استصلاح رقاقة SiC
PAM-شيامن غير قادرة على تقديم كربيد التالية استعادة الخدمات الرقاقة.
- وصف
وصف المنتج
SiC يسترد رقاقة ويفر
PAM-شيامن غير قادرة على تقديم كربيد التالية استعادة الخدمات الرقاقة.
رقاقة SiC Reclaim:
PAM-XIAMEN قادر من خلال عمليات استعادة الملكية لتقديم ملف SiC استعادة خدمات الويفر لمصنعي أجهزة LED أو RF أو Power. قادرون على إزالة EPI أو EPI GaN أو طبقات الجهاز ، ثم تلميع السطح ، حتى الوصول إلى حالة Epi الجاهزة ، والتي يمكن لعملائنا إعادة تثبيتها مرة أخرى ، لتقليل التكلفة. حتى يمكن ضمان خشونة السطح <0.3 نانومتر حسب طلب العميل. كل رقاقة بواسطة CMP أو ملفوفة أو محفورة لإزالة الأنماط والخدوش والعيوب الأخرى. والنتيجة هي رقاقة نظيفة وعالية الجودة جاهزة للتلميع والتنظيف. في ختام عملية الاسترداد ، للتحقق من أن الرقاقات الجاهزة تتوافق تمامًا مع معايير ومواصفات العملاء ، سنقوم بإجراء فحص الجودة النهائي قبل التعبئة ، ونضع الرقاقات المستصلحة في حاويات. الحاويات معبأة في أكياس مزدوجة ومُعلمة. كخطوة أخيرة ، نقدم شهادة المطابقة و / أو شهادة التحليل ، حسب الاقتضاء ، للتحقق من جودة المنتج.
فيما يلي صورة AFM بعد CMP كمثال:
تحضير سطح SiC:
طورت PAM-XIAMEN باستخدام خبرتها الطويلة في تنظيف رقاقة كربيد السيليكون ، وهي عملية قادرة على توفير تلوث معدني منخفض نظيف على الجديد ركائز SiC.
ربما يعجبك أيضا…
-
SIC التطبيق
نظرا لكربيد الخصائص الفيزيائية والإلكترونية، جهاز كربيد السيليكون تستند هي مناسبة تماما لالكتروضوئي قصيرة الطول الموجي، ارتفاع في درجة الحرارة، ومقاومة للإشعاع، وعالية الطاقة / عالية التردد الأجهزة الإلكترونية، مقارنة مع سي والغاليوم جهاز -
الغاليوم Epiwafer
تقوم شركة PAM-XIAMEN بتصنيع أنواع مختلفة من مواد أشباه الموصلات من النوع n المطلية بالسيليكون epi wafer III-V استنادًا إلى Ga وAl وIn وAs وP المزروعة بواسطة MBE أو MOCVD. نحن نوفر هياكل Epiwafer GaAs المخصصة لتلبية مواصفات العملاء، يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.
-
مقاومة ضوئية التصنيع النانوي
PAM-شيامن عروض لوحة مقاومة للضوء مع مقاومة للضوء
-
شركة جنرال الكتريك (الجرمانيوم) بلورات واحدة ويفر
تقدم شركة PAM-XIAMEN رقائق الجرمانيوم مقاس 2 و3 و4 بوصات و6 بوصات، وهي اختصار لرقائق Ge التي تنمو بواسطة VGF / LEC. يمكن أيضًا استخدام رقاقة الجرمانيوم من النوع P وN المخدرة بشكل خفيف في تجربة تأثير هول. في درجة حرارة الغرفة، يكون الجرمانيوم البلوري هشًا وله القليل من اللدونة. الجرمانيوم له خصائص أشباه الموصلات. يتم تطعيم الجرمانيوم عالي النقاء بعناصر ثلاثية التكافؤ (مثل الإنديوم والجاليوم والبورون) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع P؛ ويتم تخدير العناصر الخماسية التكافؤ (مثل الأنتيمون والزرنيخ والفوسفور) للحصول على أشباه موصلات الجرمانيوم من النوع N. يتمتع الجرمانيوم بخصائص جيدة لأشباه الموصلات، مثل حركة الإلكترون العالية وحركة الفتحات العالية. -
كربيد إبيتاز
ونحن نقدم رقيقة مخصصة (كربيد السيليكون) كربيد تنضيد على 6H أو 4H ركائز لتطوير الأجهزة كربيد السيليكون. يستخدم كربيد برنامج التحصين الموسع رقاقة أساسا لالثنائيات شوتكي، أكسيد المعادن أشباه الموصلات والترانزستورات مجال التأثير، تأثير الحقل تقاطع -
طليق الركيزة الجاليوم
أنشأت PAM-شيامن التكنولوجيا لتصنيع قائما بذاته (نيتريد الغاليوم) الجاليوم الركيزة ويفر، التي هي لUHB-LED وLD. نما بنسبة تكنولوجيا هيدريد مرحلة البخار تنضيد (HVPE)، لدينا الركيزة الجاليوم ديها منخفض الكثافة عيب.
-
كربيد يفر الركيزة
The company has a complete SiC(silicon carbide) wafer substrate production line integrating crystal growth, crystal processing, wafer processing, polishing, cleaning and testing. Nowadays we supply commercial 4H and 6H SiC wafers with semi insulation and conductivity in on-axis or off-axis, available size:5x5mm2,10x10mm2, 2”,3”,4”, 6” and 8″, breaking through key technologies such as defect suppression, seed crystal processing and rapid growth, promoting basic research and development related to silicon carbide epitaxy, devices, etc.
-
إيناس رقاقة
PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.
