رقاقة سيليكون من فئة الاختبار 4 بوصة مع جانب واحد مصقول

  • منزل
  • أخبار
  • رقاقة سيليكون من فئة الاختبار 4 بوصة مع جانب واحد مصقول

رقاقة سيليكون من فئة الاختبار 4 بوصة مع جانب واحد مصقول

يمكن أن تقدم PAM-XIAMEN رقاقة سيليكون بدرجة اختبار 4 بوصة مع جانب واحد مصقول. معلمات رقاقة 4 -SSP Si عند درجة الاختبار هي كما يلي:

اختبار رقاقة السيليكون

1. معلمات رقاقة الكريستال المفردة Si عند درجة الاختبار

ويفر PAM-210310-Si

SL. لا بند المواصفات
1 طريقة النمو CZ
2 رقاقة قطر 100 ± 0.5 مم
3 سماكة الويفر 525 ± 25 ميكرومتر
4 توجيه سطح الرقاقة <100> ± 0.5 درجة
5 نوع نوع P.
6 المقوي البورون
7 خلع الكثافة أقل من 5000 / سم 2
8 المقاومية 2-8 أوم سم
9 تغير المقاومة الشعاعية (كحد أقصى) N / A
10 رتابة
10 أ BOW (حد أقصى) 50 ميكرومتر
10 ب TIR N / A
10 ج TTV 10 ميكرومتر
10 د اعوجاج N / A
11 شقة أساسية
11 أ طول 32.5 ± 2.5 ملم
11 ب اتجاه (110) ± 0.2 حسب معيار SEMI
11 ج شقة ثانوية حسب معيار SEMI
12 الانتهاء من السطح الأمامي مرآة مصقولة
13 الأعلى. جسيمات بحجم ≥0.3 ميكرومتر <30 قطعة
14 الخدوش والضباب ورقائق الحواف وقشر البرتقال وعيوب أخرى N / A
15 السطح الخلفي محفور
16 متطلبات التعبئة والتغليف رقاقة الكاسيت

2. Future Development of Test Grade Silicon Wafer

السليكون البلوري الأحادي عالي النقاء هو مادة شبه موصلة مهمة. يمكن تشكيل أشباه الموصلات السيليكونية من النوع p عن طريق إضافة كمية صغيرة من عناصر المجموعة IIIA إلى السيليكون أحادي البلورية ؛ تتم إضافة كمية صغيرة من عناصر المجموعة VA لتشكيل أشباه الموصلات من النوع n. يتم دمج أشباه الموصلات من النوع p وأشباه الموصلات من النوع n لتشكيل تقاطع pn. بالإضافة إلى ذلك ، فإن الثنائيات والثنائيات والثايرستور وترانزستورات التأثير الميداني والدوائر المتكاملة المختلفة (بما في ذلك الرقائق ووحدات المعالجة المركزية في أجهزة الكمبيوتر) كلها مصنوعة من السيليكون. درجة اختبار رقاقة السيليكون هي مادة واعدة في تطوير الطاقة.

في الوقت الحالي ، لا تزال صناعة الخلايا الكهروضوئية تهيمن عليها رقائق السيليكون من النوع P. رقائق السيليكون من النوع P مخدرة بالبورون. معامل فصل البورون والسيليكون مكافئ ، كما يسهل التحكم في انتظام التشتت. لذلك ، فإن عملية التصنيع بسيطة ، والتكلفة أقل ، ولكن أعلى كفاءة لها حدود. رقائق السيليكون من النوع N مخدرة بالفوسفور ، وتوافق الفوسفور مع السيليكون ضعيف. يكون توزيع الفسفور غير متساوٍ عند سحب القضيب ، وتكون العملية أكثر تعقيدًا. ومع ذلك ، فإن رقاقة السيليكون ذات درجة الاختبار من النوع N عادة ما يكون لها عمر أطول ، ويمكن أن تكون كفاءة البطارية أعلى. يشير تحسين الكفاءة إلى تحسين كفاءة التحويل الكهروضوئي. لذلك في المستقبل ، يعتمد التطور التكنولوجي لرقائق السيليكون بشكل أساسي على تحسين الكفاءة وخفض التكاليف.

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على victorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2021-04-14

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

CVD Single Crystal Diamond

Single crystal diamond for sale from PAM-XIAMEN is grown by chemical vapor deposition (CVD), which is a method of decomposing hydrogen and hydrocarbon gas into hydrocarbon active groups at high temperature, and depositing diamond on the substrate material under certain conditions. Theoretically, the method is [...]

2019-04-19مؤلف ميتا
4″ FZ Prime Silicon Wafer-6

PAM XIAMEN offers4″ FZ Prime Silicon Wafer-6 Substrate Monocrystalline Silicon Diameter 100 ±0.3mm Growth method Fz Lifetime>1000µsec Thickness 600± 25µm Type/Dopant N/Phosphorus Orientation[110]±0.5° Resistivity>5,000 Ωcm TTV<10µm Bow/Warp<40µm Primary Flat Location@[111]±<0.25° Primary Flat Length 32.5± 2.5mm Secondary Flat Location@[111]70.5° CW from primary flat Front side finish [...]

2019-09-20مؤلف ميتا
GaAs HEMT epi wafer

PAM-XIAMEN can offer 4” GaAs HEMT epi wafer with 2D electron gas (2DEG) and very high electron mobility of 5-7E5 cm2/V.s, please see below typical wafers of gallium arsenide with HEMT structure: 1. GaAs HEMT Epitaxial Wafer Structures Structure 1: 4″ AlGaAs / GaAs HEMT epi wafer (PAM200416-HEMT): HEMT [...]

2013-11-19مؤلف ميتا
A fracture criterion for gallium arsenide wafers

A fracture criterion for gallium arsenide wafers The fracture of single crystal gallium arsenide (GaAs) semi-conducting wafers was studied. Prismatic beam specimens, cut at different crystallographic orientations from thin wafers, were loaded to failure in four-point bending. Fracture in these crystals occurred predominantly on the [...]

2013-10-30مؤلف ميتا
Low-Concentration Deep Traps in 4H-SiC Grown with High Growth Rate by Chemical Vapor Deposition

Epitaxial growth was performed on 8° off-axis 4H-SiC(0001) by horizontal hot-wall chemical vapor deposition (CVD) in a SiH4-C3H8-H2 system at 1550°C. High growth rates of 10–13 µm/h were attained by growth with a high SiH4 flow rate of 4.0 sccm. A mirror like surface [...]

2019-03-27مؤلف ميتا
2″ Prime Silicon Wafer Tnickness 675 +/- 20 microns

PAM XIAMEN offers 2″ Prime Silicon Wafer Tnickness 675 +/- 20 microns. 2 inch in diameter wafers Monocrystalline silicon with insulating oxide Polishing: one-sided for microelectronics Thickness: 675 +/- 20 microns TTV <15 microns, Warping <35 microns For more information, please visit our website: [...]

2019-07-01مؤلف ميتا