شركة جنرال الكتريك (الجرمانيوم) بلورات واحدة ويفر

شركة جنرال الكتريك (الجرمانيوم) بلورات واحدة ويفر

تقدم PAM-XIAMEN بسكويت ويفر جرمانيوم 2 "و 3" و 4 "و 6" ، وهو اختصار لرقائق Ge التي تنتجها VGF / LEC. يمكن أيضًا استخدام رقاقة الجرمانيوم من النوع P و N المخدر قليلاً لتجربة تأثير القاعة. في درجة حرارة الغرفة ، يكون الجرمانيوم البلوري هشًا وقليلًا من اللدونة. الجرمانيوم له خصائص أشباه الموصلات. الجرمانيوم عالي النقاء مخدر بعناصر ثلاثية التكافؤ (مثل الإنديوم ، الغاليوم ، البورون) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع P ؛ والعناصر الخماسية التكافؤ (مثل الأنتيمون والزرنيخ والفوسفور) مخدر للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع N. يتميز الجرمانيوم بخصائص أشباه موصلات جيدة ، مثل قابلية تنقل الإلكترون العالية وحركة ثقوب عالية.
  • وصف

وصف المنتج

Single Crystal Germanium Wafer

PAM-XIAMEN offers 2”, 3”, 4” and 6” germanium wafer, which is short for Ge wafer grown by VGF / LEC. Lightly doped N and P type Germanium wafer can be also used for Hall effect experiment. At room temperature, crystalline germanium is brittle and has little plasticity. Germanium has semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (such as indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors; and pentavalent elements (such as antimony, arsenic, and phosphorus) are doped to obtain N-type germanium semiconductors. Germanium has good semiconductor properties, such as high electron mobility and high hole mobility.

1. Properties of Germanium Wafer

1.1 General Properties of Germanium Wafer

هيكل عام ملكيات Cubic, a = 5.6754 Å
الكثافة: 5.765 غ / CM3
Melting   Point: 937.4 oC
الموصلية الحرارية: 640
تقنية النمو وضوح الشمس Czochralski
المنشطات متاح Undoped بينالي الشارقة المنشطات المنشطات في أو الجا
موصل نوع / N P
المقاومة، ohm.cm >35 <0.05 ،05-،1
EPD < 5×103/cm2 < 5×103/cm2 < 5×103/cm2
< 5×102/cm2 < 5×102/cm2 < 5×102/cm2

 

1.2 Grades and Application of Germanium wafer

الصف الالكتروني تستخدم لالثنائيات والترانزستورات،
درجة الأشعة تحت الحمراء أو opitical تستخدم لIR نافذة الضوئية أو الأقراص، مكونات opitical
الصف خلية Used for substrates of solar cell

 

1.3 Standard Specs of Germanium Crystal and wafer

كريستال التوجيه <111>,<100> and <110> ± 0.5o or custom orientation
ابول وضوح الشمس كما نمت 1 "~ 6" قطر × 200 ملم طول
فارغة قياسي كما قطع 1 "س 0.5mm و 2 "x0.6mm 4 "x0.7mm 5 "و 6" x0.8mm
رقاقة ملمع القياسية (واحد / اثنين من الجانبين مصقول) 1 "س 0.30 ملم 2 "x0.5mm 4 "x0.5mm  5″&6″x0.6mm
  • Special size and orientation are available upon requested Wafers

2. Specification of Germanium Wafer

2.1 Specification of Germanium Wafer of 2”,3”,4”and 6”size

بند المواصفات ملاحظات
طريقة النمو VGF
نوع التوصيل ن نوع، نوع ص، undoped  
المقوي الغاليوم أو الأنتيمون
رقاقة Diamter 2، 3،4 و 6 بوصة
كريستال التوجيه (100)، (111)، (110)
سماكة 200 ~ 550 أم
من EJ أو الولايات المتحدة
الناقل تركيز طلب على العملاء  
المقاومة في RT (0.001 ~ 80) Ohm.cm
حفر حفرة الكثافة <5000 / CM2
بالليزر عند الطلب
صقل الأسطح P / E أو P / P
برنامج التحصين الموسع جاهز نعم
حزمة حاوية رقاقة واحدة أو كاسيت

 

2.2 Germanium Wafer for Solar Cell

4 بوصة قه رقاقة مواصفات للخلايا الشمسية  —
منشطات P  —
المواد المنشطة جنرال الكتريك-GA  —
قطر 100 ± 0.25 ملم  —
اتجاه (100) 9 ° قبالة نحو <111> +/- 0.5
التوجه خارج زاوية الميل N / A  —
التوجيه شقة الأساسي N / A  —
طول شقة الأساسي 32 ± 1 مم
التوجيه شقة الثانوي N / A  —
الثانوي طول شقة N / A مم
سم مكعب (0،26-2،24) E18 / سم مكعب
المقاومية (0،74-2،81) E-2 ohm.cm
الإلكترون التنقل 382-865 CM2 / مقابل
EPD <300 / CM2
الأقسام الليزر N / A  —
سماكة 175 ± 10 ميكرون
TTV <15 ميكرون
TIR N / A ميكرون
ينحني <10 ميكرون
اعوجاج <10 ميكرون
الوجه الأمامي مصقول  —
الوجه الخلفي أرض  —

 

2.3 Ge Wafer (as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter)

PAM180212-GE

بند DSP Ge Wafer
Dia 4”
سماكة 1.50mm +/- 0.10mm
اتجاه N / A
Conductivity N / A
المقاومية N / A
Surface Process Double-side polished; minimum 90mm dia. central clear aperture
Other Parameters 60-40 scratch-dig or better
Less than 2 arc minutes parallelism
Surfaces optically flat to within 1 fringe irregular per any 25mm dia. in the clear aperture

 

2.4 Germanium Used as Thin FIR Window (PAM211121-GE)

4″ Germanium wafer with low plasma frequency, undoped ,175µm+/-25um. (100), single side polished.

3. Germanium Wafer Process

With the advancement of science and technology, the processing technique of germanium wafer manufacturers is more and more mature. In the production of germanium wafers, germanium dioxide from the residue processing is further purified in chlorination and hydrolysis steps.
يتم الحصول على 1) عالية النقاء الجرمانيوم خلال تكرير المنطقة.
2) يتم إنتاج بلورة الجرمانيوم عن طريق عملية تشوخرالسكي.
3) يتم تصنيعها رقاقة الجرمانيوم عبر العديد من القطع، والطحن، والخطوات الحفر.
4) يتم تنظيف رقائق والتفتيش. وخلال هذه العملية، رقائق وحيد الجانب المصقول أو مزدوج الجانب المصقول وفقا لمتطلبات العرف، برنامج التحصين الموسع استعداد رقاقة يأتي.
5)The thin germanium wafers are packed in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

4. Application of Germanium:

تستخدم الجرمانيوم فارغة أو نافذة في الرؤية الليلية والتصوير الحراري حلول للأمن التجاري، ومكافحة الحرائق ومعدات الرصد الصناعية. أيضا، كما أنها تستخدم المرشحات للمعدات التحليل والقياس، والنوافذ لقياس درجة الحرارة عن بعد، والمرايا الليزر.

Thin Germanium substrates are used in III-V triple-junction solar cells and for power Concentrated PV (CPV) systems and as an optical filter substrate for a longpass SWIR filter application.

5. Test of Germanium Wafer:

The resistivity of the crystal germanium wafer was measured by Four Probe Resistance Tester, and the surface roughness of Germanium was measured by profilometer.

 

 

 

 

For more information, please contact us email at [email protected]و[email protected]

 

Ge Wafer Supplier

P Type Thin Germanium Wafer | Solar Cell

Germanium Substrate for Optics and Epi-growth

As-cut Germanium (Ge) Window

Doped or Undoped Germanium (Ge) Crystal | Ge Single Crystal Growth

الجرمانيوم (Ge) سبيكة

Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward<111>

Test Method for Dislocation Density of Monocrystal Germanium

ربما يعجبك أيضا…