أعلى 10 النشر في مجال الالكترونيات الدقيقة والتعبئة والتغليف الإلكترونية التي كتبها استشهاد

  • منزل
  • أخبار
  • أعلى 10 النشر في مجال الالكترونيات الدقيقة والتعبئة والتغليف الإلكترونية التي كتبها استشهاد

أعلى 10 النشر في مجال الالكترونيات الدقيقة والتعبئة والتغليف الإلكترونية التي كتبها استشهاد

أعلى 10 النشر في مجال الالكترونيات الدقيقة والتعبئة والتغليف الإلكترونية التي كتبها استشهاد

بريد: PAM-شيامنوتاريخ: يناير 13،2020

وقد جمعت PAM-شيامن أعلى 10 البيانات الترتيب واسم المنشور في الدقيقة والتعبئة والتغليف الإلكترونية من قبل الاستشهاد في عامل التأثير (مؤشر h5 والوسيط H5، وفقا لجوجل الباحث)

PAM-شيامن هي الشركة الرائدة في مجال رقاقة أشباه الموصلات مثل كربيد رقاقة والجاليوم رقاقة لجهاز الالكترونيات الدقيقة أو أجهزة أشباه الموصلات

نشر أعلى هم:

 

منشور مؤشر h5 متوسط ​​h5
1. المعاملات IEEE على الأجهزة الإلكترونية 56 66
2. خطابات جهاز IEEE الكترون 53 69
3. اجتماع IEEE الدولية الكترون الأجهزة، IEDM 44 62
4. رسائل الالكترونيات 39 50
5. الهندسة الدقيقة 34 46
6. الالكترونيات الدقيقة الموثوقية 32 42
7. المعاملات IEEE على مكونات والتغليف وتكنولوجيا التصنيع 30 37
8. IEEE / MTT S-الندوة الدولية ميكروويف 28 38
9. الالكترونيات الدقيقة مجلة 28 36
10. ندوة IEEE على تقنية VLSI 27 46

إشارة: الالكترونيات الدقيقة والتعبئة والتغليف الإلكترونية

 

 

 

 

 

 

 

أعلى 1 هو المعاملات IEEE على الكترون الأجهزة، التي تنشر المساهمات الأصلية والهامة المتصلة نظرية، والنمذجة والتصميم والأداء والاعتمادية من الإلكترونات والأيونات متكاملة أجهزة الدوائر الكهربائية والوصلات. في هذا المنشور، أعلى 5 المواد لديها أكبر مساهمة مؤشر h5:

 

العنوان / الكاتب استشهد بها عام
Experimental Demonstration and Tolerancing of a Large-Scale Neural Network (165 000 Synapses) Using Phase-Change Memory as the Synaptic Weight Element

GW الأزيز، RM شيلبي، S سيدلر، C دي Nolfo، J جانغ، I Boybat، RS شينوي، ...

 353 2015
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications

KJ تشن يا Häberlen، A Lidow، C لين تساي، T اويدا، Y Uemoto، Y وو

 205 2017
Vertical Power pn Diodes Based on Bulk GaN

IC Kizilyalli، AP إدواردز، O اكتاس، T برونتي، D سبع البور

 170 2014
Basic Mechanisms of Threshold-Voltage Instability and Implications for Reliability Testing of SiC MOSFETs

AJ Lelis، R الأخضر، DB Habersat، M شركة

 155 2014
Crossbar RRAM Arrays: Selector Device Requirements During Read Operation

J تشو، KH كيم، W لو

 107 2014

 

واقترح نظام التقييم H-عامل في الأصل من قبل خورخي هيرش، وهو فيزيائي ولاية كاليفورنيا، لتقييم تأثير عالما. وهذا يعني أن الشخص قد استشهد ما لا يقل عن ن الأوراق في كل أوراقه الأكاديمية المنشورة، وله ح مؤشر هو ن. وبالمثل، وجوجل الاستخدامات عالم أنها لتقييم مجلة ويضع حدا زمنيا مدته خمس سنوات لتجنب المشكلة أن عامل H فقط زيادة ولا نقصان. مفهوم آخر ذي صلة هو H5 الوسيط، الذي يشير إلى عدد من الاستشهادات من H-CORE أوراق المتوسط. وهو أيضا يختلف عن مفهوم المتوسط ​​عند حساب عوامل التأثير.

مقارنة مع عوامل التأثير لمدة عامين، فإنه من الصعب على الناس أن التلاعب عمدا المؤشرات مجلة المقاييس على H5. لا يزيد من عامل H5 بشكل كبير نظرا لوجود عدد من الأوراق المذكورة. كما ذكر في وقت سابق، عن عمد الحد فإن عدد المشاركات يكن فقط أي تأثير على تعزيز عوامل H5، ولكن أيضا أن يكون لها تأثير سلبي. هنا H5 هو بسبب مقالات نشرت في 2014-2018

 

تعريف: الالكترونيات الدقيقة والتغليف الالكترونية: دراسة وتصنيع الالكترونيات الدقيقة، ورقائق متعددة وحدة التقنيات والتعبئة والتغليف الإلكترونية، ومواد أشباه الموصلات، سطح جبل وغيرها من التكنولوجيات ذات الصلة، والترابط، RF وأفران ميكروويف والاتصالات اللاسلكية وتصنيع وتصميم واختبار والموثوقية استنادا إلى المواد أشباه الموصلات مثل رقاقة السيليكون، كربيد ويفر، والجاليوم رقاقة. سلسلة عملية كاملة هي الركيزة أشباه الموصلات، وتنضيد أشباه الموصلات، وأجهزة أشباه الموصلات أو وحدة نمطية والتعبئة والتغليف الإلكترونية.

 

2020-01-13

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

4″ FZ Silicon Ignot-4

PAM XIAMEN offers 4″FZ Silicon Ignot. Silicon ingot, per SEMI, 100.7±0.3mmØ, FZ n-type Si:P[111]±2.0°, Ro=(2,000-4,000)Ohmcm, NO Flats. NOTE: Oxygen<1E16/cc, Carbon<1E16/cc, MCC Lifetime>1,000µs For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material [...]

2019-07-05التلوي المؤلف
2″ رقاقة سيليكون-1

PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment p-type Si:B [110] ±0.5° 2″ 279 P/E FZ >1,000 p-type Si:B [100] 2″ 300 P/E FZ 2,800-3,300 SEMI Prime, TTV<7μm p-type Si:B [100] 2″ 300 P/E FZ 2,800-3,300 SEMI Prime, TTV<7μm p-type Si:B [100] 2″ 300 P/E FZ 2,800-3,300 SEMI Prime, TTV<7μm p-type Si:B [111] ±0.5° 2″ 500 P/P FZ 5,000-6,500 SEMI Test (in unsealed cassette) p-type Si:B [111] ±0.5° 2″ 275 P/E FZ 3,000-5,000 SEMI Prime, Lifetime>2,000μs, in hard cassettes of 5 wafers p-type Si:B [111-7° towards[110]] ±0.5° 2″ 279 P/P FZ >2,000 SEMI Prime p-type Si:B [111] ±0.5° 2″ 331 P/E FZ 2,000-5,000 SEMI, Soft cst p-type Si:B [111] ±0.5° 2″ 331 P/E FZ 2,000-5,000 SEMI TEST (Scratched), Soft cst p-type Si:B [111] ±0.5° 2″ 331 P/E FZ 2,000-5,000 SEMI [...]

2019-03-07التلوي المؤلف
Silicon Wafer Thickness:275+- 25µm

PAM XIAMEN offers Silicon Wafer Thickness:275+- 25µm. Silicon Wafer ,2in Si Wafer,P/Boron <111> ON +-1°, 0.01-0.02 Ohm-cm ,275+- 25µm Thickness,SSP, PRIME -Si Wafers,Single SidePolished/Etched Back, Primary Semi Std Flat, Surface Roughness <1nm For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at [...]

2019-08-22التلوي المؤلف
GaN LEDs fabricated using SF6 plasma RIE

We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who bought our wafers or service: Article title:GaN LEDs fabricated using SF6 plasma RIE Published by: Wasif Khan ; Xiaopeng Bi ; Bin Fan ; Wen Li Department of Electrical and [...]

2019-12-02التلوي المؤلف
Evidence for Deep Acceptor Centers in Plant Photosystem I Crystals

We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University, Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who bought our wafers or service: Article title:Evidence for Deep Acceptor Centers in Plant Photosystem I Crystals Published by: Irina Volotsenko ; Michel Molotskii ; Anna Borovikova ; Nathan [...]

2019-12-09التلوي المؤلف
Silicon Ingots -2

Silicon Ingots -2 PAM XIAMEN offers Silicon Ingots. Below is just a short list. Contac us if you need other specs!       All diameters! Note: Material – CZ unless noted Kg in Properties of Silicon Stock Silicon Ingots Material Description 19.35 FZ SCRAP material n-type, Ro: 1,000-10,000 Ohmcm 5.6 FZ SCRAP material Intrinsic, Ro: >10,000 Ohmcm 5.12 6″Ø ingot [...]

2019-02-15التلوي المؤلف