رقاقة السيليكون PN Junction

رقاقة السيليكون PN Junction

تتمتع مادة الوصلة PN بموصلية واحدة، وهي خاصية تستخدمها العديد من الأجهزة في التكنولوجيا الإلكترونية، مثل الثنائيات شبه الموصلة والترانزستورات ثنائية القطب. يمكن لـ PAM-XIAMEN تقديم رقائق وصلة PN من السيليكون. نحن هنا ندرج فقط البنية الفوقية المحددة لتطبيق الثنائي الضوئي للرجوع إليها. المزيد من رقائق السيليكون الفوقي يرجى الرجوع إلىhttps://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/epitaxial-silicon-wafer.html.

رقاقة تقاطع السيليكون PN

1. مواصفات رقاقة السيليكون PN Junction

PAMP21452 - بي إن

المادة المتفاعلة السيليكون
قطر 5 بوصة
نوع P
سماكة 500um
السطح انتهى جانب واحد مصقول
ريال عماني 8-12Ω·سم
طبقة Epi السيليكون
نوع N
ريال عماني 8Ω·سم
سماكة 15um

 

2. ما هو تقاطع PN السيليكون؟

عن طريق زرع أيونات المنشطات، أو نشر المنشطات، أو النمو الفوقي، يتم تصنيع أشباه الموصلات من النوع P وأشباه الموصلات من النوع N على نفس ركيزة السيليكون، مما يشكل منطقة شحنة فضائية تسمى تقاطع السيليكون PN في الواجهة الخاصة بها. وصلة PN هي جهاز يستخدم للتصحيح، والتبديل، وأغراض أخرى، بالإضافة إلى البنية الأساسية لأجهزة الميكروويف شبه الموصلة والأجهزة الإلكترونية البصرية. وهو أيضًا مكون أساسي في الترانزستورات ثنائية القطب ومقومات الثايرستور وترانزستورات التأثير الميداني. الخاصية الأكثر أهمية لوصلات السيليكون هي تأثير التصحيح، الذي يسمح بمرور اتجاه واحد فقط للتيار.

تقاطع PN للسيليكون حتى المواد الأخرى يمكن تقسيمها تقريبًا إلى نوعين:

(1) تقاطع متحول: يتم توزيع تركيز الشوائب في منطقتي تقاطع PN بشكل موحد، وتحدث طفرات الشوائب في الواجهة. إذا كان تركيز الشوائب في منطقة واحدة أعلى بكثير من ذلك في المنطقة الأخرى، فإنه يسمى تقاطع طفرة أحادية الجانب P+N أو N+P. يتم تشكيلها عن طريق السبائك أو الانتشار الضحل أو زرع الأيونات منخفضة الطاقة.

(2) الوصلة الخطية المتغيرة ببطء: يتغير توزيع الشوائب بالقرب من الوصلة ببطء، ويمكن تقريبها بخط مستقيم، ويسمى ميلها بتدرج تركيز الشوائب. تقاطع يتم الحصول عليه عن طريق الانتشار العميق أو زرع الأيونات عالية الطاقة.

3. كيف يعمل PN Junction؟

عادةً ما تكون تقاطعات PN في حالتين هما حالة القطع وحالة التحيز الأمامي:

في حالة القطع، يشكل الاختلاف في تركيز الموجة الحاملة على جانبي تقاطع PN مجالًا كهربائيًا، مما يجعل من الصعب مرور الشحنات المجانية عبر تقاطع PN عندما يكون الجهد المطبق صفرًا؛

عندما يكون الجهد المطبق متحيزًا بشكل إيجابي، يضعف هذا المجال الكهربائي، وتمر الإلكترونات بسرعة عبر تقاطع PN وتولد التيار. عندما يكون الجهد المطبق متحيزًا عكسيًا، فإن هذا المجال الكهربائي يقوى، مما يخلق تأثيرًا يمنع التيار من المضي قدمًا.

مخطط مبدأ عمل الوصلة PN (1)

مبدأ العمل تقاطع PN

 

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكترونيvictorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2023-09-28

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

Transmitance-GaN material-TEST REPORT

Transmitance-GaN material-TEST REPORT A test report is necessary to show the compliance between custom description and our final wafers data. We will test the wafer characerization by equipment before shipment, testing surface roughness by atomic force microscope, type by Roman spectra instrument, resistivity by non-contact [...]

2018-08-14مؤلف ميتا
Photoemission study of LT-GaAs

Photoemission study of LT-GaAs The electronic structure of GaAs (1 0 0) grown by low-temperature molecular beam epitaxy was investigated by means of photoemission spectroscopy. Slight differences are found in the valence band spectra of GaAs layers grown at different As2/Ga flux ratios. Analysis of As 3d [...]

2014-02-11مؤلف ميتا
enhanced continuous-wave terahertz emission by nano-electrodes in a photoconductive photomixer

Enhanced Continuous-wave Trahertz emission by nano-electrodes in a photoconductive photomixer Semiconductor materials used as PCA-based photomixers must exhibit high resistivity, high carrier mobility and ultrashort carrier lifetime. Low-temperature-grown GaAs (LT GaAs) has been shown to have such characteristics 14–18 . The samples used in our experiment had [...]

2014-07-13مؤلف ميتا ، ،
4″ Silicon Wafer-14

PAM XIAMEN offers 4″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:As [111-4°] ±0.5° 4″ 325 P/E 0.001-0.005 SEMI Prime, Back Surface: Sand blasted with LTO seal n-type Si:As [111-4°] ±0.5° 4″ 300 P/E 0.001-0.005 SEMI Prime, Back-side Sand-blasted with LTO seal, in Empak cassettes of 7 wafers n-type Si:As [111-2°] ±0.5° 4″ 400 P/EOx 0.001-0.004 {0.0018-0.0036} SEMI Prime, Epi edges, 0.5μm LTO n-type Si:As [111-4°] ±0.5° 4″ 525 P/E 0.001-0.005 SEMI Prime n-type Si:As [111-4°] 4″ 525 P/E 0.001-0.005 SEMI Prime n-type Si:As [111] ±0.5° 4″ 1000 P/E 0.001-0.005 {0.0031-0.0040} SEMI Prime, TTV<4μm, [...]

2019-03-05مؤلف ميتا
4″ FZ Prime Silicon Wafer-5

PAM XIAMEN offers 4″FZ Prime Silicon Wafer. 4″ Si wafer, R>20,000Ωcm Silicon, Si wafers orientation (100) dimensions 100 mm x 525µm (+/-25µm) thick. FZ >20 000 ohm.cm Ra<0.5 nm One side polished Ra<0.5nm (µelectronic grade) For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send [...]

2019-07-05مؤلف ميتا
GaN epitaxial growth on 4 degree off-axis Si- and C-face 4H-SiC without buffer layers by tri-halide vapor-phase epitaxy with high-speed wafer rotation

The results of GaN epitaxial crystal growth on 4° off-axis Si- and C-face 4H-SiC without buffer layers by tri-halide vapor-phase epitaxy (THVPE) with high-speed wafer rotation and the properties of the obtained material are briefly described in this paper. GaN epitaxial layers were grown [...]

2019-10-18مؤلف ميتا