كاشف InSb

كاشف InSb

كاشف إنديوم أنتيمونيد (InSb) حساس لنطاق الموجة المتوسطة للأشعة تحت الحمراء (MWIR). فيما يتعلق بالكشف عن الأشعة تحت الحمراء المتوسطة في النطاق 3-5um ، نظرًا لمزايا تقنية المواد الناضجة والحساسية العالية والاستقرار الجيد ، تبرز أجهزة الكشف InSb عن أجهزة الكشف القائمة على المواد الأخرى. في درجة حرارة منخفضة ،مادة InSbمعامل امتصاص عالي لضوء الأشعة تحت الحمراء (~ 1014سم-1) ، وكفاءة كمية أكبر من أو تساوي 80٪ ، وحركية عالية للناقل (un ~ 105سم2∙ ت-1∙ ق-1). يتمتع كاشف InSb IR بمزايا تقنية بارزة للغاية ، وتغطي مجالات تطبيقه التوجيه الدقيق ، والتصوير المحمول ، والمركبة ، والمحمولة على متن السفن ، والمحمولة جواً ، والفضاء ، وما إلى ذلك. 3.7 ميكرومتر ~ 4.8 ميكرومتر. المواصفات يرجى الرجوع إلى الجدول أدناه:

كاشف InSb

1. المعلمات الفنية لكاشف MWIR InSb

اسم المنتج المواصفات الرئيسية
ميجاوات 128 × 128

(جي تي)

كاشف الأشعة تحت الحمراء InSb

 عدد البكسل 128 × 128
مساحة وحدة الصورة 15um × 15um
قابلية تشغيل البكسل 99٪
استجابة عدم انتظام ≤6٪
NETD ≤15mK
مجال الرؤية 2
وقت التهدئة ≤30 ثانية
الوزن ≤ 250 جرام

 

2. عملية كاشفات الأشعة تحت الحمراء InSb

مع التطوير المستمر لتقنية الكشف عن الأشعة تحت الحمراء ، انتقلت الرقائق الحساسة للضوء المستندة إلى مواد InSb من رقائق الوحدات إلى رقائق متعددة العناصر ، ومجموعة الخطوط ، وصفيف المنطقة. بعد عملية التوصيل البيني للرقاقة ، يتم دمج الشريحة الحساسة للضوء ودائرة معالجة الإشارة معًا ووضعهما على المستوى البؤري للنظام البصري ، والذي يشكل المكون الأساسي لاكتشاف إشارة الأشعة تحت الحمراء. في تحقيق التحويل الكهروضوئي ، يعد أداء الشريحة الحساسة للضوء أحد العوامل الرئيسية التي تحدد مستوى الكشف عن كاشف InSb المبرد. في إعداد شريحة حساسة لصفيف المنطقة ، تعد جودة تقاطع PN والعزل الفعال لوحدات البكسل الحساسة للضوء مفاتيح أساسية لإعداد شريحة صفيف المنطقة. تنقسم عملية التحضير لتقاطع PN إلى عملية الانتشار وعملية زرع الأيونات وعملية التصلب. بالنسبة لتقنيات تصنيع تقاطع PN المختلفة ، تختلف أيضًا تقنيات تصنيع بنية مجموعة السطح المقابلة.رسم تخطيطي لطريق تقنية كاشف المستوى البؤري InSb

رسم تخطيطي لطريق تقنية كاشف المستوى البؤري InSb

تم تحسين المستوى التقني لكاشف الأشعة تحت الحمراء InSb في نطاق الموجة المتوسطة بشكل مستمر. يستمر حجم مصفوفة المنطقة في الزيادة ، وتستمر كفاءة كاشف InSb في التحسن ، كما تم تطوير عملية درجات الحرارة العالية وكاشفات متعددة الألوان بالكامل.

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على victorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2022-04-06

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

Ag Nanostructures on GaN (0001): Morphology Evolution Controlled by the Solid State Dewetting of Thin Films and Corresponding Optical Properties

We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands    of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University,      Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance    for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of    Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who bought our wafers or service: Article title: Ag Nanostructures on GaN (0001): Morphology Evolution Controlled by the Solid State Dewetting of Thin [...]

2019-10-25مؤلف ميتا
إزالة الغموض عن رقائق SiC: شرح C-Plane مقابل Si-Plane

SiC wafers are available for power electronics, scientific or industrial applications, specifications as: https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-wafer-substrate.html SiC is a binary compound formed in a 1:1 ratio of Si and C elements, consisting of 50% silicon (Si) and 50% carbon (C). Its basic structural unit is the Si-C [...]

2024-03-21مؤلف ميتا
Substrates for Silicon Rectifier Production

Rectifier is a controllable rectifier device based on controllable silicon (thyristor) and centered on intelligent digital control circuits, which converts AC to DC. It is abbreviated as silicon rectifier, also known as thyristor rectifier, thyristor rectifier, etc. Silicon rectifier advantages include high efficiency, no mechanical noise and wear, [...]

2023-10-10مؤلف ميتا
FTO Coated on Conventional Glass

PAM XIAMEN offers FTO Coated on Conventional Glass. FTO Glass Substrate (TEC 7) 1″ x 1″ x 1.1 mm, R: 7-10 ohm/sq 25pcs FTO Glass Substrate (TEC 7) 100 x 100 x 1.1 mm, R: 7-10 ohm/sq 5 pcs FTO Glass Substrate (TEC 7) [...]

2019-04-28مؤلف ميتا
Bonding characteristics of 3C-SiC wafers with hydrofluoric acid for high-temperature MEMS applications

This paper describes the bonding characteristics of 3C-SiC wafers using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) oxide and hydrofluoric acid (HF) treatment for SiC-on-insulator (SiCOI) structures and high-temperature microelectromechanical system (MEMS) applications. In this work, insulator layers were formed on a heteroepitaxial 3C-SiC film [...]

2015-08-19مؤلف ميتا
الجاليوم ويفر

GaN Wafer Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd (PAM-XIAMEN), the leading developer and supplier of compound semiconductor crystal and wafer, provide GaN wafer serie: GaN substrate wafer GaN on sapphire GaN on silicon HEMT wafer AlN/GaN on sapphire AlGaN/GaN on sapphire Here is relative information of GaN wafer: GaN wafer price/GaN wafer cost: But [...]

2014-04-22مؤلف ميتا