P-type 4H-SIC على أساس الركيزة على أساس
تنقل الإلكترون من بلورات 4H SIC (حوالي 950 سم2/(V · S) في درجة حرارة الغرفة) لها ميزة كبيرة على تنقل الثقب (حوالي 120 سم2/(V · S)). هذا الاختلاف في خصائص النقل الناقل يجعل أجهزة ترانزستور ثنائي القطب (IGBT) البوابة المعزولة قناة N متفوقة بشكل عام على هياكل القناة P من حيث سرعة التبديل. في الوقت الحالي ، تم إجراء اختراق في عملية المنشطات من النوع P بناءً على طريقة المرحلة السائلة ، مما يؤدي إلى إعداد ركائز SIC من النوع P مع كثافة خلع منخفضة. ستعمل ركائز SIC ذات الجودة العالية والمقاومة المنخفضة على تسريع عملية تطوير IGBT عالية الأداء بشكل كبير وتحقيق أجهزة طاقة الجهد العالية للغاية. بام-Xiamen يمكن أن توفرP-type 4H-SIC الركيزةالخدمات الفوقية المستندة إلى الخدمات ، مع المعلمات التقنية التالية:
1. معلمات النمو الفوقي على الركيزة P-type 4H-SIC
| بند | epiwafer على الركيزة p-type 4h-sic | ||
| المادة المتفاعلة | |||
| حجم | 4inch | 6inch | |
| التوصيل | نوع P. | ||
| توجيه | 4 ° خارج المحور （0001） | ||
| المقاومة النوعية | ≤0.3Ω.CM | ||
| التوجه المسطح الأساسي | {10-10} ± 5.0 ° | ||
| الطول المسطح الأساسي | 32.5mm ± 2mm | 47.5mm ± 2mm | |
| السطح انتهى | DSP | ||
| طبقة Epi | |||
| التوصيل | N ، p type | ||
| خشونة السطح | ≤2nm | ||
| سماكة | نطاق | 5 ~ 100um | |
| تفاوت | ± 10٪ | ||
| انتظام | ≤4٪ | ||
| تركيز الناقل | نطاق | 1E15 ~ 5E16CM-3 | |
| تفاوت | ± 15 ٪ | ||
| انتظام | ≤10٪ | ||
تتمتع رقائق الفائقة التي تزرع على ركائز P-type 4H SIC بآفاق تطبيقات واسعة في أجهزة مثل IGBTs N-channel ، ومختلف الثنائيات عالية الجهد/الجهد العالي فائقة ، ومجموعات ضوئية قائمة على SIC ، إلخ.
2. Why Grow P-Type 4H-SiC Substrate Based Epiwafer?
In SiC power switching devices with a blocking voltage exceeding 10 kV, bipolar devices (such as IGBT and BJT) can achieve extremely low on resistance due to conductivity modulation effects (such as n-IGBT, which has significantly better on resistance than p-IGBT), making it an ideal choice for high-voltage and high-power scenarios. However, the performance optimization of n-IGBT highly relies on low resistivity p-type substrates to reduce the overall voltage drop and losses of the device. The successful fabrication of p-type SiC substrates provides a key material foundation for the high-voltage and high-density integration of SiC based bipolar devices. The use of low resistivity p-type SiC can directly serve as a substrate, avoiding interface defects and carrier scattering between the epitaxial layer and the substrate, and improving device reliability; By combining p-type 4H-SiC substrate based epiwafer technology, the optimization design of vertical n-IGBT can be achieved, promoting the practical application of ultra-high voltage devices above 15kV; In addition, low resistivity p-type materials can enhance the conductivity modulation effect of bipolar devices, reduce conduction losses, and help upgrade the energy efficiency of high-power systems such as new energy grids and rail transit.
سواء كنت بحاجة إلى رقاقة للبحث أو للتطبيقات الصناعية ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على[email protected] و [email protected].