اختبار رقاقة مراقبة رقاقة رقاقة الدمية

رقاقة السيليكون العائمة المنطقة منطقة تعويم أحادية السيليكون
تشيكوسلوفاكيا أحادي السيليكون تشيكوسلوفاكيا أحادي البلورية السيليكون
اختبار رقاقة مراقبة رقاقة رقاقة الدمية

اختبار رقاقة مراقبة رقاقة رقاقة الدمية

باعتبارها شركة مصنعة للرقاقات الوهمية، تقدم PAM-XIAMEN رقاقة السيليكون الوهمية / رقاقة الاختبار / رقاقة المراقبة، والتي يتم استخدامها في جهاز الإنتاج لتحسين السلامة في بداية عملية الإنتاج وتستخدم لفحص التسليم وتقييم نموذج العملية. نظرًا لأن رقائق السيليكون الوهمية غالبًا ما تستخدم للتجربة والاختبار، فإن حجمها وسمكها يعدان من العوامل المهمة في معظم المناسبات. تتوفر الرقاقات الوهمية 100 مم، 150 مم، 200 مم، أو 300 مم.

الفئة: به: ، ، ، ، ،
  • وصف

وصف المنتج

اختبار رقاقة مراقبة رقاقة رقاقة الدمية

باعتبارها شركة مصنعة للرقاقات الوهمية، تقدم PAM-XIAMEN رقاقة السيليكون الوهمية / رقاقة الاختبار / رقاقة المراقبة، والتي يتم استخدامها في جهاز الإنتاج لتحسين السلامة في بداية عملية الإنتاج وتستخدم لفحص التسليم وتقييم نموذج العملية. نظرًا لأن رقائق السيليكون الوهمية غالبًا ما تستخدم للتجربة والاختبار، فإن حجمها وسمكها يعدان من العوامل المهمة في معظم المناسبات. تتوفر الرقاقات الوهمية 100 مم، 150 مم، 200 مم، أو 300 مم.

 

1. اختبار قائمة الويفر

1.1 رقاقة اختبار مصقولة أحادية الجانب من النوع N (200 رقم)

SL. لا غرض مواصفات SCL
1 طريقة النمو CZ
2 قطر الرقاقة 150 ± 0.5 ملم
3 سمك الرقاقة 675±25 ميكرومتر
4 اتجاه سطح الرقاقة <100> ± 2 درجة
5 المقوي الفوسفور
6 كثافة الخلع أقل من 5000/سم2
8 المقاومة النوعية 4-7Ωسم
9 تباين المقاومة الشعاعية (الحد الأقصى) 15٪
10 رتابة  
10 أ · القوس (الحد الأقصى) 60 ميكرون
10 ب · النقل البري الدولي (الحد الأقصى) 6 ميكرون
10 ج · تفتق (كحد أقصى) 12 ميكرون
10 د · الاعوجاج (الحد الأقصى) 60 ميكرون
11 شقة أساسية  
11 أ · طول 57.5±2.5 ملم
11 ب · توجيه {110}±2° حسب معيار SEMI
11 ج شقة ثانوية حسب معيار SEMI
12 تشطيب السطح الأمامي مرآة مصقولة
13 الأعلى. جزيئات بحجم ≥0.3 ميكرومتر 30
14 · الخدوش والضباب ورقائق الحواف وقشر البرتقال والعيوب الأخرى لا شيء
15 السطح الخلفي خالية من الأضرار محفورة
16 متطلبات التعبئة يجب أن تكون مختومة بالفراغ في بيئة الفئة "10" في عبوة مزدوجة الطبقة. يجب شحن الرقاقات في Fluorware ORION TWO شاحني الرقاقات أو ما يعادلها مصنوعة من مادة البولي بروبيلين فائقة النظافة

 

1.2 رقاقة اختبار مصقولة مزدوجة الجانب من النوع N (عدد 150)

SL. لا بند مواصفات SCL
1 طريقة النمو CZ
2 قطر الرقاقة 150 ± 0.5 ملم
3 سمك الرقاقة 675 ± 25 ميكرومتر
4 اتجاه سطح الرقاقة <100> ± 2 درجة
5 المقوي الفوسفور
6 كثافة الخلع أقل من 5000/سم2
8 المقاومة النوعية 4-7Ωسم
9 تباين المقاومة الشعاعية (الحد الأقصى) 15٪
10 رتابة  
10 أ · القوس (الحد الأقصى) 60 ميكرون
10 ب · النقل البري الدولي (الحد الأقصى) 6 ميكرون
10 ج · تفتق (كحد أقصى) 12 ميكرون
10 د · الاعوجاج (الحد الأقصى) 60 ميكرون
11 شقة أساسية  
11 أ · طول 57.5±2.5 ملم
11 ب · توجيه {110}±2° حسب معيار SEMI
11 ج شقة ثانوية حسب معيار SEMI
12 تشطيب السطح الأمامي مرآة مصقولة
13 الأعلى. جزيئات بحجم ≥0.3 ميكرومتر 30
14 · الخدوش، الضباب، رقائق الحافة، لا شيء
قشر البرتقال وعيوب أخرى
15 السطح الخلفي مرآة مصقولة
16 متطلبات التعبئة ينبغي أن تكون مختومة بالفراغ في الفئة "10"
البيئة في التعبئة طبقة مزدوجة.
يجب أن يتم شحن الرقائق في Fluorware
ORION TWO شاحني الرقاقات أو ما يعادلها
مصنوعة من مادة البولي بروبيلين فائقة النظافة

 

1.3 رقاقة المراقبة/رقاقة وهمية

مراقب/رقاقة سيليكون وهمية

قطر الرقاقة مصقول سطح الرقاقة سمك الرقاقة المقاومة النوعية جسيم
توجيه
4 " 1 جانب 100/111 250-500 ميكرومتر 0-100 0.2μm<الكمية30
6 " 1 جانب 100 500-675 ميكرومتر 0-100 0.2μm<الكمية30
8 " 1 جانب 100 600-750 ميكرومتر 0-100 0.2μm<الكمية30
12 " 2 جانب 100 650-775 ميكرومتر 0-100 0.09μm<الكمية100

 

1.4 رقائق متجددة مقاس 200 مم

غرض# معامل الوحدات القيمة الملاحظات
1 طريقة النمو   CZ  
2 توجيه   1-0-0  
3 المقاومة النوعية أوم.سم 1-50  
4 النوع / منشط   ص،ن/  
البورون، الفوسفور
5 سماكة مم 1غ. – 620,  
2غ. - 650
3غ. - 680
4غ. - 700
5غ. - 720
6 جي بي آي آر (تلفزيون مم 1-3غ. <30،  
4-5غ. <20
7 جلفر (تير مم <10  
8 اعوجاج مم <60  
9 قوس مم <40  
10 التلوث بالمعادن 1/سم2 <3E10  
11 السطح الأمامي   مصقول  
12 السطح الأمامي مرئي:      
الضباب والخدوش والبقع والبقع   لا شيء
قشر البرتقال   لا شيء
الشقوق والحفر   لا شيء
13 الجانب الأمامي LPD:     يجب ألا يقل عدد الرقائق ذات قيمة المعلمة المذكورة عن 80% من الدفعة،
< 0.12 متر   <100
<0,16 متر   <50
<0,20 متر   <20
<0,30 متر   <10

 

1.5 رقاقة السيليكون Coinroll

المواصفات: 12 بوصة، سيليكون عاري، سمك > 750 ميكرون، درجة، خدش طفيف وبقع سنقوم بمعالجة مياه IPA وDI بتقنية Ultra الصوتية. (PAM171117-SI)

2. تعريف الرقاقة الوهمية

رقاقة وهمية(وتسمى أيضًا برقائق الاختبار) عبارة عن رقاقة وهمية من Si تستخدم بشكل أساسي للتجربة والاختبار وتختلف عن الرقاقات العامة للمنتج. وبناءً على ذلك، يتم تطبيق الرقاقات المستصلحة في الغالب على شكل رقائق من الدرجة الوهمية (رقائق الاختبار).

في كل عملية، يتم قياس سمك الفيلم، ومقاومة الضغط، ومؤشر الانعكاس، ووجود الكرة والدبابيس باستخدام رقاقة Si وهمية (رقاقة اختبار). كما تُستخدم الرقائق الوهمية (رقائق الاختبار) لقياس حجم النموذج والتحقق من العيوب وما إلى ذلك في الطباعة الحجرية.

مراقبة الرقائقهي رقائق السيليكون العارية التي سيتم استخدامها في حالة الحاجة إلى إجراء تعديل في كل خطوة إنتاج قبل إنتاج IC الفعلي. على سبيل المثال، عندما يتم تحديد شروط كل عملية، مثل حالة قياس تسامح الجهاز ضد (اختلاف) سمك الركيزة، يتم استخدام رقائق السيليكون ذات اللفائف المعدنية لرقائق المباعد كبديل للرقائق عالية المستوى وعالية القيمة . علاوة على ذلك، يتم استخدامها أيضًا لغرض المراقبة في العملية جنبًا إلى جنب مع رقائق المنتج. تعد رقائق المراقبة من مواد الرقاقة الضرورية التي لا تقل أهمية عن الرقائق الأساسية للمنتج. يطلق عليها أيضًا اسم رقائق الاختبار والرقائق الوهمية.

لمزيد من تفاصيل المنتج أو إذا كانت لديك المواصفات المطلوبة، يرجى الاتصال بنا على luna@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com.

رقائق السيليكون درجة الاختبار-1

رقائق السيليكون الصف الاختبار-2

رقائق السيليكون درجة الاختبار-3

رقائق السيليكون درجة الاختبار-4

رقائق السيليكون الصف الاختبار-5

رقائق السيليكون درجة الاختبار-6

رقائق السيليكون درجة الاختبار-7

رقائق السيليكون درجة الاختبار-8

رقائق السيليكون درجة الاختبار-9

رقائق السيليكون بدرجة الاختبار-10

رقائق السيليكون درجة الاختبار-11

رقاقة سيليكون من الدرجة الوهمية مقاس 8 بوصات

12 "سمك رقاقة السيليكون من الدرجة الوهمية 700-730um

12 "سمك رقاقة السيليكون من الدرجة الوهمية 650-700um

12 درجة اختبار رقاقة السيليكون

4 ″ رقائق السيليكون بدرجة الاختبار مع جانب واحد مصقول

رقاقة وهمية مقاس 12 بوصة

ربما يعجبك أيضا…

  • رقاقة النقش
    المزيد

    رقاقة النقش

    رقائق السيليكون المحفورة التي تقدمها شركة PAM-XIAMEN هي رقائق محفورة من النوع N أو النوع P، والتي تتميز بخشونة منخفضة، وانعكاسية منخفضة وانعكاسية عالية. تتميز رقاقة النقش بخصائص الخشونة المنخفضة واللمعان الجيد والتكلفة المنخفضة نسبيًا، وتحل محل الرقاقة المصقولة أو الرقاقة الفوقية التي لها تكلفة عالية نسبيًا لإنتاج العناصر الإلكترونية في بعض المجالات، مما يقلل التكاليف.

  • ويفر مصقول
    المزيد

    ويفر مصقول

    يمكن أن تقدم PAM-XIAMEN الرقاقة المصقولة، من النوع n أو النوع p مع الاتجاه عند <100> أو <110> أو <111>. رقائق مصقولة من FZ، تُستخدم أساسًا لإنتاج مقوم السيليكون (SR)، ومقوم التحكم بالسيليكون (SCR)، والترانزستور العملاق (GTR)، والثايرستور (GRO)

  • تشيكوسلوفاكيا أحادي السيليكون
    المزيد

    تشيكوسلوفاكيا أحادي البلورية السيليكون

    يمكن لشركة PAM-XIAMEN، وهي شركة منتجة للسيليكون أحادي البلورية، أن تقدم رقائق السيليكون أحادية البلورية <100> و<110> و<111> مع إشابة N&P في 76.2~200 مم، والتي يتم زراعتها بطريقة CZ. طريقة Czochralski هي طريقة نمو بلوري، يشار إليها باسم طريقة CZ. يتم دمجه في نظام حرارة الأنبوب المستقيم، الذي يتم تسخينه بواسطة مقاومة الجرافيت، ويذيب البولي سيليكون الموجود في بوتقة كوارتز عالية النقاء، ثم يقوم بإدخال بلورة البذور في سطح الذوبان للحام. بعد ذلك، يتم خفض وذوبان بلورة البذور الدوارة. يتم اختراق الجسم ولمسه، ثم رفعه تدريجيًا، وإنهائه أو سحبه من خلال خطوات العنق، والرقبة، والكتف، والتحكم في القطر المتساوي، والتشطيب.

  • رقاقة السيليكون فوق المحاور
    المزيد

    رقاقة السيليكون فوق المحاور

    رقاقة السيليكون الفوقي (Epi Wafer) عبارة عن طبقة من بلورة السيليكون الفوقي المفردة المترسب على رقاقة السيليكون البلورية المفردة (ملاحظة: إنها متاحة لتنمية طبقة من طبقة السيليكون البلورية المتعددة فوق رقاقة السيليكون البلورية المفردة شديدة التطعيم، ولكنها يحتاج إلى طبقة عازلة (مثل الأكسيد أو بولي-Si) بين ركيزة Si السائبة وطبقة السيليكون الفوقي العلوية، كما يمكن استخدامه لترانزستور الفيلم الرقيق.

  • قوالب GaN
    المزيد

    قوالب GaN
    تتكون منتجات قوالب PAM-XIAMEN من طبقات بلورية من قوالب GaN (نيتريد الغاليوم) وقالب AlN (نيتريد الألومنيوم) وقوالب AlGaN (نيتريد الألومنيوم الغاليوم) وقوالب InGaN (نيتريد الغاليوم الإنديوم) المترسبة على الياقوت.
  • SiC Epitaxy
    المزيد

    SiC Epitaxy
    نحن نقدم طبقة رقيقة مخصصة (كربيد السيليكون) SiC على ركائز 6H أو 4H لتطوير أجهزة كربيد السيليكون. يتم استخدام رقاقة SiC epi بشكل أساسي في ثنائيات شوتكي، وترانزستورات التأثير الميداني لأشباه الموصلات المصنوعة من أكسيد المعدن، وتأثير مجال الوصلات
  • رقاقة السيليكون العائمة المنطقة
    المزيد

    منطقة تعويم أحادية السيليكون

    يمكن لشركة PAM-XIAMEN أن تقدم رقاقة السيليكون ذات المنطقة العائمة، والتي يتم الحصول عليها بطريقة المنطقة العائمة. يتم الحصول على قضبان السيليكون أحادية البلورية من خلال نمو المنطقة العائمة، ومن ثم معالجة قضبان السيليكون أحادية البلورية إلى رقائق السيليكون، والتي تسمى رقائق السيليكون ذات المنطقة العائمة. نظرًا لأن رقاقة السيليكون المنصهرة في المنطقة ليست على اتصال مع بوتقة الكوارتز أثناء عملية السيليكون في المنطقة العائمة، فإن مادة السيليكون تكون في حالة معلقة. وبالتالي، فهو أقل تلوثًا أثناء عملية ذوبان السيليكون في المنطقة العائمة. محتوى الكربون ومحتوى الأكسجين أقل، والشوائب أقل، والمقاومة أعلى. إنها مناسبة لتصنيع أجهزة الطاقة وبعض الأجهزة الإلكترونية ذات الجهد العالي.

  • ويفر GaAs Epi
    المزيد

    GaAs Epiwafer

    تقوم شركة PAM-XIAMEN بتصنيع أنواع مختلفة من مواد أشباه الموصلات من النوع n المطلية بالسيليكون epi wafer III-V استنادًا إلى Ga وAl وIn وAs وP المزروعة بواسطة MBE أو MOCVD. نحن نوفر هياكل Epiwafer GaAs المخصصة لتلبية مواصفات العملاء، يرجى الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات.

منتجات ذات صله

  • 12" silicon oxide wafer
    المزيد

    رقائق السيليكون 12 بوصة 300 مم TOX (رقاقة الأكسدة الحرارية Si)

    PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • Test Silicon Wafer
    المزيد

    12 درجة اختبار رقاقة السيليكون

    PAM-XIAMEN offers 300mm bare silicon wafers (12 inch) dummy, test grade, n type or p type. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer offers professional service with competitive prices.

  • prime grade 300mm Silicon Wafer
    المزيد

    12 ″ رقاقة سيليكون الدرجة الممتازة

    PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.