LED الفوقي رقاقة الجاليوم مقرها

رقاقة فوق المحورية LED على أساس GaN

الجاليوم PAM-شيامن (نيتريد الغاليوم) ومقرها الصمام رقاقة الفوقي هو لارتفاع سطوع الثنائيات جدا الزرقاء والخضراء التي ينبعث منها ضوء (LED) والثنائيات الليزر (LD) التطبيق.

  • وصف

وصف المنتج

The LED epitaxial wafer is a substrate heated to an appropriate temperature. The LED wafer material is the cornerstone of the technology development for the semiconductor lighting industry. Different substrate materials require different LED epitaxial wafer growth technology, chip processing technology and device packaging technology. The substrate for LED epi wafer determines the development route of semiconductor lighting technology. To achieve luminous efficiency, epitaxial wafer suppliers pay more attention to GaN based LED epitaxial wafer, since the epitaxial wafer price is in low cost, and the epi wafer defect density is small. LED epi wafer advantage on GaN substrate is the realization of high efficiency, large area, single lamp and high power, which make the process technology simplify and improve the large yield rate. The development prospects of the LED epi wafer market are optimistic.

1. LED Wafer List

LED Epitaxial Wafer

بند حجم اتجاه Emission Wavelength Thickness   Substrate سطح Usable area
 PAM-50-LED-BLUE-F 50mm 0°±0.5° blue light 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-50-LED-BLUE-PSS 50mm 0°±0.5° blue light 445-475nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-F 100mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-PSS 100mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-150-LED-BLUE 150mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-SIL 50mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-100-LED-BLUE-SIL 100mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-150-LED-BLUE-SIL 150mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-200-LED-BLUE-SIL 200mm 0°±0.5° blue light 445-475nm / Silicon P/L >90%
 PAM-50-LED-GREEN-F 50mm 0°±0.5° green light 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-50-LED-GREEN-PSS 50mm 0°±0.5° green light 510-530nm 425um+/-25um Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-GREEN-F 100mm 0°±0.5° green light 510-530nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-GREEN-PSS 100mm 0°±0.5° green light 510-530nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-150-LED-GREEN 150mm 0°±0.5° green light 510-530nm / Sapphire P/L >90%
 PAM-100-LED-RED-GAAS 100mm 15°±0.5° red light 610-630nm / الغاليوم P/L >90%
 PAM-100-LED-RED-GAAS 100mm 15°±0.5° red light 850nm / الغاليوم P/L >90%
 PAM-50-LED-UV-365-PSS 50mm 0°±0.5° UVA 365 nm 425um+/-25um Sapphire
 PAM-50-LED-UV-405-PSS 50mm 0°±0.5° UVA 405 nm 425um+/-25um Sapphire
 PAM-50-LED-UVC-275-PSS 50mm 0°±0.5° UVC 275nm 425um+/-25um Sapphire
 PAM-50-LD-BLUE-405-SIL 50mm 0°±0.5° blue light 405nm / Silicon P/L >90%
 PAM-50-LD-BLUE-450-SIL 50mm 0°±0.5° blue light 450nm / Silicon P/L >90%


2. InGaN/
الجاليوم(نيتريد الغاليوم) رقاقة LED فوق المحورية

As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

GaN على Al2O3-2 "مواصفات رقاقة epi (رقاقة LED Epitaxial)

أبيض : 445 ~ 460 نانومتر
الأزرق : 465 ~ 475 نانومتر
أخضر : 510 ~ 530 نانومتر

1. تقنية النمو - MOCVD
2-قطر الرقاقة: 50.8 مللي متر
3-مادة الركيزة الرقيقة: الركيزة الياقوتية المنقوشة (Al2O3) أو الياقوت المسطح
4. حجم نمط الرقاقة: 3X2X1.5μm

3. Wafer structure:

طبقات الهيكل سمك (ميكرون)
p-GaN 0.2
ف- AlGaN 0.03
InGaN / GaN (منطقة نشطة) 0.2
n-GaN 2.5
ش- GaN 3.5
Al2O3 (ركيزة) 430

 

4. Wafer parameters to make chips:

em اللون حجم الرقاقة الخصائص مظهر
PAM1023A01 أزرق 10 مل × 23 مل إضاءة
Vf = 2.8 ~ 3.4 فولت اضاءه خلفيه ال سى دى
بو = 18 ~ 25 ميجاوات الأجهزة المحمولة
Wd = 450 ~ 460 نانومتر مستهلك الكتروني
بام 454501 أزرق 45 مل × 45 مل Vf = 2.8 ~ 3.4 فولت الإضاءة العامة
بو = 250 ~ 300 ميجاوات اضاءه خلفيه ال سى دى
Wd = 450 ~ 460 نانومتر شاشة خارجية

 

5. Application of LED epitaixal wafer: 

*If you need to know more detail information of Blue LED Epitaxial Wafer, please contact with our sales departments

إضاءة
اضاءه خلفيه ال سى دى
الأجهزة المحمولة
مستهلك الكتروني

6. Specification of LED Epi Wafer as an example:

المواصفات PAM190730-LED
- الحجم: 4 انش
- WD: 455 ± 10 نانومتر
- السطوع:> 90mcd
- VF: <3.3 فولت
- سمك n-GaN: <4.1㎛
- سمك u-GaN: <2.2
- الركيزة: ركيزة منقوشة من الياقوت (PSS)

7.GaAs(Gallium arsenide)based LED Wafer Material:

فيما يتعلق برقاقة GaAs LED ، يتم زراعتها بواسطة MOCVD ، انظر أدناه الطول الموجي لرقاقة GaAs LED:
الأحمر: 585 نانومتر ، 615 نانومتر ، 620 ~ 630 نانومتر
الأصفر: 587 ~ 592 نانومتر
أصفر / أخضر: 568 ~ 573 نانومتر

8. Definition of LED Epitaxial Wafer:

ما نقدمه هو رقاقة LED العارية أو رقاقة غير معالجة بدون عمليات الطباعة الحجرية ، واتصالات n والمعادن ، إلخ. ويمكنك تصنيع شريحة LED باستخدام معدات التصنيع الخاصة بك لاستخدامات مختلفة مثل أبحاث الإلكترونيات الضوئية النانوية.

 

للحصول على تفاصيل مواصفات رقاقة GaAs LED ، يرجى زيارة:رقاقة أيبي GaAs لمصباح LED

للحصول على مواصفات رقاقة LED UV ، يرجى زيارة:UV LED Epi Wafer  

للحصول على رقاقة LED بمواصفات السيليكون ، يرجى زيارة:رقاقة LED على السيليكون

للحصول على مواصفات Blue GaN LD Wafer ، يرجى زيارة: ويفر الغاليوم الأزرق

الجاليوم LED برنامج التحصين الموسع على الياقوت

850nm و 940 nm رقاقة LED بالأشعة تحت الحمراء

850-880nm and 890-910nm Red Infrared AlGaAs /GaAs LED Epi-Wafer

630nm GaAs LED Wafer

ربما يعجبك أيضا…