أهم منشورات 20 في الهندسة وعلوم الكمبيوتر

  • منزل
  • أخبار
  • أهم منشورات 20 في الهندسة وعلوم الكمبيوتر

أهم منشورات 20 في الهندسة وعلوم الكمبيوتر

كشركة مصنعة رائدة لمواد أشباه الموصلات ، تهدف PAM-XIAMEN إلى توفير رقائق أشباه الموصلات عالية الجودة بما في ذلك الركيزة والتركيب من SiC و GaN و GaAs وغيرها من المواد ، مما يدعم العلماء والمهندسين في جميع أنحاء العالم لتطوير التكنولوجيا وابتكارها.يرجى العرضhttps://www.powerwaywafer.com/products.htmlلمزيد من الرقائق.

تم الاستشهاد بقائمة أفضل 20 منشورًا في الهندسة وعلوم الكمبيوتر بواسطة PAM-XIAMEN. المنشورات التفصيلية يرجى الاطلاع على الجدول أدناه:

أهم منشورات 20 في الهندسة وعلوم الكمبيوتر
منشور مؤشر h5 متوسط ​​h5
1 مؤتمر IEEE / CVF حول رؤية الكمبيوتر والتعرف على الأنماط 389 627
2 مواد متطورة 312 418
3 المؤتمر الدولي لتمثيل التعلم 286 533
4 نظم معالجة المعلومات العصبية 278 436
5 المؤتمر الدولي IEEE / CVF حول رؤية الكمبيوتر 239 415
6 المؤتمر الدولي للتعلم الآلي 237 421
7 المتجددة والمستدامة التعليقات الطاقة 227 324
8 مواد الطاقة المتقدمة 220 300
9 ACS نانو 211 277
10 مجلة الإنتاج الأنظف 211 273
11 مواد وظيفية متقدمة 210 280
12 علوم الطاقة والبيئة 202 290
13 وصول IEEE 200 303
14 الحفز التطبيقي ب: بيئي 192 246
15 المؤتمر الأوروبي للرؤية الحاسوبية 186 321
16 مواد الطبيعة 181 265
17 مجلة الهندسة الكيميائية 181 224
18 مؤتمر AAAI حول الذكاء الاصطناعي 180 296
19 مجلة كيمياء المواد أ 178 220
20 المواد التطبيقية وواجهات ACS 177 223

المرجع: الهندسة وعلوم الكمبيوتر

حول الهندسة وعلوم الكمبيوتر

الهندسة وعلوم الكمبيوتر درس أكاديمي. والدرس يختلف بين الكليات. عادةً ما يشمل الدرس البرمجة والخوارزميات وهياكل البيانات والحوسبة المتوازية والأنظمة المدمجة وتصميم الخوارزميات وتحليل الدوائر والإلكترونيات والمنطق الرقمي وتصميم المعالج ورسومات الكمبيوتر والحوسبة العلمية وهندسة البرمجيات وأنظمة قواعد البيانات ومعالجة الإشارات الرقمية والمحاكاة الافتراضية ، المحاكاة الحاسوبية وبرمجة الألعاب ، هندسة الحاسوب ، أنظمة التشغيل ، شبكات الحاسوب.

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات حول الرقاقة ، يرجى الاتصال بنا عبر البريد الإلكتروني علىvictorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2022-08-26

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

6″FZ برايم سيليكون ويفر-3

تقدم PAM XIAMEN رقاقة 6″FZ Prime Silicon Wafer-3 6″ FZ Si، 75 قطعة الاتجاه: (100)±0.5 النوع/الصبغ: n/الفوسفور المقاومة: 1-5 Ω-cm مدة الحياة: > 1000 μs السُمك: 400 ± 25 ميكرومتر كربون (atm/cm3): <2.0 × 1016 الأكسجين (atm/cm3): <2 × 1016 القطر: 150 مم مسطح أساسي: شبه قياسي مسطح ثانوي: ليس ضروريًا الجانب الأمامي والخلفي النهاية: [...]

2020-04-23مؤلف ميتا
Test grade silicon wafers-6

PAM XIAMEN offers test grade silicon wafers Below is just a short list of the test grade silicon substrates! Inches Cust class Dopant Type Orientation PFL length PFL direction SFL Off orientation Resistivity Diameter Thickness Bow TTV Warp 6 SSP Boron P+ 100 57,5 ± 2,5 100 ± 1 0.0 ± 5.0 ° 0.001 – 100 Ohmcm 150 ± 0.5 mm 675 ± 200 µm 100 20 100 6 SSP Boron P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0.0 ± 0.5 ° > [...]

2019-02-25مؤلف ميتا
InSb Wafer Polishing

PAM-XIAMEN can provide wafer polishing service for III-V compound wafers (such as InSb wafer, GaSb wafer, InAs wafer), ultra-thin semiconductor wafer, CZT wafer and other photoelectric materials. We aim to adopt a high-precision chemical polishing process to minimal surface damage. Take the InSb wafer [...]

2022-02-16مؤلف ميتا
YSZ crystal-3

PAM XIAMEN offers YSZ crystal. YSZ crystal is grown by “cold crucible” method. It is very difficult to get a larger size YSZ crystal. PAM XIAMEN supplies YSZ crystal wafer up to 2″ diameter. YSZ substrates (111) YSZ (111) 5x5x0.5mm, 1SP” YSZ (111) 10x10x0.5mm, [...]

2019-05-21مؤلف ميتا
Chloride-based SiC growth on a-axis 4H-SiC substrates

SiC has, during the last few years, become increasingly important as a power-device material for high voltage applications. The thick, low-doped voltage-supporting epitaxial layer is normally grown by CVD on 4° off-cut 4H-SiC substrates at a growth rate of View the MathML source using silane [...]

2015-08-27مؤلف ميتا ،
CZT High Resolution Pixel Detector

PAM-PA01 series are pixel electrode structured detectors based on CZT crystal. They can detect X-ray, γ-ray and imaging. They have a high energy and space resolution. 1. Specification of CZT High Resolution Pixel Detector Material CdZnTe Density 5.8g/cm3 Volume resistance >1010Ω.cm Dimensions 10.0×10.0mm2 Thickness 2.0mm 5.0mm Pixel size 1.1×1.1mm2 Pixel array 8×8 Electrode material Au Operation temperature -20℃-+40℃ Energy range 20KeV~700MeV 20KeV~700MeV Energy resolution(22℃) <6%@59.5KeV <4.5%@122KeV <3%@662KeV Defective pixel(DP) 10℃~40℃ Storage temperture 20%-80% Remarks Customized available   2. Spectrum of [...]

2019-04-24مؤلف ميتا