InP HBT Epi Wafers *S

HBT هي تقنية تستخدم على نطاق واسع في أجهزة الموجات الدقيقة والمليمترية. تتميز بمزايا مثل السرعة الفائقة، والضوضاء المنخفضة، والطاقة العالية، والخطية العالية، ولها تطبيقات مهمة في الأنظمة الإلكترونية مثل اتصالات الألياف الضوئية والاتصالات اللاسلكية. تعتمد أنظمة المواد الرئيسية لإعداد أجهزة HBT على المواد الفوقية InP والمواد المركبة التي تحتوي على الفوسفور. الإنجاب/GaAsنظام المواد هو المادة المفضلة لإعداد أجهزة HBT ذات طاقة الميكروويف، في حين أن نظام المواد المعتمد على InP هو المادة الرئيسية لأجهزة HBT ذات الموجات المليمترية. يمكن لـ PAM-XIAMEN أن تنتج رقاقة Epi InP HBT (ترانزستور ثنائي القطب غير المتجانس)، يرجى الرجوع إلى بنية epi التالية:

1. هيكل رقاقة InP HBT

• استخدام مجمع مركب مع فواصل InGaAs وطبقات InGaAs الرباعية للتخلص من طفرات نطاق التوصيل في واجهة BC، وبالتالي تقليل تأثير حجب تيار المجمع.

2. نظام الموادهيكل الترانزستور ثنائي القطب غير المتجانس

يمكن تصنيف HBT على أساس مادة الركيزة المستخدمة. بشكل عام، هناك ثلاثة أنواع من الركائز: GaAs، وSi، وInP، مع كون GaAs الأكثر نضجًا. يوضح الجدول 1 أنظمة المواد III-V المستخدمة لإعداد HBTs:

يستخدم نمو InP HBT مادة InP ذات فجوة نطاق أوسع مثل الباعث ومواد InGaAs ذات فجوة نطاق أضيق كقاعدة ومجمع. اعتمادًا على متطلبات جهد الانهيار، يمكن استخدام مادة InGaAs أو مادة InP. يُطلق على الأول اسم الوصلة غير المتجانسة الفردية HBT، في حين يُسمى الأخير الوصلة المزدوجة غير المتجانسة HBT، والأخير لديه جهد انهيار أعلى.

بالمقارنة مع GaAs، تتمتع ركائز InP بالمزايا التالية: يتطابق التركيب المحدد لـ InGaAs مع شبكة InP، كما أن InGaAs لديه قدرة على الحركة الإلكترونية أعلى بحوالي 1.5 مرة من GaAs. بالإضافة إلى ذلك، مقارنةً بـ GaAs، فإن InP وInGaAs لديهما فصل أكبر بين وديان gamma L وgamma X، مما يمكن أن يوفر تجاوز سرعة أعلى، مما يؤدي إلى سرعة إلكترون أعلى وارتفاع fT.

3. تطبيقات InP HBT

ستستفيد أجهزة الإرسال والاستقبال ذات الموجات المليمترية لأنظمة التوزيع المحلية متعددة النقاط (LMDS) من تقنية InP. توفر تقنية InP HBT كفاءة عالية وقدرة خطية عالية لهذه الشبكات الرقمية. ونظرًا لقيمة عرض النطاق الترددي، فإن تردد هذه الوصلات سيستمر في الزيادة مع توفر المزيد من الطيف.

تتمتع مضخمات طاقة الهاتف الخلوي بمتطلبات أداء صارمة للغاية، بما في ذلك كفاءة الطاقة المضافة العالية (PAE)، وتيار التسرب المنخفض لإيقاف التشغيل لأوقات التحدث الطويلة والاستعداد، وجهد الانهيار العالي للاستخدام القوي، وتكاليف التنفيذ المنخفضة. يوفر مضخم الطاقة InP HBT أداءً أفضل من أداء GaAs HBT. بالمقارنة مع تطبيق GaAs HBT، أثبتت مضخمات طاقة الموجات الصغرية المماثلة أن تطبيق InP HBT له خطية أكبر.

تعد تقنية InP HBT مناسبة بشكل خاص لدوائر الألياف الضوئية عالية السرعة، بما في ذلك SONET OC-768 ذات القناة الواحدة و40 جيجابايت في الثانية لنقل البيانات ذات النطاق العريض للإنترنت. تتمتع أجهزة InP HBTs بمزايا في العديد من كتل المكونات الأمامية الرئيسية، بما في ذلك تضخيم المعاوقة المتقاطعة، والتحكم في الكسب، واستعادة الساعة والبيانات، وبرامج تشغيل المغير، ووظيفة MUX/DMUX عالية السرعة.

سواء كنت بحاجة إلى رقاقة InP HBT للبحث أو للتطبيقات الصناعية، يرجى الاتصال بنا عبر البريد الإلكتروني على[email protected] و [email protected].