لماذا تستخدم تقنية الليزر في رسم رقاقة GaN LED؟

  • منزل
  • أخبار
  • لماذا تستخدم تقنية الليزر في رسم رقاقة GaN LED؟

لماذا تستخدم تقنية الليزر في رسم رقاقة GaN LED؟

PAM-XIAMEN هو خبير في رقائق LED ، ونحن نقدم رقائق LED (الرابط:https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/epitaxial-wafer.html) والدعم التكنولوجي لك على تصنيع LED من خلال تجربتنا الغنية. هنا نشارك طريقة الليزر لكتابة رقائق LED. المعالجة بالليزر هي تشعيع شعاع الليزر على سطح قطعة العمل ، واستخدام الطاقة العالية لليزر لقطع وصهر المادة وتغيير خصائص سطح الجسم.

رقاقة GaN LED

1. ما هو الليزر المناسب لكشط رقائق LED؟

مع توسع السوق ، تم طرح متطلبات أعلى لتحسين الإنتاجية ومعدل تأهيل المنتج النهائي لمصابيح LED ، إلى جانب الانتشار السريع للمعالجة بالليزر ، أصبحت المعالجة بالليزر تدريجياً العملية السائدة في معالجة الياقوت لمصابيح LED عالية السطوع .

ومع ذلك ، ليست كل أنواع الليزر مناسبة للنقش بمصابيح LED نظرًا لشفافية مادة الرقاقة لأشعة الليزر ذات الطول الموجي المرئي. GaN هو ناقل للضوء مع أطوال موجية أقل من 365 نانومتر ، في حين أن رقائق الياقوت شبه ناقلة لأشعة الليزر ذات الأطوال الموجية الأكبر من 177 نانومتر. لذلك ، فإن ليزر Q-switched ذو الحالة الصلبة (DPSSL) الثلاثي والرباعي ذو التردد الرباعي بأطوال موجية 355 نانومتر و 266 نانومتر هو الخيار الأفضل للنقش بالليزر لرقائق LED.

2. مزايا Scribe LED Wafers مع الليزر

المعالجة بالليزر هي معالجة عدم الاتصال. كبديل لقطع شفرة المنشار الميكانيكي التقليدي ، يكون شق النقش بالليزر صغيرًا جدًا ، وسطح الرقاقة تحت تأثير بقعة الليزر الدقيقة المركزة يبخر المادة بسرعة ، مما يجعل مناطق LED صغيرة جدًا نشطة ، بحيث يكون المزيد من LED يمكن قطع المونومرات على رقاقة ذات مساحة محدودة.

بالإضافة إلى ذلك ، يعد النقش بالليزر جيدًا بشكل خاص في الياقوت ونتريد الغاليوم (GaN) وزرنيخيد الغاليوم (GaAs) وغيرها من مواد الرقائق الهشة من أشباه الموصلات. رقائق LED للمعالجة بالليزر ، عمق النقش النموذجي هو 1/3 إلى 1/2 من سمك الركيزة ، بحيث يمكن الحصول على سطح كسر نظيف عن طريق الانقسام ، مما يجعل شقوق الكشط بالليزر الضيقة والعميقة مع ضمان سرعة الكتابة عالية السرعة . لذلك ، يجب أن يتمتع الليزر بجودة ممتازة مثل عرض النبضة الضيق وجودة الحزمة العالية وقوة الذروة العالية وتردد التكرار العالي.

خطوط LED المنقوشة بالليزر أضيق بكثير من الكتبة الميكانيكية التقليدية ، لذلك تم تحسين معدل استخدام المواد بشكل كبير ، وبالتالي تحسين كفاءة الإخراج. علاوة على ذلك ، فإن النقش بالليزر يجلب تشققات صغيرة أقل وأضرار أخرى للرقاقة. هذا يجعل جزيئات الويفر أقرب من بعضها ، مما ينتج عنه كفاءة إنتاج عالية وإنتاجية عالية ، في حين تم تحسين موثوقية جهاز LED النهائي بشكل كبير.

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على victorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2022-07-08

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

GGG single crystal

PAM XIAMEN offers GGG single crystal. Composition  GGG YSGG S-GGG（CaMgZr：GGG） NGG  GYSGG  GSGG  Lattice constant 12.376 Å  12.426 Å  12.480 Å 12.505Å   12.507 Å   12.554 Å  Diffraction（2θ） 51º7′ 50º44′ 50º43′ 50º41′ 50º40′ 50º22′ Melting Point ~1800 oC   ~1877℃ ~1730 oC   ~1550 oC   ~1730 oC   ~1730 oC   GGG, (111), 5x5x0.5mm, 1sp GGG, (100), 5x5x0.5mm, 1sp GGG, (100), 5x5x0.5mm, 2sp GGG, (110), 5x5x0.5mm, 1sp GGG (111), 10x10x0.5mm, 2sp GGG, (111), 10x10x0.5mm, 1sp GGG, [...]

2019-04-26مؤلف ميتا
ITO coated(sodalime) glass

PAM XIAMEN offers ITO coated(sodalime) glass. ITO  Physical properties Melting point 1800–2200 K (1526-1926 °C) (2800–3500 °F) Density 7120–7160 kg/m3 at 293 K Color (in powder form) Pale yellow to greenish yellow, depending on SnO2 concentration Values vary with composition. SI units and STP are used except where noted.   ITO Coated Glass, 10mmx10mmx 0.7mm ITO Coated Glass Substrate 10mm x 10 mm x [...]

2019-04-28مؤلف ميتا
In — Indium Foil

PAM XIAMEN offers Indium Foil. Indium ( In ) Foil: 100 mm (W) x 100 mm ( L） x 0.1 mm ( T) Polycrystal  In  Foil Purity:   > 99.995% Size:     0.10 mm thickness x 100mm width x 100 mm Length  Surface finish:  as cold rolling  [...]

2019-05-08مؤلف ميتا
MoTe2 crystal

PAM XIAMEN offers MoTe2 crystal. MoTe2 (Molybdenum Ditelluride) can crystallise in two dimensional sheets which can be thinned down to monolayers that are flexible and almost transparent. It is a semiconductor, and can fluoresce. It is part of a class of materials called transition [...]

2019-05-13مؤلف ميتا
Cu – Substrates ( single crystal) & Polycrystalline & Foam

PAM XIAMEN offers Cu – single crystal Substrates & Polycrystalline & Copper Foam. 1. General Properties for Single Crystal Copper Symbol : Cu Atomic Number: 29 Atomic Weight: 63.546(3 Crystal structure: FCC -Face centered cubic Density: 8.96 g/cm3 Melting Point: 1357.77 K (1084.62 °C, 1984.32 °F) [...]

2019-05-08مؤلف ميتا
Aberration-corrected transmission electron microscopy analyses of GaAs/Si interfaces in wafer-bonded multi-junction solar cells

Highlights •Aberration-corrected TEM and EELS reveal structural and elemental profiles across GaAs/Si bond interfaces in wafer-bonded GaInP/GaAs/Si – multi-junction solar cells. •Fluctuations in elemental concentration in nanometer-thick amorphous interface layers, including the disrubutions of light elements, are measured using EELS. •The projected widths of the interface layers [...]

2015-05-19مؤلف ميتا ،