نظرًا للخصائص الفيزيائية والإلكترونية SIC ، فإن الجهاز القائم على كربيد السيليكون مناسب تمامًا لأجهزة إلكترونية قصيرة الطول الموجي ، ودرجة حرارة عالية ، ومقاومة للإشعاع ، وعالية الطاقة/عالية التردد ، مقارنة بجهاز SI و GAAs
