نيوبات الليثيوم (LiNbO3) هو مركب من النيوبيوم والليثيوم والأكسجين. تعد بلوراتها المفردة مادة مهمة للأدلة الموجية الضوئية ، والهواتف المحمولة ، وأجهزة الاستشعار الكهروضغطية ، والمُعدِّلات الضوئية والعديد من التطبيقات البصرية الخطية وغير الخطية الأخرى ، ويمكن زراعة بلورات أحادية من الليثيوم نيوبات باستخدام عملية Czochralski. رقاقة ليثيوم نيوبات أحادية الكريستال مقطوعة على شكل حرف Z. بعد نمو البلورة ، يتم تقطيعها إلى شرائح ذات اتجاهات مختلفة. الاتجاهات الشائعة هي Z-cut و X-cut و Y-cut والقطع بزوايا مستديرة للمحور السابق.

شركة باورواي ويفر المحدودة يكمل غرس الأيونات والتقسيم + منصة عملية الطحن ويوفر 3-6 بوصة غرس رقاقة ، الترابط ، التقشير.

المنتجات العادية	بناء	تعليق
LNOI (سمك الطبقة العليا 50-1000 نانومتر)	غشاء رقيق LN أحادي البلورة SiO2(2 ميكرومتر) الركيزة LN (500 ميكرومتر)	فرق كبير في معامل الانكسار التطبيق: المعدلات الكهروضوئية ، موجهات الموجات الضوئية ، الرنانات ، أجهزة SAW ، أجهزة ذاكرة FRAM
LN على Si مع SiO2 (سمك الطبقة العليا 50-1000 نانومتر)	غشاء رقيق LN أحادي البلورة SiO2 الركيزة Si (400 أو 500 ميكرومتر)	فرق كبير في معامل الانكسار التكامل مع السيليكون التطبيق: المعدلات الكهروضوئية ، موجهات الموجات الضوئية ، الرنانات ، أجهزة SAW ، أجهزة ذاكرة FRAM
LT على Si (سمك الطبقة العليا 5-50 ميكرومتر)	غشاء رقيق LT أحادي البلورة الركيزة سي	الترابط المباشر الاندماج مع السيليكون التطبيق: أجهزة SAW
LN على Si (سمك الطبقة العليا 5-50 ميكرومتر)	غشاء رقيق LN أحادي البلورة الركيزة سي	الترابط المباشر الاندماج مع السيليكون التطبيق: أجهزة SAW
LT على SiO2/ سي (سمك الطبقة العليا 50-1000 نانومتر)	غشاء رقيق LT أحادي البلورة SiO2 الركيزة سي	زيادة الخواص الكهروحرارية حساسية معززة للأجهزة الكهروحرارية التطبيق: أجهزة استشعار كهروحرارية ، أجهزة SAW
MgO- مخدر LN (سمك الطبقة العليا 50-1000 نانومتر)	غشاء رقيق LN مخدر MgO SiO2 الركيزة LN	مقاومة التلف البصري القدرة على تحمل شدة الضوء العالية الميل لاستقطاب الأغشية الرقيقة التطبيق: المغيرات الكهروضوئية ، جيل تيراهيرتز
LN مع القطب (سمك الطبقة العليا 50-1000 نانومتر)	فيلم رقيق LN SiO2 إلكترود (100 نانومتر) الركيزة LN	التطبيق: المغيرات الكهروضوئية موجهات الموجات الضوئية الرنانات
	فيلم رقيق LN إلكترود SiO2 الركيزة LN	التطبيق: أجهزة SAW أجهزة ذاكرة FARM

 

مواصفات منتجات سلسلة LNOI
أعلى طبقة وظيفية LN
قطر الدائرة	3 ″ (76.2 ملم) / 4 (100 ملم)
سماكة	50 ~ 1000 نانومتر
مؤشر الانعكاس	لا ± 2.2860
	ني ± 2.2024
استثناء الحافة	5 ملم
توجيه	Z ، X ، Y ، Y-128 ° إلخ.
الفراغات	<10
TTV	± 5٪
طبقة العزل
طريقة التحضير	PECVD ، أكسيد حراري
سماكة	1000 ~ 4000 نانومتر
مؤشر الانعكاس	1.46 ~ 1.48
TTV	± 5٪
ركيزة اختيارية
Si ، LN ، كوارتز ، زجاج
طبقة إلكترود اختيارية (فوق طبقة عزل SiO2 أو تحتها)
مادة	حزب العمال / Au
نطاق السماكة	100 ~ 400 نانومتر

يرجى الاطلاع على المواصفات التفصيلية أدناه:

رقاقة كهربائية انضغاطية LiNbO3

1. متطلبات LN كريستال ويفر العامة ： بيزوكريستال
الاتجاه ： ليكون على النحو المطلوب ± 0.20 ، ما لم يحدد.
القطر ： (1) Φ76.2 ± 0.5 مم (2) Φ100.0 ± 0.5 مم
السماكة ： （1 0.50 ± 0.05 مم (2) 0.35 ± 0.03 مم
القوس ： ≤ 40um
تفتق ： ≤ 20 ميكرومتر

تحديد الموضع والطول المسطح يكون على النحو التالي
الموقع الأساسي المسطح ： يجب أن يكون ضمن ± 0.20 ، ما لم يتم تحديد ذلك.
الطول الأساسي المسطح ： （1） 22 ± 2mm （2） 32 ± 2mm ما لم يحدد.
الطول المسطح الثانوي ： （1） 10 ± 3mm （2） 12 ± 3mm ما لم يحدد.

جودة تلميع السطح
تلميع السطح مرآة مصقولة 10-15A
ملمع المؤخر ： مطوي برمل ماسي GC240 أو GC1000 ومحفور.
رقائق الحافة ： تقريب الحافة
كوري درجة الحرارة. ： 1142 ± 30 درجة مئوية

2. اتجاه فرد الرقاقة خاص المتطلبات ：
1) الاتجاه ： 127.860Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني.
شقة ثانوية ： لا شيء
640Y- قطع

2) الاتجاه ： 640Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني
شقة econdary ： 1800 في اتجاه عقارب الساعة من الشقة الأساسية إذا لزم الأمر.

3) قطع YZ
الاتجاه ： المحور ص ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور Z.
مسطح ثانوي ： المحور السيني

3-رقاقة LiNbO3 البصرية
اتجاه الكريستال: X ، Z
تقلب الاتجاه: ± 0.30 ، يجب صقل طرفي الكريستال.
القطر: 76.2 ± 0.5 مم
الطول: 50 80 ملم.
كوري درجة الحرارة: 1142 ± 20 درجة مئوية
اتجاه شقة المرجع الأول: كما هو مطلوب ± 0.20.
طول المرجع الأول شقة: 22 ± 2 مم فحص مصقول.
شقة مرجعية ثانية: متوفرة إذا لزم الأمر ، يجب أن يكون الطول 10 ± 3 مم
المظهر: خالي من الشقوق والمسام والشمول.

4- الخصائص البصرية:
نطاق شفاف: 370-5000 نانومتر
معامل الانكسار: （633 نانومتر） لا = 2.286 نيوتن = 2.200
التدرج الانكساري （633 نانومتر） ≤5 × 10-5 / سم
النفاذية （633 نانومتر） ≥68٪
مؤشر الإيجاز: △ n = no - ne≈0.08
ويفر كوارتز إلكتروني انضغاطي

5.المتطلبات العامة لرقائق الكوارتز
القطر ： (1) Φ76.2 ± 0.5 مم
السماكة ： (1) 0.35 ± 0.05 مم (2) 0.40 ± 0.05 مم (3) 0.50 ± 0.05 مم
القوس ： ≤ 40um
تفتق ： ≤ 20 ميكرومتر
الاتجاه ： ليكون على النحو المطلوب ± 0.20 ، ما لم يحدد.
تحديد الموضع والطول المسطح يكون على النحو التالي ：
الموقع الأساسي المسطح ： يجب أن يكون ضمن ± 0.20 ، ما لم يتم تحديد ذلك.
الطول الأساسي المسطح ： 22 ± 2mm ما لم يحدد.
الطول المسطح الثانوي ： 10 ± 3 مم ما لم يحدد.
جودة تلميع السطح
ملمع الأسطح ： مرآة مصقولة 10-15A
ملمع المؤخر ： مطوي برمل ماسي GC600 أو GC1200 ومحفور.
رقائق الحافة ： تقريب الحافة
موقع البذرة ： أن تكون داخل المركز 6.5 مم من الرقاقة أو غير مطلوب.
عامل س ： ≥ 2 مليون دقيقة.

6- اتجاه الرقاقة الفردية خاص متطلب
1) 360Y-cu
الاتجاه ： 360Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني.
شقة ثانوية ： شقتين ، 90 و 270 من الشقة الرئيسية إذا لزم الأمر.
340Y- قطع

2) الاتجاه ： 340Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني
شقة ثانوية ： 900 في اتجاه عقارب الساعة من الشقة الأساسية إذا لزم الأمر.
42.750 يقطع

3) الاتجاه ： 42.750Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني

7- تنتاليت الليثيوم
1) متطلبات LT العامة للويفر البلوري ：
القطر ： (1) Φ76.2 ± 0.5 مم (2) Φ100.0 ± 0.5 مم
السماكة ： (1) 0.50 ± 0.03 مم (2) 0.40 ± 0.03 مم
القوس ： ≤ 40um
تفتق ： ≤ 20 ميكرومتر
الاتجاه ： ليكون على النحو المطلوب ± 0.20 ، ما لم يحدد.

تحديد الموضع والطول المسطح يكون على النحو التالي ：
الموقع الأساسي المسطح ： يجب أن يكون ضمن ± 0.20 ، ما لم يتم تحديد ذلك.
الطول الأساسي المسطح ： (1) 22 ± 2mm (2) 32 ± 2mm ما لم يحدد.
الطول المسطح الثانوي ： (1) 10 ± 3mm (2) 12 ± 3mm ما لم يحدد.

8.نوعية سطح البولندية
ملمع الأسطح ： مرآة مصقولة 10-15A
تلميع المؤخر ： ملفوف برمل ماسي GC1200 ومحفور.
رقائق الحافة ： تقريب الحافة
كوري درجة الحرارة. ： 605 ± 30 درجة مئوية

اتجاه الرقاقة الفردية خاص المتطلبات ：
1) قطع 360Y
الاتجاه ： 360Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني.
شقة ثانوية ： لا شيء

2) قطع 420Y
الاتجاه ： 420Y ± 0.20

الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني.
شقة ثانوية ： 1800 في اتجاه عقارب الساعة من الشقة الأساسية إذا لزم الأمر.
X-1120Ycut
الاتجاه ： المحور السيني ± 0.20
الاتجاه المستوي الأساسي ： + 1120Y

9- ويفر كوارتز إلكتروني انضغاطي
المتطلبات العامة لرقائق الكوارتز ：
القطر ： (1) Φ76.2 ± 0.5 مم
السماكة ： (1) 0.35 ± 0.05 مم (2) 0.40 ± 0.05 مم (3) 0.50 ± 0.05 مم
القوس ： ≤ 40um
تفتق ： ≤ 20 ميكرومتر
الاتجاه ： ليكون على النحو المطلوب ± 0.20 ، ما لم يحدد.
تحديد الموضع والطول المسطح يكون على النحو التالي ：
الموقع الأساسي المسطح ： يجب أن يكون ضمن ± 0.20 ، ما لم يتم تحديد ذلك.
الطول الأساسي المسطح ： 22 ± 2mm ما لم يحدد.
الطول المسطح الثانوي ： 10 ± 3 مم ما لم يحدد.

10.جودة سطح البولندية
ملمع الأسطح ： مرآة مصقولة 10-15A
ملمع المؤخر ： مطوي برمل ماسي GC600 أو GC1200 ومحفور.
رقائق الحافة ： تقريب الحافة
موقع البذرة ： أن تكون داخل المركز 6.5 مم من الرقاقة أو غير مطلوب.
عامل س ： ≥ 2 مليون دقيقة.

اتجاه الرقاقة الفردية خاص المتطلبات ：
1) 360Y-cu
الاتجاه ： 360Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني.
شقة ثانوية ： شقتين ، 90 و 270 من الشقة الرئيسية إذا لزم الأمر.

2) 340Y- قطع
الاتجاه ： 340Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني
شقة ثانوية ： 900 في اتجاه عقارب الساعة من الشقة الأساسية إذا لزم الأمر.

3) 42.750Ycut
الاتجاه ： 42.750Y ± 0.20
الاتجاه الأساسي المسطح ： المحور السيني

4) أخرى متاحة إذا لزم الأمر

المنتجات ذات الصلة
المغير الليثيوم نيوبات
مؤشر انكسار الليثيوم نيوبات
المغير مرحلة الليثيوم niobate
رقاقة الليثيوم نيوبات
خصائص الليثيوم niobate

الكلمات الدالة:
زرع الأيونات
رقاقة تانتالات الليثيوم
طبقة الليثيوم niobate
LN على الكوارتز
فيلم رقيق LN
SAW الكوارتز ويفر
طبقة الليثيوم tantalate
الركيزة tantalate الليثيوم
رقيقة tantalate الليثيوم
LT على SiO2 / Si
LN مع القطب
الركيزة LN
نيوبات الليثيوم الأسود
نيوبات الليثيوم على Si
LT على Si

4 "LiNbO3 طبقة رقيقة على رقاقة السيليكون

3 ، LiNbO3 غشاء رقيق بلوري واحد

إذا كنت بحاجة إلى مزيد من المعلومات حول الليثيوم نيوبات ،
يرجى زيارة موقعنا على شبكة الانترنت:https://www.powerwaywafer.com,
أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا علىsales@powerwaywafer.com وpowerwaymaterial@gmail.com.