رقاقة InGaAsP / InP ذات الهيكل المزدوج
تعد مادة InGaAsP المزروعة فوق الفوقي على الركيزة InP مادة مهمة لتصنيع الأجهزة الإلكترونية الضوئية وأجهزة الميكروويف. يغطي الطول الموجي للانبعاث لبنية الليزر InGaAsP / InP ما بين 1.0 إلى 1.7 ميكرومتر، ويغطي نافذتين منخفضتي الفقد تبلغ 1.3 ميكرومتر و1.55 ميكرومتر لاتصالات ألياف السيليكا. ولذلك، يستخدم InGaAsP على نطاق واسع في...