الغاليوم ويفر

تعد رقاقة GaAs من أشباه الموصلات المركبة III-V المهمة، وهي بنية شبكية من السفاليريت مع ثابت شعرية يبلغ 5.65 × 10-10 م، ونقطة انصهار تبلغ 1237 درجة مئوية وفجوة نطاق تبلغ 1.4 إلكترون فولت. يمكن تصنيع رقاقة زرنيخيد الغاليوم إلى مواد شبه عازلة مع المقاومة أعلى من السيليكون والجرمانيوم بثلاثة أوامر من حيث الحجم، والتي يمكن استخدامها لتصنيع ركائز الدوائر المتكاملة، وكاشفات الأشعة تحت الحمراء، وكاشفات فوتون جاما، وما إلى ذلك. نظرًا لأن حركته الإلكترونية أكبر بـ 5-6 مرات من حركة السيليكون، فقد تم استخدامه على نطاق واسع في تصنيع أجهزة الميكروويف والدوائر الرقمية عالية السرعة. تتميز أجهزة أشباه الموصلات المصنوعة من GaAs بمزايا التردد العالي ودرجة الحرارة العالية والأداء الجيد في درجات الحرارة المنخفضة والضوضاء المنخفضة والمقاومة القوية للإشعاع. بالإضافة إلى ذلك، يمكن استخدامه أيضًا لتصنيع أجهزة النقل – أجهزة التأثير السائب.

(زرنيخيد الغاليوم) رقاقة GaAs و Epitaxy: رقاقة GaAs، نوع N، نوع P أو شبه عازلة، الحجم من 2″ إلى 6″؛ رقاقة GaAs epi لـ HEMT وpHEMT وmHEMT وHBT