رقائق GaAs (زرنيخيد الغاليوم).
باعتبارها موردًا رائدًا لركائز GaAs، تقوم PAM-XIAMEN بتصنيع ركيزة رقاقة GaAs (زرنيخيد الغاليوم) الجاهزة للـ Epi بما في ذلك النوع n شبه الموصل، وشبه الموصل C المخدر والنوع p بدرجة أولية ودرجة وهمية. تعتمد مقاومة الركيزة GaAs على المنشطات، Si أو Zn مخدر هو (0.001 ~ 0.009) ohm.cm، C مخدر واحد هو > = 1E7 ohm.cm. ينبغي أن يكون اتجاه كريستال رقاقة GaAs (100) و(111). بالنسبة للتوجيه (100)، يمكن أن يكون 2 درجة/6 درجة/15 درجة. عادةً ما يكون EPD لرقاقة GaAs أقل من 5000/cm2 لـ LED أو <500/cm2 لـ LD أو الإلكترونيات الدقيقة.
- وصف
وصف
(زرنيخيد الغاليوم) رقاقة GaAs
تقوم شركة PAM-XIAMEN بتطوير وتصنيع ركائز أشباه الموصلات المركبة - كريستال زرنيخيد الغاليوم والرقاقة. لقد استخدمنا تقنية نمو البلورات المتقدمة، والتجميد المتدرج العمودي (VGF) وعملية تصنيع رقائق GaAs، وأنشأنا خط إنتاج بدءًا من نمو البلورات والقطع والطحن وحتى معالجة التلميع وقمنا ببناء غرفة نظيفة من فئة 100 لتنظيف وتعبئة رقائق GaAs. تتضمن رقائق GaAs لدينا سبيكة/رقائق بحجم 2 ~ 6 بوصة لتطبيقات LED وLD والالكترونيات الدقيقة. نحن ملتزمون دائمًا بتحسين جودة ركائز رقاقة GaAs حاليًا وتطوير ركائز كبيرة الحجم. حجم رقاقة GaAs المعروضة هو 2، 3، 4 بوصة و 6 بوصة، ويجب أن يكون سمكها 220-700 ميكرومتر. علاوة على ذلك، فإن سعر رقاقة GaAs منا تنافسي.
1. مواصفات رقاقة GaAs
1.1 (الكالسيوم)زرنيخيد الغاليومرقائق لتطبيقات LED
| بند | تحديد | ملاحظات |
| نوع التوصيل | SC / ن من نوع | متوفر من النوع SC/p مع مخدر الزنك |
| طريقة النمو | VGF | |
| المقوي | السيليكون | الزنك متاح |
| قطر الرقاقة | 2، 3، 4 بوصة | سبيكة أو قطع متاحة |
| التوجه الكريستالي | (100) 2 °/6°/15° إيقاف (110) | سوء التوجيه الأخرى المتاحة |
| من | EJ أو الولايات المتحدة | |
| تركيز الناقل | (0.4 ~ 2.5)E18/cm3 | |
| المقاومة عند RT | (1.5~9)E-3 أوم.سم | |
| تنقلية | 1500 ~ 3000 سم 2 / فولت ثانية | |
| حفر الحفر الكثافة | <5000 / CM2 | |
| وضع العلامات بالليزر | عند الطلب | |
| صقل الأسطح | P / E أو P / P | |
| سماكة | 220 ~ 450um | |
| الفوقية جاهزة | نعم | |
| حزمة | حاوية رقاقة واحدة أو كاسيت | |
1.2 (جاليا)زرنيخيد الغاليومرقائق لتطبيقات LD
| بند | تحديد | ملاحظات |
| نوع التوصيل | SC / ن من نوع | |
| طريقة النمو | VGF | |
| المقوي | السيليكون | |
| قطر الرقاقة | 2، 3، 4 بوصة | سبيكة أو قطع المتاحة |
| التوجه الكريستالي | (100) 2 °/6°/15° إيقاف (110) | سوء التوجيه الأخرى المتاحة |
| من | EJ أو الولايات المتحدة | |
| تركيز الناقل | (0.4 ~ 2.5)E18/cm3 | |
| المقاومة عند RT | (1.5~9)E-3 أوم.سم | |
| تنقلية | 1500 ~ 3000 سم 2 / فولت ثانية | |
| حفر الحفر الكثافة | <500 / CM2 | |
| وضع العلامات بالليزر | عند الطلب | |
| صقل الأسطح | P / E أو P / P | |
| سماكة | 220 ~ 350um | |
| الفوقية جاهزة | نعم | |
| حزمة | حاوية رقاقة واحدة أو كاسيت | |
1.3 (جاليا)زرنيخيد الغاليومرقائق، شبه عازلة لتطبيقات الإلكترونيات الدقيقة
| بند | تحديد | ملاحظات |
| نوع التوصيل | العازلة | |
| طريقة النمو | VGF | |
| المقوي | ج مخدر | |
| قطر الرقاقة | 2، 3، 4 بوصة | سبيكة متاحة |
| التوجه الكريستالي | (100)+/- 0.5 درجة | |
| من | EJ، الولايات المتحدة أو الشق | |
| تركيز الناقل | ن / أ | |
| المقاومة عند RT | > 1E7 أوم.سم | |
| تنقلية | >5000 سم2/فولت ثانية | |
| حفر الحفر الكثافة | <8000 / CM2 | |
| وضع العلامات بالليزر | عند الطلب | |
| صقل الأسطح | P / P | |
| سماكة | 350 ~ 675um | |
| الفوقية جاهزة | نعم | |
| حزمة | حاوية رقاقة واحدة أو كاسيت | |
1.4 6 بوصة (150 مم) (الغاليوم)زرنيخيد الغاليومرقائق، شبه عازلة لتطبيقات الإلكترونيات الدقيقة
| بند | تحديد | ملاحظات |
| نوع التوصيل | شبه عازلة | - |
| طريقة النمو | VGF | - |
| المقوي | ج مخدر | - |
| نوع | ن | - |
| القطر (مم) | 150 ± 0.25 | - |
| توجيه | (100)0°±3.0° | - |
| اتجاه الشق | 〔010〕±2° | - |
| عمق الشق (مم) | (1-1.25) ملم 89°-95° | - |
| تركيز الناقل | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا | - |
| المقاومة (أوم.سم) | >1.0×107 | - |
| التنقل (cm2/vs) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا | - |
| الخلع | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا | - |
| سمك (ميكرومتر) | 675 ± 25 | - |
| استبعاد الحافة للقوس والاعوجاج (مم) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا | - |
| القوس (ميكرون) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا | - |
| السدى (ميكرون) | .020.0 | - |
| TTV (ميكرون) | .010.0 | - |
| TIR (ميكرون) | .010.0 | - |
| LFPD (ميكرون) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا | - |
| تلميع | P/P برنامج التحصين الموسع جاهز | - |
1.5 2 بوصة (50.8 ملم) LT-GaAs (زرنيخيد الغاليوم المزروع بدرجة حرارة منخفضة) مواصفات الرقاقة
| بند | تحديد |
| نوع التوصيل | شبه عازلة |
| طريقة النمو | VGF |
| المقوي | Sub:C مخدر / Epi:Undoped |
| نوع | ن |
| القطر (مم) | 150 ± 0.25 |
| توجيه | (100)0°±3.0° |
| اتجاه الشق | 〔010〕±2° |
| عمق الشق (مم) | (1-1.25) ملم 89°-95° |
| تركيز الناقل | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا |
| المقاومة (أوم.سم) | >1.0×107 أو 0.8-9×10-3 |
| التنقل (cm2/vs) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا |
| الخلع | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا |
| سمك (ميكرومتر) | 675 ± 25 |
| استبعاد الحافة للقوس والاعوجاج (مم) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا |
| القوس (ميكرون) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا |
| السدى (ميكرون) | .020.0 |
| TTV (ميكرون) | .010.0 |
| TIR (ميكرون) | .010.0 |
| LFPD (ميكرون) | يرجى استشارة فريق المبيعات لدينا |
| تلميع | P/P برنامج التحصين الموسع جاهز |
2. سوق وتطبيقات رقائق GaAs
زرنيخيد الغاليوم هو مادة شبه موصلة مهمة. إنه ينتمي إلى المجموعة III-V من أشباه الموصلات المركبة وبنية الشبكة البلورية المصنوعة من الزنك، مع ثابت شبكي يبلغ 5.65×10-10m، ونقطة انصهار تبلغ 1237 درجة مئوية، وفجوة نطاق تبلغ 1.4 إلكترون فولت. يمكن تحويل زرنيخيد الغاليوم إلى مواد شبه عازلة عالية المقاومة، والتي يمكن استخدامها لصنع ركائز الدوائر المتكاملة، وكاشفات الأشعة تحت الحمراء، وكاشفات فوتون غاما، وما إلى ذلك. ونظرًا لأن حركية الإلكترون الخاصة به أكبر بـ 5 إلى 6 مرات من السيليكون، فإن ركيزة SI GaAs لديها تم استخدامه بشكل مهم في تصنيع أجهزة الميكروويف والدوائر الرقمية عالية السرعة. تتمتع أجهزة أشباه الموصلات المصنعة على زرنيخيد الغاليوم بمزايا التردد العالي، ودرجة الحرارة العالية، والأداء في درجات الحرارة المنخفضة، والضوضاء المنخفضة، والمقاومة القوية للإشعاع، مما يجعل سوق الركيزة GaAs يتوسع.
3. يمكن أن تتضمن شهادة اختبار رقاقة GaAs التحليل أدناه إذا لزم الأمر:
1/خشونة سطح زرنيخيد الجاليوم بما في ذلك الجانب الأمامي والخلفي (نانومتر).
2/تركيز المنشطات من زرنيخيد الغاليوم (سم -3)
3/EPD من زرنيخيد الغاليوم (سم-2)
4/حركة جاليوم أرسندي (V.sec)
5/تحليل حيود الأشعة السينية (المنحنيات المتأرجحة) لزرنيخيد الغاليوم: منحنى انعكاس الحيود نصف العرض
6 / تلألؤ ضوئي عند درجة حرارة منخفضة (أطياف الانبعاث في النطاق 0.7-1.0 ميكرومتر) من زرنيخيد الغاليوم: جزء من تلألؤ الإكسيتون الضوئي في طيف الانبعاث لنطاق الأشعة تحت الحمراء القريبة عند درجة حرارة 4K أو 5 K وكثافة إثارة بصرية قدرها 1 وات/سم2
7/معدل النقل أو معامل الامتصاص: للحظة، يمكننا قياس معامل الامتصاص لبلورة واحدة غير منصوبة GaAs عند 1064 نانومتر: <0.6423 سم-1، وهذا يتوافق مع حد أدنى للإرسال يبلغ 33.2% لفراغ بسمك 6.5 مم بالضبط عند 1064 نانومتر.
ملاحظة ：
أعلنت الحكومة الصينية عن قيود جديدة على تصدير مواد الغاليوم (مثل GaAs، وGaN، وGa2O3، وGaP، وInGaAs، وGaSb) ومواد الجرمانيوم المستخدمة في صنع رقائق أشباه الموصلات. اعتبارًا من 1 أغسطس 2023، لا يُسمح بتصدير هذه المواد إلا إذا حصلنا على ترخيص من وزارة التجارة الصينية. نأمل في تفهمكم وتعاونكم!
