العلامة - رقاقة السيليكون

ترابط رقاقة السيليكون الكاملة مع طبقة ذرية تترسب ثاني أكسيد التيتانيوم وأغشية وسيطة من أكسيد الألومنيوم

ربط رقاقة السيليكون الكاملة مع طبقة ذرية مترسبة من ثاني أكسيد التيتانيوم وأغشية وسيطة من أكسيد الألومنيوم تستخدم رقائق السيليكون على العازل (SOI) المصنوعة عن طريق ربط الرقاقة المباشرة على نطاق واسع كركائز أولية لتصنيع الأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS). إن إضافة طبقة أخرى بجوار SiO2 SOI، أو استبدالها بمادة أخرى، ستكون طريقة [...]

التوصيف المتقدم للخلايا الشمسية لرقاقة السيليكون

الملخص: يلعب التوصيف المتقدم دورًا مهمًا في إجراء مزيد من التحسينات على فعالية التكلفة ($/Wp) للخلايا الشمسية. تقدم هذه الورقة لمحة عامة عن تقنيات التوصيف المتقدمة التي يتم استخدامها حاليًا لتحليل الخلايا الشمسية لرقائق السيليكون، سواء في المختبر أو في المصانع. وتشمل التقنيات المشمولة التصوير بالتلألؤ، […]

يقوم مهندسو شركة Imec بتكوين FinFETs أسرع من أشباه الموصلات المركبة على رقاقة السيليكون

الملخص: يلعب التوصيف المتقدم دورًا مهمًا في إجراء مزيد من التحسينات على فعالية التكلفة ($/Wp) للخلايا الشمسية. تقدم هذه الورقة لمحة عامة عن تقنيات التوصيف المتقدمة التي يتم استخدامها حاليًا لتحليل الخلايا الشمسية لرقائق السيليكون، سواء في المختبر أو في المصانع. وتشمل التقنيات المشمولة التصوير بالتلألؤ، […]

رقاقة السيليكون

Silicon Wafer Si wafer Substrate -Silicon Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm   a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b (1-200)E16 N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525 N/A <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 350-500 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si with electrodes (100) 50.8 400 N/A <0.05 N/p 1E14-1E15 N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275±25 SSP 1~10 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 350±15 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 430±15 SSP 5000-8000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 410±15 SSP 1~20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 400-500 SSP >5000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 525±25 SSP 1~50 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 SSP 1~10 N  P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 76.2 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 SSP N/A N/P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 320 SSP >2500ohm·cm P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP 10~30 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 505±25 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 381 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer 3000A (100) 100 675±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP N/A P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500±25 SSP 1~25 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500 SSP 1~10 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500±25 P/E 1-10 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500/525±25 P/P 1-10 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500/525±25 N/A N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 150 675±25 N/A  0.001-0.004 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 150 675±25 N/A  0.001-0.004 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100)/(111) 150 550~650 DSP N/A N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100)/(111) 150 600-700 SSP <0.5 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 150 400±25 DSP <50 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 150 545 P/E 1-3 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 200 725±25 SSP 1~25 P/ N/A N/A N/A As a [...]