CZT Detector
PAM-XIAMEN supplies a series of CZT products, which are including detectors, modules, probes, systems, amplifiers, analyzers, supply and furnace.
- وصف
وصف المنتج
An extensive product line of CZT can be provided by PAM-XIAMEN, involving CZT detectors, CZT modules, CZT probes, CZT systems, CZT amplifiers, CZT analyzers, CZT supply and crystal growth furnace. Find more product details, please view below:
1. CZT Detector
1.1 CZT Pixilated Detector (old)
1.2 كاشف مستو CZT
1.3 α / β / γ أشعة التمايز الكاشف
1.4 كاشف أشعة CZT
1.7 CZT High Resolution Pixel Detector (old)
1.8 CZT فوتون العد الخطي كاشف الصفيف
1.10 CZT عالية الكثافة بكسل الكاشف
2. CZT Module
2.1 وحدة عد SPC
2.2 وحدة جرعات الإشعاع واسعة النطاق SPCW
2.3 وحدة التصوير الطيفي متعدد البكسل
2.4 وحدة عد الفوتون متعددة البكسل CZT
3. CZT Probe
3.2 مسبار CZT
3.4 CZT Probe-2
3.5 مسبار أشعة CZT
4. CZT System
4.1 X-ray Photon Counting Imaging System (old)
4.2 MXA-128 نظام عد الفوتون بالأشعة السينية
4.3 نظام التصوير متعدد البكسل CZT γ-ray
4.4 α-Ray Vacuum Testing System (new)
5. CZT Amplifier
5.2 رقاقة مكبر للصوت قبل الشحن الحساسة
5.3 مضخم صوت مسبق حساس للشحن (old)
6. CZT Analyzer
6.1 Analog Multi-channel Analyzer (old)
6.2 محلل الطيف التشخيصي المحمول
6.3 CZT Portable Spectrum Analyzer (old)
6.4 Digital Multi-Channel Analyzer (new)
7. Other CZT Products
7.2 Crystal growth furnace (old)
7.3 CZT Portable Radionuclide Identifier (new)
Therein, CZT based detectors from PAM-XIAMEN by solid-state detector technology for X-ray or gamma-ray has better energy resolution compared with scitillation crystal based detector. We list the specifications of CZT Planar Detector, CZT Pixilated Detector, CZT Co-Planar Gri Detector as follows for example:
| 1.1 CZT Pixilated Detector | ||
| المواصفات | ||
| تطبيق | SPECT، كاميرا جاما | التصوير بالأشعة السينية |
| نطاق الحرارة الشغالة | -20 ℃ ~ 40 ℃ | |
| قرار الطاقة النموذجي | <6.5٪@59.5 كيلو | —— |
| عد معدل | —— | ＞ 2M cps / pixel |
| مصفوفة نموذجية | كاشف مصفوفة المنطقة: 8 × 8 | كاشف مصفوفة المنطقة: 8 × 8 |
| كاشف الصفيف الخطي: 1 × 16 | كاشف الصفيف الخطي: 1 × 16 | |
| أبعاد الكريستال القصوى | 40 × 40 × 5 مم 3 | |
| ملاحظة | يمكن أيضًا توفير نمط قطب كهربائي آخر | |
مجموعة كاشف CZT القياسية 8 × 8 بكسل
مجموعة كاشف CZT القياسية 8 × 8 بكسل
| 1.2 CZT Planar Detector | |||
| المواصفات | |||
| HV | +200 فولت ~ +500 فولت | ||
| نطاق الطاقة | 20 كيلوفولت ~ 200 كيلوفولت | ||
| نطاق الحرارة الشغالة | -20 ℃ ~ 40 ℃ | ||
| الحجم （مم 3 | 5 × 5 × 2 | 10 × 10 × 2 | |
| قرار الطاقة @ 59.5 كيلو فولت | درجة العداد | ＞ 15٪ | ＞ 15٪ |
| درجة التمييز | 7٪ ~ 15٪ | 8٪ ~ 15٪ | |
| درجة مطياف | 7٪ | ＜ 8٪ | |
| ملاحظة | يمكن أن تتوفر أحجام أخرى أيضًا | ||
معيار 5 × 5 × 2mm 3 CZT التجمع
معيار 10 × 10 × 2 مم 3 CZT التجمع
| 1.5 CZT Hemispherical Detector | ||
|
HV: +200 V ~ +1000 فولت |
نطاق درجة حرارة التشغيل ： -20 ℃ ~ 40 ℃ |
|
| نطاق الطاقة: 50 كيلو فولت ~ 3 ميجا فولت | دقة الطاقة النموذجية ： ＜ 3٪ @ 662 KeV | |
| الحجم القياسي （مم 3） ： 4 × 4 × 2 ، 5 × 5 × 2.5 ، 10 × 10 × 5 | ||
| CZT Co-Planar Grid Detectors |
| المواصفات |
| HV: +1000 فولت ~ + 3000 فولت |
| نطاق الطاقة: 50 كيلو فولت ~ 3 ميجا فولت |
| نطاق درجة حرارة التشغيل ： -20 ℃ ~ 40 ℃ |
| دقة الطاقة النموذجية ： ＜ 4٪ @ 662 KeV |
| نسبة الذروة إلى كومبتون: 3 ~ 5 |
| الحجم القياسي （مم 3: 10 × 10 × 5 ، 10 × 10 × 10 |
في الوقت الحاضر ، هناك اتجاهان هامان لتطوير كاشف CZT هما أجهزة الكشف المتوازية المتعددة ذات الحجم الكبير وكاشفات مصفوفة عنصر السطح. يتكون الأول من مصفوفات بلورية CdZnTe متعددة بحجم أكبر من 1 سم. هذا النوع من الكاشفات يحل أوجه القصور في الكاشف الفردي ، وهو صغير الحجم ومنخفض في الكفاءة الكلية للكشف ، ويقصر وقت القياس بشكل كبير. إنه مناسب بشكل خاص لأنظمة المطياف المحمولة ويمكن استخدامه للمراقبة الإشعاعية في البيئة ، والموانئ ، وشحن السكك الحديدية ، وما إلى ذلك. ويتكون الأخير من مصفوفة عنصر بلوري للوجه CdZnTe ، وتستخدم تقنية كاشف CZT بشكل أساسي في تصوير طيف الطاقة في الطب النووي والفيزياء الفلكية وغيرها من المجالات.
لقد أتاح تطوير واستخدام كاشف CZT الحصول على فوتونات عالية الكفاءة ذات أداء عالٍ. مع التحسين المستمر للجودة العاليةالكريستال CdZnTe أشباه الموصلاتتكنولوجيا التحضير ، وفهم إضافي لعملية جمع الناقل وتطوير إلكترونيات دقيقة منخفضة الضوضاء ، سيتم بالتأكيد تطبيق كاشف CdZnTe في مجالات أوسع.
ربما يعجبك أيضا…
-
اختبار رقاقة مرقاب الويفر الدمية
كشركة مصنعة لرقائق الويفر ، تقدم PAM-XIAMEN رقاقة سيليكون وهمية / رقاقة اختبار / رقاقة مراقبة ، والتي تُستخدم في جهاز إنتاج لتحسين السلامة في بداية عملية الإنتاج وتستخدم لفحص التسليم وتقييم نموذج العملية. نظرًا لأن رقائق السيليكون الوهمية غالبًا ما تستخدم للتجربة والاختبار ، فإن حجمها وسمكها عاملان مهمان في معظم المناسبات. يتوفر بسكويت الويفر 100 مم ، 150 مم ، 200 مم ، 300 مم.
-
Ge (الجرمانيوم) بلورات ورقائق أحادية
تقدم PAM-XIAMEN بسكويت ويفر جرمانيوم 2 "و 3" و 4 "و 6" ، وهو اختصار لرقائق Ge التي تنتجها VGF / LEC. يمكن أيضًا استخدام رقاقة الجرمانيوم المخدرة بشكل خفيف من النوع P و N لتجربة تأثير القاعة. في درجة حرارة الغرفة ، يكون الجرمانيوم البلوري هشًا وقليلًا من اللدونة. الجرمانيوم له خصائص أشباه الموصلات. الجرمانيوم عالي النقاء مخدر بعناصر ثلاثية التكافؤ (مثل الإنديوم ، الغاليوم ، البورون) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع P ؛ والعناصر الخماسية التكافؤ (مثل الأنتيمون والزرنيخ والفوسفور) مخدر للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع N. يتميز الجرمانيوم بخصائص أشباه موصلات جيدة ، مثل قابلية تنقل الإلكترون العالية وحركة ثقوب عالية. -
CdZnTe (CZT) ويفر
الكادميوم الزنك تيلورايد (CdZnTe أو CZT) هو عبارة عن أشباه موصلات جديدة ، والتي تمكن من تحويل الإشعاع إلى إلكترون بشكل فعال ، ويستخدم بشكل أساسي في ركيزة epitaxy رقيقة بالأشعة تحت الحمراء ، وكاشفات الأشعة السينية وكاشفات أشعة جاما CdZnTe. -
مقاومة ضوئية التصنيع النانوي
يوفر PAM-XIAMEN لوحًا مقاومًا للضوء مع مقاوم للضوء
-
الغاليوم (الغاليوم زرنيخيد) يفر
As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor C doped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, C doped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.
-
إيناس رقاقة
تقدم PAM-XIAMEN رقاقة InAs من أشباه الموصلات المركب - رقاقة أرسينيد الإنديوم التي تزرع بواسطة LEC (Czochralski السائل المغلف) كصنف جاهز أو ميكانيكي مع نوع n أو النوع p أو شبه عازل في اتجاهات مختلفة (111) أو (100). بالإضافة إلى ذلك ، تتميز البلورة المفردة InAs بإمكانية تنقل إلكترونية عالية وهي مادة مثالية لصنع أجهزة Hall.
-
كربيد إبيتاز
نحن نقدم طبقة رقيقة مخصصة (كربيد السيليكون) SiC epitaxy على ركائز 6H أو 4H لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. تستخدم رقاقة SiC epi بشكل أساسي في الثنائيات Schottky ، والترانزستورات ذات التأثير الميداني لأشباه الموصلات بأكسيد المعادن ، وتأثير مجال الوصلة -
طليق الركيزة الجاليوم
قامت PAM-XIAMEN بتأسيس تكنولوجيا التصنيع الخاصة برقاقة الركيزة GaN القائمة بذاتها (نيتريد الغاليوم) ، وهي مخصصة لـ UHB-LED و LD. نمت بواسطة تقنية epitaxy طور بخار الهيدريد (HVPE) ، تتميز ركيزة GaN لدينا بكثافة عيوب منخفضة.
