GaN APD (Avalanche Photodiode) Epitaxy *S

GaN APD (Avalanche Photodiode) Epitaxy *S

في الحقول المتطورة مثل الاتصالات البصرية ، والكشف عن العذاب العميق ، والاستشعار الكمي ، يحدد أداء الظواهر الضوئية (APDS) بشكل مباشر حساسية الكشف وسرعة الاستجابة للأنظمة. ظهرت نيتريد غاليوم (GAN) ، مع فجوة النطاق العريضة (3.4 EV) ، وحقل كهربائي عالي الانهيار (3 mV/cm) ، ومقاومة الإشعاع ، كمواد أساسية لـ APDs عالية الأداء من الجيل التالي. يعد تصميم الهيكل الفوقي لـ GAN APDS أمرًا بالغ الأهمية لتحقيق ضوضاء منخفضة ومكاسب عالية واستجابة سريعة. PAM-Xiamen متخصص في نمو الجانبي الجانبي ، والامتصاص المنفصل والضرب (SAM) ، و Superlattice/heterojunction Composite Gan APD. أدناه ، نأخذ بنية SAM العمودية كمثال:

1. بنية غان APD الفائقة

طبقة الحالة الفوقية سماكة تركيز المنشطات
p-GaN - -
i-GaN - 2 × 1016سم−3
n-GaN - -
i-GaN - -
n-GaN 200 نانومتر -
العازلة
الركيزة: الياقوت ، SI أو SIC

 

2

يعد بنية Pinin خيارًا مثاليًا لبناء GAN APDs عالي الأداء ، مما يوفر المزايا التالية:

أولاً ، يعمل الطبقة I الوسيطة كمنطقة الضرب. يتيح تركيز المنشطات المنخفضة حقل كهربائي مرتفع ، مما يسهل تكاثر الانهيار الجليدي.

ثانياً ، تمنع طبقات N-type و P-type بشكل فعال توليد الحالي المظلم ، وقمع كثافة التيار المظلم وتحسين أداء الجهاز.

ثالثًا ، يحصرت الطبقة i توزيع المجال الكهربائي ، مما يعزز جهد الانهيار. يتيح ضبط سماكة الطبقة I وتركيز المنشطات تحكمًا دقيقًا في إعادة التركيب على شركة النقل ، مما يزيد من خصائص الجهاز.

3. تحقيق آثار الانهيار المستقرة في Gan APDS

تشير الأبحاث إلى أن تأثيرات الانهيار المستقرة تتطلب شرطين رئيسيين:

1) الطبقات الفوقية غان عالية الجودة

ستؤثر كثافة العيب للطبقة الفوقية GAN على النقل والكفاءة المؤينة التصادمية لحاملات الشحن. لذلك ، باستخدام الركيزة GAN للنمو الفوقي المتجانس ، يمكن تقليل كثافة العيوب بشكل فعال ، ويمكن تحسين توحيد وجودة المادة. بالإضافة إلى ذلك ، فإن الطبقات الفوقية GAN عالية الجودة لها تنقل أعلى الناقل ، مما يعني أن الناقلات يمكن أن تصل إلى منطقة الانهيار بشكل أسرع وتؤثر على آثار الانهيار.

2) تقنيات إنهاء الحافة المحسنة

من ناحية ، تكون منطقة الحافة في Gan APD عرضة لقمم المجال الكهربائي المحلي ، والتي يمكن أن تسبب تأين تصادم سابق لأوانه لناقلات الشحن وتؤثر على آثار الانهيار غير المستقرة. باستخدام تقنيات مثل زرع أيون ، لوحة الحقل أو حفر الجدول لإنهاء الحافة ، يمكن تقليل قمم المجال الكهربائي المحلي بشكل فعال أو إزالته ، مما يؤدي إلى تحسين استقرار آثار الانهيار. من ناحية أخرى ، سيؤثر تسرب التيار المظلم على الحساسية ونسبة الإشارة إلى الضوضاء في GAN APD. من خلال تحسين بنية إنهاء الحافة ، يمكن تقليل تسرب التيار المظلم بشكل فعال ويمكن تحسين أداء الجهاز.

من خلال زراعة الطبقات الفوقية عالية الجودة وتقنيات إنهاء الحافة ، يمكن تحقيق تأثيرات الانهيار الثابتة بشكل فعال ، وبالتالي تحسين أداء GAN APD للتطبيقات في بيئات عالية وبيئات قاسية.

سواء كنت بحاجة إلى Gan Epitaxy للبحث أو للتطبيقات الصناعية ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على[email protected] و [email protected].


تمت إضافته إلى عربة التسوق الخاصة بك.
الخروج