GaAs Epiwafer
يقوم Pam-Xiamen بتصنيع أنواع مختلفة من مواد أشباه الموصلات من نوع EPI II-V DILICON DOPED على أساس GA و AL و In و A و P التي يزرعها MBE أو MOCVD. نحن نوفر هياكل GAAS EPIWAFER مخصصة لتلبية مواصفات العملاء ، يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.
- Description
وصف
رقاقة GaAs Epi
بصفته مسبكًا رئيسيًا لـ Gaas Epi Wefer ، تقوم Pam-Xiamen بتصنيع أنواع مختلفة من مواد أشباه الموصلات من نوع Epiwafer II-V من نوع N-type المستندة إلى GA و AL و in و As و P التي يزرعها MBE أو MOCVD ، والتي تجعل من انخفاض ARSENIDE ARSENIDE api. نحن نوفر هياكل GAAS EPIWAFER مخصصة لتلبية مواصفات العملاء ، يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.
لدينا أعداد من Gen2000 من الولايات المتحدة ، Gen200 على نطاق واسع لخط إنتاج المعدات الفوقية ، مجموعة كاملة من XRD ؛ رسم الخرائط PL ؛ Surfacescan ، وغيرها من معدات التحليل والاختبار على مستوى عالمي. تمتلك الشركة أكثر من 12000 متر مربع من المصنع الداعم ، بما في ذلك أشباه الموصلات ذات الطبقات العالمية الفائقة والبحوث ذات الصلة وتطوير الجيل الأصغر سنا من مرافق المختبرات النظيفة.
مواصفات لجميع المنتجات الجديدة والمميزة لـ MBE III-V المركبة شبه الموصل الرقاقة:
| مادة الركيزة | القدرة المادية | طلب |
| الغاليوم | درجات حرارة منخفضة GaAs | THz |
| الغاليوم | GaAs/GaAlAs/GaAs/GaAs | شوتكي الصمام الثنائي |
| InP | InGaAs | كاشف رقم التعريف الشخصي |
| InP | InP/InP/InGaAsP/InP/InGaAs | الليزر |
| الغاليوم | GaAs/AlAs/GaAs | |
| InP | InP/InAsP/InGaAs/InAsP | |
| الغاليوم | GaAs/InGaAsN/AlGaAs | |
| /GaAs/AlGaAs | ||
| InP | InP/InGaAs/InP | أجهزة الكشف الضوئي |
| InP | InP/InGaAs/InP | |
| InP | InP / InGaAs | |
| الغاليوم | GaAs/InGaP/GaAs/AlInP | الخلايا الشمسية |
| /InGaP/AlInP/InGaP/AlInP | ||
| الغاليوم | GAAS/GINP/GAINAS/GAAS/Algaas/Galnp/Galnas | الخلايا الشمسية |
| /galnp/gaas/algaas/allnp/galnp/allnp/galnas | ||
| InP | InP / GaInP | |
| الغاليوم | GaAs / AlInP | |
| الغاليوم | GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs | 703 نانومتر ليزر |
| الغاليوم | GaAs/AlGaAs/GaAs | |
| الغاليوم | GaAs/AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs | HEMT |
| الغاليوم | GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs | mHEMT |
| الغاليوم | GaAs/dbr/algainp/mqw/algainp/gap | رقاقة LED، إضاءة الحالة الصلبة |
| الغاليوم | غاس/جالنب/ألجينب/جاينب | 635nm ، 660nm ، 808nm ، 780nm ، 785nm ، |
| /GaAsP/GaAs/GaAs الركيزة | 950 نانومتر، 1300 نانومتر، 1550 نانومتر ليزر | |
| GaSb | السبي/غاينسب/إيناس | كاشف IR ، دبوس ، استشعار ، cemera الأشعة تحت الحمراء |
| السيليكون | InP أو GaAs على السيليكون | معالجات IC/دقيقة عالية السرعة |
| InSb | مخدر البريليوم InSb | |
| / غير منشط InSb/Te منشط InSb/ |
يعد Arsenide Gallium حاليًا أحد أهم مواد أشباه الموصلات المركبة مع أعلى تقنية Wefer الناضجة. تحتوي مادة GaAs على خصائص عرض النطاق المحظور الكبير ، وتنقل الإلكترون العالي ، وفجوة النطاق المباشر ، والكفاءة العالية المضيئة. نظرًا لجميع هذه المزايا التي تحتوي على رقاقة EPI ، تعد Gaas Epitaxy حاليًا أهم المواد المستخدمة في مجال الإلكترونيات البصرية. وفي الوقت نفسه ، فهي أيضًا مادة إلكترونية دقيقة مهمة. وفقًا للفرق في الموصلية الكهربائية ، يمكن تقسيم مواد Wafer Wefer GaAs إلى GaAs (SI) GaAs و GaAs أشباه الموصلات (SC).
في مجال الرققات الفوقية ، تعد حصة سوق الويبر للرقص في تطبيقات الترددات اللاسلكية والليزر كبيرة جدًا.
لمزيد من مواصفات التفاصيل ، يرجى مراجعة ما يلي:
LT-Gaas طبقة EPI على الركيزة Gaas
LT GAAS فيلم رفيع لمكاكات ضوئية ومشمفات ضوئية
Gaas Schottky Diode رقاقة محورية
رقاقة InGaAs/InP epi لرقم التعريف الشخصي
ingaasn apitively على gaas أو رقائق INP
هيكل لقطات الصور الضوئية Ingaas
ALGAP/GAAS EPI الرقاقة للخلايا الشمسية
الخلايا الشمسية ثلاثية الوصلات
بنية الخلايا الشمسية نمت على شكل رقاقة INP
نمو Gaassb / Ingaas Type-II Superlattice
الجياس / غا دبوس الرقاقة الفوقية
1550 نانومتر بنية ثنائيات الكسب / INP دبوس ضوئي
الآن ندرج بعض المواصفات:
| Gaas Hemt Epiwafer ، الحجم: 2 ~ 6inch | ||
| بند | تحديد | ملاحظة |
| معلمة | التكوين/في التكوين/المقاومة ورقة | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| قاعة التنقل/تركيز 2DEG | ||
| تكنولوجيا القياس | حيود الأشعة السينية/تيار إيدي | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| قاعة عدم الاتصال | ||
| صمام نموذجي | يعتمد الهيكل | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| 5000 ~ 6500cm2/v · s/0.5 ~ 1.0x 1012cm-2 | ||
| التسامح القياسي | ±0.01/±3%/لا شيء | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| GaAs (مركب الزرنيخ) pHEMT epiwafer، الحجم: 2 ~ 6 بوصة | ||
| بند | تحديد | ملاحظة |
| معلمة | التكوين/في التكوين/المقاومة ورقة | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| قاعة التنقل/تركيز 2DEG | ||
| تكنولوجيا القياس | حيود الأشعة السينية/تيار إيدي | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| قاعة عدم الاتصال | ||
| صمام نموذجي | يعتمد الهيكل | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| 5000 ~ 6800cm2/V · S/2.0 ~ 3.4x 1012cm-2 | ||
| التسامح القياسي | ±0.01/±3%/لا شيء | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| ملاحظة: Gaas Phemt: مقارنةً بـ Gaas Hemt ، يشتمل GaAs Phemt أيضًا على inxga1-xas ، حيث يتم تقييد inxas على x <0.3 للأجهزة المستندة إلى GaAs. الهياكل التي تزرع بنفس ثابت الشبكة مثل HEMT ، ولكن يشار إلى فجوات النطاق المختلفة ببساطة باسم HEMTS المطابقة للشبكة. | ||
| Gaas mhemt epiwafer ، الحجم: 2 ~ 6inch | ||
| بند | تحديد | ملاحظة |
| معلمة | في التكوين/المقاومة ورقة | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| قاعة التنقل/تركيز 2DEG | ||
| تكنولوجيا القياس | حيود الأشعة السينية/تيار إيدي | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| قاعة عدم الاتصال | ||
| صمام نموذجي | يعتمد الهيكل | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| 8000 ~ 10000cm2/V · S/2.0 ~ 3.6x 1012cm-2 | ||
| التسامح القياسي | ± 3٪ / لا شيء | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
| inp hemt epiwafer ، الحجم: 2 ~ 4inch | ||
| بند | تحديد | ملاحظة |
| معلمة | في التكوين/المقاومة ورقة/قاعة التنقل | يرجى الاتصال بقسم التكنولوجيا لدينا |
الملاحظة: GaAs (Arsenide غاليوم) هو مادة أشباه الموصلات المركبة ، مزيج من عنصرين ، غاليوم (GA) والزرنيخ (AS). تتنوع استخدامات أرسينيد الغاليوم وتتضمن استخدامها في LED/LD ، وترانزستورات التأثير الميداني (FETS) ، والدوائر المتكاملة (ICS)
تطبيقات الجهاز
تبديل الترددات اللاسلكية,مضخمات الطاقة والضوضاء المنخفضة ،مستشعر القاعة,المغير البصري
اللاسلكي: الهاتف الخلوي أو المحطات الأساسية
رادار السيارات,مميك، رفيك،اتصالات الألياف الضوئية
Gaas Epi Wefer for LED/IR IR:
1. الوصف العام:
1.1 طريقة النمو: MOCVD
1.2 GAAS EPI WEAFER للشبكات اللاسلكية
1.3رقاقة GaAs epi لـ LED/IR وLD/PD
2.مواصفات رقاقة Epi:
2.1 حجم الرقاقة: قطر 2 بوصة
2.2 هيكل رقاقة Gaas EPI (من أعلى إلى أسفل):
P + GaAs
p-GaP
ف- AlGaInP
MQW-AlGaInP
ن- AlGaInP
DBR ن-ALGaAs / علاء
العازلة
الركيزة GaAs
3. cheip sepcification (قاعدة على 9mil*9mil رقائق)
3.1 المعلمة
حجم الشريحة 9 مل * 9 مل
سمك 190 ± 10um
قطر القطب 90um ± 5um
3.2 أحرف البصرية البصرية (IR = 20MA ، 22 ℃)
الطول الموجي 620 ~ 625 نانومتر
Forward voltage 1.9～2.2v
Reverse voltage ≥10v
Reverse current 0-1uA
3.3 Light intensity characters(Ir=20mA,22℃)
IV (MCD) 80-140
3.4 Epiwafer avelength
|
بند |
Unit |
Red |
Yellow |
Yellow/Green |
وصف |
|
Wave Length (λD) |
nm |
585,615,620 ~ 630 |
587 ~ 592 |
568 ~ 573 |
IF =20mA |
Growth Methods:MOCVD,MBE
epitaxy = growth of film with a crystallographic relationship between film and substrate homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = film and substrate are same material heteroepitaxy = film and substrate are different materials. For more information of growth methods, please click the following: https://www.powerwaywafer.com/technology.html
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
InGaAs Epitaxy Sensor / Detector:
Shortwave Infrared InGaAs Sensor
InGaAs/InAlAs Epistucture for Single Photon Detector
Epiwafer for Photonic Integrated Chip:
