الغاليوم (الغاليوم زرنيخيد) يفر

الغاليوم (الغاليوم زرنيخيد) يفر

As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • وصف

وصف المنتج

(مركب الزرنيخ) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)مركب الزرنيخرقائق للتطبيقات LED

بند المواصفات ملاحظات
نوع التوصيل SC / ن من نوع SC / ف نوع مع الزنك مخدر متاح
طريقة النمو VGF  
المقوي السيليكون الزنك متاح
رقاقة Diamter 2 و 3 و 4 بوصة سبيكة أو قطع availalbe
كريستال التوجيه (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° قبالة (110) misorientation الأخرى المتاحة
من EJ أو الولايات المتحدة  
الناقل تركيز (0.4 ~ 2.5) E18 / CM3  
المقاومة في RT (1.5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
تنقلية 1500 ~ 3000cm2 / V.sec  
حفر حفرة الكثافة <5000 / CM2  
بالليزر عند الطلب  
صقل الأسطح P / E أو P / P  
سماكة 220 ~ 450um  
تنضيد جاهز نعم  
حزمة حاوية رقاقة واحدة أو كاسيت

 

1.2 (GaAs)مركب الزرنيخرقائق للتطبيقات LD

بند المواصفات ملاحظات
نوع التوصيل SC / ن من نوع  
طريقة النمو VGF  
المقوي السيليكون  
رقاقة Diamter 2 و 3 و 4 بوصة سبيكة أو قطع متاح
كريستال التوجيه (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° قبالة (110) misorientation الأخرى المتاحة
من EJ أو الولايات المتحدة  
الناقل تركيز (0.4 ~ 2.5) E18 / CM3  
المقاومة في RT (1.5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
تنقلية 1500 ~ 3000 CM2 / V.sec  
حفر حفرة الكثافة <500 / CM2  
بالليزر عند الطلب  
صقل الأسطح P / E أو P / P  
سماكة 220 ~ 350um  
تنضيد جاهز نعم  
حزمة حاوية رقاقة واحدة أو كاسيت

 

1.3 (GaAs)مركب الزرنيخرقائق، وشبه عازلة للالدقيقة التطبيقات

بند المواصفات ملاحظات
نوع التوصيل العازلة  
طريقة النمو VGF  
المقوي Undoped  
رقاقة Diamter 2 و 3 و 4 بوصة  Ingot available
كريستال التوجيه (100)+/- 0.5°  
من EJ، US أو الشق  
الناقل تركيز ن / أ  
المقاومة في RT > 1E7 Ohm.cm  
تنقلية > 5000 CM2 / V.sec  
حفر حفرة الكثافة <8000 / CM2  
بالليزر عند الطلب  
صقل الأسطح P / P  
سماكة 350 ~ 675um  
تنضيد جاهز نعم  
حزمة حاوية رقاقة واحدة أو كاسيت

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)مركب الزرنيخرقائق، وشبه عازلة للالدقيقة التطبيقات

بند المواصفات ملاحظات
نوع التوصيل شبه العازلة  –
تنمو الطريقة VGF  –
المقوي Undoped  –
نوع N  –
Diamater (مم) 150 ± 0.25  –
اتجاه (100)0°±3.0°  –
NOTCH التوجيه 〔010〕±2°  –
NOTCH Deepth (مم) (1-1.25)mm   89°-95°  –
الناقل تركيز please consult our sales team  –
المقاومة (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3  –
التنقل (CM2 / مقابل) please consult our sales team  –
انخلاع please consult our sales team  –
سمك (ميكرون) 675 ± 25  –
استبعاد حافة القوس لوالاعوجاج (مم) please consult our sales team  –
القوس (ميكرون) please consult our sales team  –
السدى (ميكرون) ≤20.0  –
TTV (ميكرون) ≤10.0  –
TIR (ميكرون) ≤10.0  –
LFPD (ميكرون) please consult our sales team  –
تلميع P / P برنامج التحصين الموسع جاهز  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (المنخفض نمت درجة الحرارة جويسئة زرنيخيد) ويفر المواصفات

بند المواصفات
نوع التوصيل شبه العازلة
تنمو الطريقة VGF
المقوي Undoped
نوع N
Diamater (مم) 150 ± 0.25
اتجاه (100)0°±3.0°
NOTCH التوجيه 〔010〕±2°
NOTCH Deepth (مم) (1-1.25)mm   89°-95°
الناقل تركيز please consult our sales team
المقاومة (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
التنقل (CM2 / مقابل) please consult our sales team
انخلاع please consult our sales team
سمك (ميكرون) 675 ± 25
استبعاد حافة القوس لوالاعوجاج (مم) please consult our sales team
القوس (ميكرون) please consult our sales team
السدى (ميكرون) ≤20.0
TTV (ميكرون) ≤10.0
TIR (ميكرون) ≤10.0
LFPD (ميكرون) please consult our sales team
تلميع P / P برنامج التحصين الموسع جاهز
 
* ونحن يمكن أن توفر أيضا بولي الغاليوم الكريستال بار، 99.9999٪ (6N).

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

ربما يعجبك أيضا…