رقاقة SiC IGBT

رقاقة SiC IGBT

يمكن أن تقدم PAM-XIAMEN ركيزة SiC ورقاقة epitaxy لتصنيع أجهزة IGBT. ظهور الجيل الثالث من أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة العريضةرقاقة SiCأظهرت قدرة تنافسية أقوى في مجالات الجهد العالي ودرجة الحرارة العالية والطاقة العالية. تم تطوير n-IGBT (الترانزستور ثنائي القطب المعزول بالبوابة) من خلال نمو n–و ص+غشاء رقيق SiC على ركيزة SiC من النوع n كطبقة انجراف وجامع. ويتم عرض الهيكل التفصيلي لرقاقة SiC IGBT من PAM-XIAMEN على النحو التالي:

كذا رقاقة igbt

1. هيكل كربيد متعدد الطبقات لتصنيع N-Channel IGBT

طبقة Epi سماكة تركيز المنشطات
n–طبقة الانجراف – 2 × 1014سم-3
ن طبقة عازلة 3 أم –
p+طبقة حقن حامل الأقلية – –
الركيزة SiC ، نوع n    

 

2. فرص أجهزة IGBT على أساس SiC الركيزة

IGBT هو الجهاز الأساسي لتحويل الطاقة ، والذي يساهم بشكل فعال في تحييد الكربون. في مجال توليد الطاقة النظيفة واستخدامها ، يعتبر IGBT الجهاز الأساسي لمحولات الطاقة الكهروضوئية وطاقة الرياح ، ويستخدم على نطاق واسع في أنظمة القيادة الكهربائية لمركبات الطاقة الجديدة وأكوام الشحن. تعمل وحدة SiC IGBT على تقليل استهلاك الطاقة بشكل فعال وتساعد في الحفاظ على الطاقة وتقليل الانبعاثات. لذا فإن الطلب على أجهزة SiC IGBT القائمة على تقنية الرقاقة الرقيقة IGBT سوف يتطور بسرعة.

يقود الطلب على حياد الكربون التطور السريع لتوليد الطاقة النظيفة والزيادة السريعة في تغلغل المركبات الكهربائية. من ناحية الاستهلاك ، يضع حياد الكربون متطلبات أكثر صرامة لاستهلاك الكهرباء في الصناعة ، مما يوسع نطاق تعميم المعدات الموفرة للطاقة مثل محولات التردد. باعتبارها جوهر تحويل الطاقة ، مقارنةً بـ Si IGBT ، فإن تصنيع رقائق IGBT على مادة SiC له مزايا كبيرة في مركبات الطاقة الجديدة. لذلك ، فإن مساحة السوق ضخمة.

3. تطبيقات الأجهزة على رقاقة SiC IGBT

في الوقت الحاضر ، يتم استخدام رقاقة SiC فوق المحور بشكل أساسي في المحولات الرئيسية ، OBCs ، DC / DCs ، والضواغط و IGBTs. من بينها ، لا يزال epi IGBT هو أجهزة الطاقة الرئيسية المستخدمة في مجال السيارات. تعتمد حافظات منتجات SiC IGBT في مجال السيارات بشكل أساسي على الرقائق العارية والأنابيب المفردة ووحدات الطاقة والمكونات. يمكن أن تغطي الحلول القائمة على تقنية الرقائق الرقيقة IGBT تطبيقات مركبات الطاقة ، بما في ذلك المحولات الرئيسية ، وأجهزة الشحن على متن الطائرة ، وسخانات PTC ، والضواغط ، ومضخات المياه ومضخات الزيت.

في مجال توليد الطاقة الكهروضوئية وطاقة الرياح ، يتم استخدام كربيد السيليكون IGBT بشكل أساسي في العاكسات ، بحيث يمكن معالجة الكهرباء الخشنة الناتجة عن الخلايا الكهروضوئية أو طاقة الرياح بواسطة IGBT إلى كهرباء دقيقة يمكن توصيلها بسلاسة بالإنترنت.

في مجال التحكم الصناعي وإمدادات الطاقة ، تُستخدم IGBTs القائمة على هيكل 4H-SiC IGBT على نطاق واسع في العاكسات وآلات المؤازرة وآلات اللحام العاكس وإمدادات الطاقة UPS.

بالإضافة إلى ذلك ، في مجال الأجهزة المنزلية ، تُستخدم الملحقات الإلكترونية المصنعة على رقاقة SiC IGBT epi في السلع البيضاء مثل مكيفات الهواء العاكس وغسالات العاكس للمساعدة في توفير الطاقة وتقليل الانبعاثات.

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على victorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2022-04-14

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

A critical review of growth of low-dimensional carbon nanostructures on SiC (0 0 0 1): impact of growth environment

Graphene and carbon nanotube (CNT) structures have promise for many electronic device applications and both have been grown on SiC through the decomposition of the substrate. It is well known that both graphene and aligned CNTs are grown under similar conditions with overlapping temperature [...]

2019-12-16مؤلف ميتا
GaN on Si for RF

GaN HEMT RF Epitxial Wafer on Si substrate, which is a wide bandgap semiconductor, can be offered by PAM-XIAMEN. The GaN HEMT on Si wafer has obvious advantages in the high-power, high-frequency application field. As for the GaN HEMT RF devices, they include PA, LNA, [...]

2019-05-17مؤلف ميتا
4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-3

PAM XIAMEN offers 4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm. PRIME WAFERS SILICIUM CZ DIAMETER 4 inch (100mm+/-0.5mm) ORIENTATION <1-0-0> +/-1° THICKNESS : 525µm +/-25µm SSP TTV < 10µm – BOW < 40µm FLAT : 32.5mm TYPE P RESISTIVITY : 8 – [...]

2019-07-05مؤلف ميتا
SPCW Wide Range Radiation Doses Module

SPCW is a counting module based on CZT detector. It integrates CZT detector, high gain charge sensitive amplifier and SK shaping circuit. The radiation dose rates ranges from 0.1μGy/h~1Gy/h will be its guest. 1. Specification of SPCW Wide Range Radiation Doses Module Energy range 30KeV~1.5MeV (standard) / [...]

2019-04-23مؤلف ميتا
رقائق السيليكون الصف الاختبار-5

PAM XIAMEN offers test grade silicon wafers Below is just a short list of the test grade silicon substrates! Inches Cust class Dopant Type Orientation PFL length PFL direction SFL Off orientation Resistivity Diameter Thickness Bow TTV Warp 6 DSP Phosphorus N 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0.0 ± 0.25 ° 1.5 ± 0.5 Ohmcm 150 ± 0.5 mm 280 ± 2.5 µm 30 1,25 30 6 DSP Phosphorus N 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,20 0.0 ± 0.5° 1-4 Ohmcm 150 [...]

2019-02-25مؤلف ميتا
طريقة جديدة لاستخراج الضوء من أشباه الموصلات يمكن أن تؤدي إلى مصابيح LED فائقة الكفاءة

يُظهر الرسم التوضيحي في (أ) اقتران الموجات المتلاشية عند واجهتين على المستويين المسطحين للتلال. يوضح الشكل (ب) شدة المجال الكهرومغناطيسي المحاكاة للهيكل. حقوق الصورة: ايست. (PhysOrg.com) - عن طريق تصنيع نتوءات مغلفة بثاني أكسيد السيليكون (SiO2) على السطح [...]

2017-10-24مؤلف ميتا