استصلاح رقاقة SiC
إن PAM-XIAMEN قادرة على تقديم خدمات إعادة تدوير رقاقة SiC التالية.
- وصف
وصف المنتج
SiC يسترد رقاقة ويفر
إن PAM-XIAMEN قادرة على تقديم خدمات إعادة تدوير رقاقة SiC التالية.
رقاقة SiC Reclaim:
PAM-XIAMEN قادر من خلال عمليات استعادة الملكية لتقديم SiC استعادة خدمات الويفر لمصنعي أجهزة LED أو RF أو Power. قادرون على إزالة EPI أو EPI GaN أو طبقات الجهاز ، ثم تلميع السطح ، حتى الوصول إلى حالة Epi الجاهزة ، والتي يمكن لعملائنا إعادة تثبيتها مرة أخرى ، لتقليل التكلفة. حتى يمكن ضمان خشونة السطح <0.3 نانومتر حسب طلب العميل. كل رقاقة بواسطة CMP أو مغلفة أو محفورة لإزالة الأنماط والخدوش والعيوب الأخرى. والنتيجة هي رقاقة نظيفة وعالية الجودة وجاهزة للتلميع والتنظيف. في ختام عملية الاسترداد ، للتحقق من أن الرقاقات الجاهزة تتوافق تمامًا مع معايير ومواصفات العملاء ، سنقوم بإجراء فحص الجودة النهائي قبل التعبئة ، ونضع الرقاقات المستصلحة في حاويات. الحاويات معبأة في أكياس مزدوجة ومُعلمة كخطوة أخيرة ، نقدم شهادة المطابقة و / أو شهادة التحليل ، كما هو مطلوب ، للتحقق من جودة المنتج.
فيما يلي صورة AFM بعد CMP كمثال:
تحضير سطح SiC:
طورت PAM-XIAMEN باستخدام خبرتها الطويلة في تنظيف رقاقة كربيد السيليكون ، وهي عملية قادرة على توفير تلوث معدني منخفض نظيف على الجديد ركائز SiC.
ربما يعجبك أيضا…
-
SIC التطبيق
نظرًا لخصائص SiC الفيزيائية والإلكترونية ، فإن الجهاز القائم على كربيد السيليكون مناسب تمامًا للأجهزة الإلكترونية الضوئية ذات الطول الموجي القصير ، ودرجات الحرارة المرتفعة ، والمقاومة للإشعاع ، والأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة / عالية التردد ، مقارنةً بجهاز Si و GaAs -
إيناس رقاقة
PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.
-
الغاليوم Epiwafer
تقوم شركة PAM-XIAMEN بتصنيع أنواع مختلفة من مواد أشباه الموصلات من النوع n المطلية بالسيليكون epi wafer III-V استنادًا إلى Ga وAl وIn وAs وP المزروعة بواسطة MBE أو MOCVD. نحن نوفر هياكل Epiwafer GaAs المخصصة لتلبية مواصفات العملاء، يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.
-
Ge (الجرمانيوم) بلورات ورقائق أحادية
تقدم شركة PAM-XIAMEN رقائق الجرمانيوم مقاس 2 و3 و4 بوصات و6 بوصات، وهي اختصار لرقائق Ge التي تنمو بواسطة VGF / LEC. يمكن أيضًا استخدام رقاقة الجرمانيوم من النوع P وN المخدرة بشكل خفيف في تجربة تأثير هول. في درجة حرارة الغرفة، يكون الجرمانيوم البلوري هشًا وله القليل من اللدونة. الجرمانيوم له خصائص أشباه الموصلات. يتم تطعيم الجرمانيوم عالي النقاء بعناصر ثلاثية التكافؤ (مثل الإنديوم والجاليوم والبورون) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع P؛ ويتم تخدير العناصر الخماسية التكافؤ (مثل الأنتيمون والزرنيخ والفوسفور) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع N. يتمتع الجرمانيوم بخصائص جيدة لأشباه الموصلات، مثل حركة الإلكترون العالية وحركة الفتحات العالية. -
كربيد يفر الركيزة
The company has a complete SiC(silicon carbide) wafer substrate production line integrating crystal growth, crystal processing, wafer processing, polishing, cleaning and testing. Nowadays we supply commercial 4H and 6H SiC wafers with semi insulation and conductivity in on-axis or off-axis, available size:5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” and 8″, breaking through key technologies such as defect suppression, seed crystal processing and rapid growth, promoting basic research and development related to silicon carbide epitaxy, devices, etc.
-
كربيد إبيتاز
نحن نقدم طبقة رقيقة مخصصة (كربيد السيليكون) SiC epitaxy على ركائز 6H أو 4H لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. تستخدم رقاقة SiC epi بشكل أساسي في الثنائيات Schottky ، والترانزستورات ذات التأثير الميداني لأشباه الموصلات بأكسيد المعادن ، وتأثير مجال الوصلة -
طليق الركيزة الجاليوم
قامت PAM-XIAMEN بتأسيس تكنولوجيا التصنيع الخاصة برقاقة الركيزة GaN القائمة بذاتها (نيتريد الغاليوم) ، وهي مخصصة لـ UHB-LED و LD. نمت بواسطة تقنية epitaxy طور بخار الهيدريد (HVPE) ، تتميز ركيزة GaN لدينا بكثافة عيوب منخفضة.
-
مقاومة ضوئية التصنيع النانوي
يوفر PAM-XIAMEN لوحًا مقاومًا للضوء مع مقاوم للضوء
