هياكل InGaAsP/InP للترانزستور الباعث للضوء (LET) *S

النمو الفوقي للIII-V أشباه الموصلات المركبة InGaAs, InAlGaAs, and InGaAsP alloys that match the InP lattice is widely used in the manufacture of electronic and optoelectronic devices, such as heterojunction bipolar transistors (HBTs), light-emitting transistors (LETs), light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), and photodetectors, especially for high-speed electronic and fiber optic communication system applications. PAM-XIAMEN can grow InGaAsP/InP epitaxial wafer for light emitting transistor fabrication. The specific structure is as follows, for reference only:

1. هيكل الترانزستور الباعث للضوء InGaAsP/InP

1) InGaAsP/InP الرقاقة الفوقية لـ Shallow Ridge LET

2) InGaAsP/InP Epitaxy لـ Deep Ridge LET

2. حول الترانزستور الباعث للضوء (LET)

تتطلب خصائص LET أن يكون لأشباه الموصلات المضيئة استخدامًا يتمتع بحركة حاملة عالية وكفاءة فلورية عالية. ومع ذلك، فإن أشباه الموصلات المستخدمة حاليًا في الترانزستورات الباعثة للضوء تأتي في الغالب من ترانزستورات التأثير الميداني (FETs) أو الثنائيات العضوية الباعثة للضوء (OLEDs). يشبه هيكل الترانزستورات الباعثة للضوء تلك الموجودة في OLEDs، وغالبًا ما يستخدم هياكل متعددة الطبقات مثل طبقات نقل الإلكترون، وطبقات نقل الثقب، والطبقات الباعثة للضوء. يؤدي فصل طبقة نقل الشحنة والطبقة الباعثة للضوء إلى تقليل إخماد الإكسيتونات بواسطة الشحنات، وهو أمر مفيد لتحسين كفاءة جهاز انبعاث الضوء.

LET تنتج الضوء بشكل أسرع من LED. ميزة أخرى هي أنه يمكن التحكم في شدة الضوء عن طريق ضبط التيار. بالإضافة إلى ذلك، يسمح منفذ الترانزستور الثالث بتحكم أفضل في المخرجات الكهربائية والضوئية. تشمل التطبيقات المستقبلية للترانزستور الباعث للضوء استبدال الأسلاك في الأجهزة الإلكترونية بالألياف الضوئية لإنتاج أجهزة ذات أداء أعلى.

3. أناتأثيرالسابقنهائيهـlectricفايالميدان علىهـxcitonبiningهـالطاقة في InGaAsص/إنبQWs

تتميز مادة البئر الكمومية InGaAsP/InP بتماثل بلوري عالي ومعدل انجراف إلكترون تشبع كبير. ويمكن تغيير خصائصه الكهربائية عن طريق تطبيق مجال كهربائي خارجي، وهو ما له مزايا كبيرة في الأجهزة الإلكترونية الضوئية شبه الموصلة. تعد الإلكترونيات الضوئية مجالًا مهمًا في صناعة المعلومات، ويلعب انبعاث الإكسيتون دورًا مهمًا في الأجهزة النشطة التي ينبعث منها الضوء. وقد عززت القوة الدافعة لتطبيقات الأجهزة بشكل كبير الأبحاث المكثفة حول الإكسيتونات. لدى الإكسيتونات أيضًا تطبيقات محتملة في المعلومات الكمومية ذات الحالة الصلبة، ويمكن لحالات الإكسيتون أن تكون بمثابة ناقلات فعالة للمعلومات الكمومية. يعد إعداد حالات الإكسيتون المثالية المختلفة والتحكم فيها بشكل متماسك ذا أهمية كبيرة لكل من البحوث الأساسية والتطبيقية.

استخدم الباحثون الطريقة المتغيرة في ظل تقريب الكتلة الفعال لحساب طاقة ربط الإكسيتون في الآبار الكمومية InGaAsP/InP كدالة لعرض البئر وفي التركيب، كما ناقشوا تأثير المجال الكهربائي الخارجي على طاقة ربط نظام الإكسيتون من الحساب. النتائج، يمكن ملاحظة أنه بالنسبة للآبار الكمومية InxGa1 − xAsyP1 − y / InP، نظرًا للتأثير المشترك لتفاعل Coulomb وإمكانية الحبس الكمي، تزداد طاقة ربط الإكسيتون مع زيادة عرض البئر عندما يكون عرض البئر صغيرًا. عندما يصل عرض البئر إلى قيمة معينة، تصل طاقة الربط إلى الذروة ثم تتناقص مع زيادة عرض البئر. للمكون In تأثير معين على حجم عرض البئر المقابل لطاقة ربط الإكسيتون القصوى. مع زيادة مكون In، تقل فجوة نطاق المادة، مما يؤدي إلى انخفاض مماثل في عرض البئر عند القيمة القصوى. إن تأثير المجال الكهربائي على طاقة ربط الإكسيتون ليس كبيرًا ضمن نطاق معين، ومع ذلك، عندما يكون المجال الكهربائي كبيرًا وتتأثر الإلكترونات والفجوات أكثر بالمجال الكهربائي مما يضعف تأثير الإكسيتون. يمكن أن توفر هذه النتائج أساسًا نظريًا لتصميم أجهزة InGaAsP/InP الباعثة للضوء بشكل جيد، مثل الترانزستور الباعث للضوء.

لمزيد من المعلومات، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني[email protected] و [email protected].