PAM XIAMEN offers 1470 / 1550nm high power laser single chip as follows:

LD باري بار

LD باري بار ل780nm @ تجويف 2.5MM

LD باري بار ل808nm الليزر @ تجويف 2mm في

LD باري بار ل808nm الليزر @ تجويف 1.5MM

LD باري بار ل880nm @ تجويف 2mm في

LD باري بار ل940NM @ تجويف 2mm في

LD باري بار ل940NM @ تجويف 3MM

LD باري بار ل940NM @ تجويف 4MM

LD باري بار ل940NM @ تجويف 2mm في

LD باري بار ل976nm @ تجويف 4MM

LD باري بار ل1470nm @ تجويف 2mm في

LD باري بار ل1550nm @ تجويف 2mm في