رقاقة فوق المحورية LED على أساس GaN
الجاليوم PAM-شيامن (نيتريد الغاليوم) ومقرها الصمام رقاقة الفوقي هو لارتفاع سطوع الثنائيات جدا الزرقاء والخضراء التي ينبعث منها ضوء (LED) والثنائيات الليزر (LD) التطبيق.
- وصف
وصف المنتج
The LED epitaxial wafer is a substrate heated to an appropriate temperature. The LED wafer material is the cornerstone of the technology development for the semiconductor lighting industry. Different substrate materials require different LED epitaxial wafer growth technology, chip processing technology and device packaging technology. The substrate for LED epi wafer determines the development route of semiconductor lighting technology. To achieve luminous efficiency, epitaxial wafer suppliers pay more attention to GaN based LED epitaxial wafer, since the epitaxial wafer price is in low cost, and the epi wafer defect density is small. LED epi wafer advantage on GaN substrate is the realization of high efficiency, large area, single lamp and high power, which make the process technology simplify and improve the large yield rate. The development prospects of the LED epi wafer market are optimistic.
1. LED Wafer List
|
LED Epitaxial Wafer |
||||||||
| بند | Size | Orientation | Emission | Wavelength | Thickness | المادة المتفاعلة | Surface | Usable area |
| PAM-50-LED-BLUE-F | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-BLUE-PSS | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-F | 100mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-PSS | 100mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-150-LED-BLUE | 150mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 100mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-150-LED-BLUE-SIL | 150mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-200-LED-BLUE-SIL | 200mm | 0°±0.5° | blue light | 445-475nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-GREEN-F | 50mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-GREEN-PSS | 50mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | 425um+/-25um | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-GREEN-F | 100mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-GREEN-PSS | 100mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-150-LED-GREEN | 150mm | 0°±0.5° | green light | 510-530nm | / | Sapphire | P/L | >90% |
| PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100mm | 15°±0.5° | red light | 610-630nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15°±0.5° | red light | 660nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 850nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15°±0.5° | IR | 940nm | / | GaAs | P/L | >90% |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 365 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVA | 405 nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0°±0.5° | UVC | 275nm | 425um+/-25um | Sapphire | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0°±0.5° | UV | 405nm | / | Silicon | P/L | >90% |
| PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50mm | 0°±0.5° | blue light | 450nm | / | Silicon | P/L | >90% |
As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
2. InGaN/الجاليوم(نيتريد الغاليوم) رقاقة LED فوق المحورية
GaN على Al2O3-2 "مواصفات رقاقة epi (رقاقة LED Epitaxial)
| أبيض ： 445 ～ 460 نانومتر |
| الأزرق ： 465 ～ 475 نانومتر |
| أخضر ： 510 ～ 530 نانومتر |
1. تقنية النمو - MOCVD
2-قطر الرقاقة: 50.8 مللي متر
3-مادة الركيزة الرقيقة: الركيزة الياقوتية المنقوشة (Al2O3) أو الياقوت المسطح
4. حجم نمط الرقاقة: 3X2X1.5μm
3. Wafer structure:
| طبقات الهيكل | سمك (ميكرون) |
| p-GaN | 0.2 |
| ف- AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaN (منطقة نشطة) | 0.2 |
| n-GaN | 2.5 |
| ش- GaN | 3.5 |
| Al2O3 (ركيزة) | 430 |
4. Wafer parameters to make chips:
| em | اللون | حجم الرقاقة | الخصائص | مظهر | |
| PAM1023A01 | أزرق | 10 مل × 23 مل |  |
إضاءة | |
| Vf = 2.8 ~ 3.4 فولت | اضاءه خلفيه ال سى دى | ||||
| بو = 18 ~ 25 ميجاوات | الأجهزة المحمولة | ||||
| Wd = 450 ~ 460 نانومتر | مستهلك الكتروني | ||||
| بام 454501 | أزرق | 45 مل × 45 مل | Vf = 2.8 ~ 3.4 فولت |  |
الإضاءة العامة |
| بو = 250 ~ 300 ميجاوات | اضاءه خلفيه ال سى دى | ||||
| Wd = 450 ~ 460 نانومتر | شاشة خارجية |
5. Application of LED epitaixal wafer:
*If you need to know more detail information of Blue LED Epitaxial Wafer, please contact with our sales departments
إضاءة
اضاءه خلفيه ال سى دى
الأجهزة المحمولة
مستهلك الكتروني
6. Specification of LED Epi Wafer as an example:
المواصفات PAM190730-LED
- الحجم: 4 انش
- WD: 455 ± 10 نانومتر
- السطوع:> 90mcd
- VF: <3.3 فولت
- سمك n-GaN: <4.1㎛
- سمك u-GaN: <2.2
- الركيزة: ركيزة منقوشة من الياقوت (PSS)
7.GaAs(Gallium arsenide)based LED Wafer Material:
فيما يتعلق برقاقة GaAs LED ، يتم زراعتها بواسطة MOCVD ، انظر أدناه الطول الموجي لرقاقة GaAs LED:
الأحمر: 585 نانومتر ، 615 نانومتر ، 620 ～ 630 نانومتر
الأصفر: 587 ~ 592 نانومتر
أصفر / أخضر: 568 ~ 573 نانومتر
8. Definition of LED Epitaxial Wafer:
ما نقدمه هو رقاقة LED العارية أو رقاقة غير معالجة بدون عمليات الطباعة الحجرية ، واتصالات n والمعادن ، إلخ. ويمكنك تصنيع شريحة LED باستخدام معدات التصنيع الخاصة بك لاستخدامات مختلفة مثل أبحاث الإلكترونيات الضوئية النانوية.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
للحصول على تفاصيل مواصفات رقاقة GaAs LED ، يرجى زيارة:رقاقة أيبي GaAs لمصباح LED
للحصول على مواصفات رقاقة LED UV ، يرجى زيارة:UV LED Epi Wafer
للحصول على رقاقة LED بمواصفات السيليكون ، يرجى زيارة:رقاقة LED على السيليكون
للحصول على مواصفات Blue GaN LD Wafer ، يرجى زيارة: ويفر الغاليوم الأزرق
For Violet GaN LD Wafer, please visit: 405nm GaN Laser Diode Wafer
الجاليوم LED برنامج التحصين الموسع على الياقوت
850nm و 940 nm رقاقة LED بالأشعة تحت الحمراء
850-880nm and 890-910nm Red Infrared AlGaAs /GaAs LED Epi-Wafer
GaN Wafers to Fabricate LED Devices
GaN LED Structure Epitaxy on Flat or PSS Sapphire Substrate
GaN Epitaxial Growth on Sapphire for LED
Formation of V-Shaped Pits in Nitride Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Si-based GaN PIN Photodetector Structure
For more foundry services, please visit: GaN Foundry Services for LED Fabrication
ربما يعجبك أيضا…
-
الجاليوم HEMT الفوقي ويفر
Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are the next generation of RF power transistor technology. Thanks to GaN technology, PAM-XIAMEN now offer AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire or Silicon, and AlGaN/GaN on sapphire template.
-
INSB رقاقة
PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InSb wafer – Indium antimonide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). Indium antimonide doped with isoelectronic(such as N doping) can reduce the defect density during the indium antimonide thin films manufacturing process.
-
طليق الركيزة الجاليوم
أنشأت PAM-شيامن التكنولوجيا لتصنيع قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) الجاليوم الركيزة ويفر، التي هي لUHB-LED وLD. نما بنسبة تكنولوجيا هيدريد مرحلة البخار تنضيد (HVPE)، لدينا الركيزة الجاليوم ديها منخفض الكثافة عيب.
-
قوالب الجاليوم
تتكون المنتجات قالب PAM-شيامن للطبقات البلورية (نيتريد الغاليوم) قوالب الجاليوم، (الألومنيوم نيتريد) قالب ن.، (الألومنيوم نيتريد الغاليوم) قوالب ألجان و(الإنديوم نيتريد الغاليوم) قوالب InGaN، التي تترسب على الياقوت -
شركة جنرال الكتريك (الجرمانيوم) بلورات واحدة ويفر
تقدم شركة PAM-XIAMEN رقائق الجرمانيوم مقاس 2 و3 و4 بوصات و6 بوصات، وهي اختصار لرقائق Ge التي تنمو بواسطة VGF / LEC. يمكن أيضًا استخدام رقاقة الجرمانيوم من النوع P وN المخدرة بشكل خفيف في تجربة تأثير هول. في درجة حرارة الغرفة، يكون الجرمانيوم البلوري هشًا وله القليل من اللدونة. الجرمانيوم له خصائص أشباه الموصلات. يتم تطعيم الجرمانيوم عالي النقاء بعناصر ثلاثية التكافؤ (مثل الإنديوم والجاليوم والبورون) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع P؛ ويتم تخدير العناصر الخماسية التكافؤ (مثل الأنتيمون والزرنيخ والفوسفور) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع N. يتمتع الجرمانيوم بخصائص جيدة لأشباه الموصلات، مثل حركة الإلكترون العالية وحركة الفتحات العالية. -
تشيكوسلوفاكيا أحادي البلورية السيليكون
PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.
-
الغاليوم Epiwafer
PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.
-
كربيد يفر الركيزة
The company has a complete SiC(silicon carbide) wafer substrate production line integrating crystal growth, crystal processing, wafer processing, polishing, cleaning and testing. Nowadays we supply commercial 4H and 6H SiC wafers with semi insulation and conductivity in on-axis or off-axis, available size:5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” and 8″, breaking through key technologies such as defect suppression, seed crystal processing and rapid growth, promoting basic research and development related to silicon carbide epitaxy, devices, etc.
