الجاليوم HEMT الفوقي ويفر

GaN HEMT رقاقة الفوقي

Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are the next generation of RF power transistor technology. Thanks to GaN technology, PAM-XIAMEN now offer AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire or Silicon, and AlGaN/GaN on sapphire template.

  • وصف

وصف المنتج

GaN HEMT epitaxial wafer is a multilayer film grown epitaxially on a substrate, which usually includes a nucleation layer, a transition layer, a buffer layer, a channel layer, a barrier layer, a cap layer, and a passivation layer from bottom to top. The nucleation layer, like AlGaN or AlN, is used to prevent the substrate material from diffusing into the GaN epitaxial layer. The transition layer may contain hierarchical AlGaN, AlN/GaN superlattice or multilayer AlN to balance the stress between the GaN and the substrate. The higher the Al content in the barrier layer of AlGaN, the higher the 2DEG concentration at the heterojunction. Meanwhile, the lower the threshold voltage of the device, and the higher the current capacity. As the Al ratio increasing, the degree of heterogeneous crystal lattice mismatch will be higher, resulting in a decrease in gallium nitride HEMT electron mobility and a decrease in current capacity.

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed based on GaN with unique heterostructure and two-dimensional electron gas. The GaN HEMT advantages include high breakdown strength, low on-resistance and faster The switching speed, which is very suitable for medium and low voltage and medium and small power systems, such as travel adapters, wireless chargers, AC-DC converters, smart home appliances, etc. The epitaxial wafer with HEMT structure is more attractive currently for high-frequency converters, in which GaN HEMT breakdown voltage is 600~650 V. With the rapid development of gallium nitride HEMT epi technology, the price of GaN HEMT devices will be competitive, which can gain large GaN HEMT market for GaN HEMT manufacturers. Moreover, due to the gallium nitride HEMT reliability, it can be widely used in industrial fields, such as photovoltaic inverters, energy storage systems, and electric vehicles.

1. GaN HEMT Material: Available size:2”,4”,6”,8”:

More specific parameters of gallium nitride HEMT wafer for D-mode GaN HEMTs, E-mode GaN HEMTs, GaN HEMT power amplifier and RF, please refer to:

الجاليوم على Si للسلطة ، وضع D

الجاليوم على Si للسلطة ، الوضع E

الجاليوم على Si ل RF

الجاليوم على الياقوت للطاقة

الجاليوم على الياقوت لRF

الجاليوم على كربيد لRF

الجاليوم على الجاليوم

2. Now we show you an example as follows:

2.1  2 ″ (50.8 مم) GaN HEMT Epitaxial Wafers

We offer 2″(50.8mm) gallium nitride HEMT Wafers, the GaN HEMT structure is as follows:

الهيكل (من الأعلى إلى الأسفل):

* غطاء الجاليوم غير المغطى (2 ~ 3nm)

AlxGa1-xN (18 ~ 40 نانومتر)

AlN (طبقة عازلة)

GaN غير مخدر (2 ~ 3um)

الركيزة الياقوت

* يمكننا استخدام Si3N لاستبدال GaN في الأعلى ، التصاق قوي ، مغلف بالخرخ أو PECVD.

2.2 AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire/GaN

الطبقة رقم تركيب سماكة X المقوي تركيز الناقل
5 الجاليوم 2 نانومتر
4 AlxGa1 – xN 8 نانومتر 0.26
3 AlN 1 نانومتر غير مخدر
2 الجاليوم n1000 نانومتر غير مخدر
1 طبقة عازلة / انتقال
المادة المتفاعلة السيليكون 350µm / 625µm

2.3  2″(50.8mm),4″ (100mm)AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on Si

2.3.1 Specifications for Aluminium Gallium Nitride (AlGaN) / Gallium Nitride (الجاليوم) ترانزستور التنقل الإلكتروني العالي (HEMT) على الركيزة السليكونية.

المتطلبات مواصفات
AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer على Si  
هيكل AlGaN / GaN HEMT راجع 1.2
الركيزة المواد السيليكون
اتجاه <111>
طريقة النمو منطقة عائمة
نوع التوصيل ص أو ن
الحجم (بوصة) 2 "، 4"
سمك (ميكرون) 625
المؤخر الخام
المقاومة (Ω-cm) >6000
القوس (ميكرون) ≤ ± 35

2.3.2 Epi structure: Crack-free Epilayers

الطبقة رقم تركيب سماكة X المقوي تركيز الناقل
5 الجاليوم 2 نانومتر
4 AlxGa1 – xN 8 نانومتر 0.26
3 AlN 1 نانومتر غير مخدر
2 الجاليوم n1000 نانومتر غير مخدر
1 طبقة عازلة / انتقال
المادة المتفاعلة السيليكون 350µm / 625µm

2.3.3 Electrical Properties of the AlGaN/GaN HEMT structure

2DEG Mobility (at 300 K): 8001،800 cm2 / Vs

2DEG كثافة حامل صفائح (عند 300 كلفن): .90.9 × 1013 سم -2

خشونة RMS (AFM): ≤ 0.5 نانومتر (5.0 µm × 5.0 Aream منطقة المسح)

2.4  2″(50.8mm)AlGaN/GaN on sapphire

لمواصفات AlGaN / GaN على قالب الياقوت ، يرجى الاتصال بقسم المبيعات لدينا: [email protected]

GaN HEMT Applications: Used in blue laser diodes, ultraviolet LEDs (down to 250 nm), and AlGaN/GaN HEMTs device.

3. Explanation of AlGaN/Al/GaN HEMTs:

يتم تطوير Nitride HEMTs بشكل مكثف للإلكترونيات عالية الطاقة في تطبيقات التضخيم عالي التردد وتبديل الطاقة. غالبًا ما يتم فقد الأداء العالي في تشغيل التيار المستمر عند تبديل HEMT - على سبيل المثال ، ينهار التيار عند نبض إشارة البوابة. يُعتقد أن هذه التأثيرات مرتبطة بحبس الشحن الذي يخفي تأثير البوابة على التدفق الحالي. تم استخدام لوحات المجال على أقطاب المصدر والبوابة لمعالجة المجال الكهربائي في الجهاز ، مما يخفف من مثل هذه الظواهر الانهيار الحالي.

4. GaN EpitaxialTechnology — Customized GaN epitaxy on SiC,Si and Sapphire substrate for HEMTs, LEDs:

GAN HEMT الفوقي رقائق (GAN EPI-رقائق)

PAM XIAMEN Offers Epitaxial growth of AlGaN/GaN based HEMT on Si wafers

5. GaN Device:

الجاليوم SBD

الجاليوم HEMT

6. Test Characterization Equipment:

مقاومة ورقة تماس

رسم خرائط سمك طبقة رقيقة ليزر

درجة حرارة عالية / رطوبة عالية عكس الانحياز

صدمة حرارية

DIC Nomarski مجهر

مجهر القوة الذرية (AFM)

مسح عيب السطح

ارتفاع درجة الحرارة عكس التحيز

4PP مقاومة الورقة

التنقل قاعة تلامس

دورة درجة الحرارة

حيود الأشعة السينية (XRD) / الانعكاس (XRR)

سمك جهاز القطع

مقياس البروفيل

اختبار السيرة الذاتية

7. Foundry Fabrication:

we also offer foundry GaN HEMT fabrication in the following process as follows:

MOCVD Epitaxy

الاخرق المعدني / الشعاع الإلكتروني

حفر جاف / رطب / عازل كهربائي

الأغشية الرقيقة PECVD / LPCVD / الاخرق

هيئة الطرق والمواصلات / فرن الصلب

الليثوغرافيا الضوئية (0.35um min. CD)

زرع الأيونات

الجاليوم / كربيد HEMT برنامج التحصين الموسع-رقائق

Aluminium gallium arsenide epi wafer

650V GaN FETs Chip for Fast Charge

ربما يعجبك أيضا…