برنامج التحصين الموسع ويفر ليزر ديود
GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).
- وصف
وصف المنتج
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), a LD epitaxial wafer supplier, focuses on the GaAs and InP based laser diode epi wafers grown by MOCVD reactors for fiber-optic communication, industrial application, and special-purpose usage. PAM-XIAMEN can offer LD epitaxy wafer based on GaAs substrate for various fields, like VCSEL, infrared, photo-detector and etc. More details about the LD epitaxy wafer material, please refer to the table below:
| الركيزة المواد | القدرة المادية | الطول الموجي | تطبيق |
| الغاليوم | الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP | 635NM | |
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 650NM | Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) RCLED |
|
| الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP | 660nm | ||
| الغاليوم / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / الغاليوم | 703nm | ||
| الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP | 780nm | ||
| الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP | 785nm | ||
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 800-1064nm | LD الأشعة تحت الحمراء | |
| الغاليوم / GalnP / AlGaInP / GaInP | 808nm الليزر | LD الأشعة تحت الحمراء | |
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 850NM | Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) RCLED |
|
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | <870nm | صور كاشف | |
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 850-1100nm | Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) RCLED |
|
| الغاليوم / AlGaAs / غايناس / AlGaAs / الغاليوم | 905nm | ||
| الغاليوم / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / الغاليوم | 950nm الأشعة | ||
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 980nm | LD الأشعة تحت الحمراء | |
| البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 1250-1600nm | انهيار جليدي الصور كاشف | |
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 1250-1600nm/>2.0um (InGaAs absorptive layer) |
صور كاشف | |
| الغاليوم القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 1250-1600nm/<1.4μm (InGaAsP absorptive layer) |
صور كاشف | |
| البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 1270-1630nm | الاتحاد الالماني ليزر | |
| GaAsP / الغاليوم / الغاليوم الركيزة | 1300nm | ||
| البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 1310NM | FP الليزر | |
| GaAsP / الغاليوم / الغاليوم الركيزة | 1550nm | FP الليزر | |
| 1654nm | |||
| البرنامج النووي العراقي القائم على برنامج التحصين الموسع رقاقة | 1900nm | FP الليزر | |
| 2004nm |
About LD Epitaxy Wafer Applications & Market
The applications of GaAs based LD epitaxy wafer in the laser field can be divided into VCSELs and non-VCSELs. The current GaAs based LD epitaxy applications mainly lies in VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), based on GaAs materials, is mainly used for face recognition. It is expected to have a high growth rate in the future. EEL (Edge Emitting Laser) is a non-VCSEL device, mainly used in the field of automotive lidar, and the demand is expected to increase with the expansion of the driverless car market.
The GaAs substrate used in the laser field requires high technical indicators, and the unit epitaxial wafer price is significantly higher than that of other fields. The future LD epitaxial market space can be expected. Laser applications are the most sensitive to dislocation density. There is a high requirement for the GaAs substrate materials in laser applications. Therefore, the higher requirement is put forward on LD epitaxial wafer manufacturers and LD epitaxial wafer process. At present, the near-infrared band (760~1060 nm) semiconductor laser based on GaAs substrate has the most mature development and the most widespread application, and it has already been commercialized.
ملاحظة ：
أعلنت الحكومة الصينية عن قيود جديدة على تصدير مواد الغاليوم (مثل GaAs، وGaN، وGa2O3، وGaP، وInGaAs، وGaSb) ومواد الجرمانيوم المستخدمة في صناعة رقائق أشباه الموصلات. اعتبارًا من 1 أغسطس 2023، لا يُسمح بتصدير هذه المواد إلا إذا حصلنا على ترخيص من وزارة التجارة الصينية. نأمل في تفهمكم وتعاونكم!
Please see below detail specification of LD epitaxy wafer:
703nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
808nm الليزر ديود ليزر برنامج التحصين الموسع رقاقة 1
780nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
650nm الليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
785nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
808nm laser diode epi wafers-2
850nm وليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
905nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
950nm الأشعة يزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
1550nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
1654nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
2004nm ليزر ديود برنامج التحصين الموسع رقاقة
GaAs Epitaxy with Thick Growth
GaAs based Epi Structure MOCVD Grown for Light Emitter
Narrow InGaAsP Quantum Well Grown on InP Wafer
InAs Quantum Dot Layers on InP Substrate
رقائق باعث واحد
واحد باعث LD رقاقة 808nm الليزر @ 8W
واحد باعث LD رقاقة 808nm الليزر @ 10W
واحد باعث LD رقاقة 900 + نانومتر @ 10W
واحد باعث LD رقاقة 900 + نانومتر @ 15W
واحد باعث LD رقاقة 905nm @ 25W
واحد باعث LD رقاقة 1470nm @ 3W
PAM XIAMEN offers 1470 / 1550nm high power laser single chip as follows:
LD باري بار
LD باري بار ل780nm @ تجويف 2.5MM
LD باري بار ل808nm الليزر @ تجويف 2mm في
LD باري بار ل808nm الليزر @ تجويف 1.5MM
LD باري بار ل880nm @ تجويف 2mm في
LD باري بار ل940NM @ تجويف 2mm في
LD باري بار ل940NM @ تجويف 3MM
LD باري بار ل940NM @ تجويف 4MM
LD باري بار ل940NM @ تجويف 2mm في
LD باري بار ل976nm @ تجويف 4MM