كاشف الأشعة تحت الحمراء غير المبرد

كاشف الأشعة تحت الحمراء غير المبرد

كاشف المستوى البؤري للأشعة تحت الحمراء (IR) غير المبرد هو كاشف واحد يمكنه العمل في درجة حرارة الغرفة بدون جهاز تبريد ، وله العديد من المزايا مثل بدء التشغيل السريع ، وانخفاض استهلاك الطاقة ، والحجم الصغير ، والوزن الخفيف ، والعمر الطويل ، والتكلفة المنخفضة. وقد تغلبت تقنية المقاييس الدقيقة على أنواع أخرى مثل الحرارية / المزدوجة الحرارية ، والكهربائية الحديدية ، وما إلى ذلك ، مما يجعلها الاتجاه التكنولوجي السائد لكاشفات الأشعة تحت الحمراء غير المبردة ، وتحتل تقريبًا حصة السوق بأكملها في هذا المجال. يتم توفير مادة الاستشعار الخاصة بمجموعة كاشف الأشعة تحت الحمراء غير المبردة بواسطةPAM-شيامنهو VOx. مزيد من التفاصيل يرجى الاطلاع على الجدول أدناه:

كاشف الأشعة تحت الحمراء غير المبرد

1. مواصفات كاشف الأشعة تحت الحمراء غير المبرد

المعلمات الرئيسية للكاشف غير المبرد
قرار 640 × 512
حجم بكسل 17 أم
مواد الاستشعار VOx
نطاق الاستجابة 8 أم -14 أم
NETD@1/f, 300k, 50HZ ≤40 عضو الكنيست
معدل الإطار 60HZ
إشارة الخرج إشارة خرج تناظرية ثنائية القناة
زمن الاستجابة الحرارية ≤12 مللي ثانية
معدل العمى ＜ 0.1٪
استهلاك الطاقة النموذجي 300 ميغاواط
درجة حرارة التشغيل -40 درجة - + 60 درجة
درجة حرارة التخزين -55 درجة مئوية - +70 درجة مئوية

 

2. حول غير مبرد كاشف الأشعة تحت الحمراء

هناك نوعان من أجهزة الكشف بالأشعة تحت الحمراء: كاشف الأشعة تحت الحمراء المبرد وكاشف غير مبرد. يشير كاشف الأشعة تحت الحمراء غير المبرد إلى مستشعر تصوير يعمل بالقرب من درجة حرارة الغرفة ويمكنه تحويل الأشعة تحت الحمراء الساقطة لهدف إلى إشارة فيديو كهربائية. وفقًا لمبادئ العمل المختلفة ، يمكن تقسيم الكشف عن الأشعة تحت الحمراء غير المبردة إلى أنواع كهروحرارية ، وثرموبايل ، وصمام ثنائي حراري ، وميكروبولومتر. من بينها ، مقياس الميكروبولومتر هو مستشعر من نوع الثرمستور. بعد أن تشع الأشعة تحت الحمراء مستشعر الأشعة تحت الحمراء غير المبرد ، تزداد درجة حرارة المستشعر وتتغير قيمة مقاومة الفيلم الحراري. كاشفات الميكروبولومتر هي أجهزة الكشف عن المستوى البؤري بالأشعة تحت الحمراء غير المبردة مع التكنولوجيا الأكثر نضجًا وأعلى حصة في السوق.

رسم تخطيطي لهيكل البكسل للميكروبولومتر

المواد الرئيسية للعناصر الحرارية للكاشف غير المبرد هي أساسًا أكسيد الفاناديوم (VOx) والسيليكون غير المتبلور (α-Si). تحتوي مادة VOx على TCR عالي (حوالي 2٪ / K 3٪ / K في درجة حرارة الغرفة) ، وقد أصبحت تقنية التحضير الخاصة بها ناضجة جدًا بعد سنوات من التطوير ، وقد تم استخدامها على نطاق واسع في الكاميرا غير المبردة.

بوويروايفير

لمزيد من المعلومات ، يرجى الاتصال بنا على البريد الإلكتروني على victorchan@powerwaywafer.com و powerwaymaterial@gmail.com.

2022-04-06

شارك هذا المنشور

متعلق المشاركات

Single Crystal Sapphire Ingot

Sapphire ingot can be offered by PAM-XIAMEN, one of sapphire ingot manufacturers. The chemical composition is alumina and is composed of three oxygen atoms and two aluminum atoms covalently bonded together. Sapphire crystal structure is a hexagonal lattice structure, and the commonly used section [...]

2021-09-10مؤلف ميتا
12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 700-730um

PAM XIAMEN offers 12″ Dummy Grade Silicon Wafer Thickness 700-730um. 12” 300mm dummy grade wafers Surface is double side polished thickness 700-730um V Notch(SMI STD) slight scratch(with no stains or heavy/deep scratches) Dummy grade silicon wafers perform very efficiently for experimental and testing projects. These [...]

2019-06-24مؤلف ميتا
4″FZ Prime Silicon Wafer-2

PAM XIAMEN offers 4″FZ Prime Silicon Wafer. Silicon wafers, per SEMI Prime, P/E 4″Ø×525±25μm, FZ Intrinsic undoped Si:-[111]±0.5°, Ro > 10,000 Ohmcm, TTV<5μm, Bow<20μm, Warp<30μm, One-side-Epi-Ready-polished, back-side etched, SEMI Flats, Sealed in Empak or equivalent cassette, MCC Lifetime>1,000μs. For more information, please visit our [...]

2019-07-04مؤلف ميتا
Fabrication and Thermal Budget Considerations of Advanced Ge and InP SOLES Substrates

The Silicon on Lattice Engineered Substrate (SOLES) platform enables monolithic integration of III-V compound semiconductor (III-V) and silicon (Si) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices. The SOLES wafer provides a device quality Si-on-Insulator (SOI) layer for CMOS device fabrication and an embedded III-V device [...]

2020-01-13مؤلف ميتا
12″ Silicon Wafer

PAM XIAMEN offers 12″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment p-type Si:B [100] 12″ 750 P/E MCZ 1-100 TEST grade, SEMI notch, TTV<25µm p-type Si:B [100] 12″ 775 P/P MCZ 1-100 Prime, SEMI notch, TTV<3µm p-type Si:B [100] 12″ 775 P/E MCZ 1-100 Prime, SEMI notch,TTV<10µm p-type Si:B [100] 12″ 775 P/P 0.01-0.02 Prime, SEMI notch,TTV<4µm For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading [...]

2019-03-04مؤلف ميتا
1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm

PAM XIAMEN offers 1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm Silicon ingot, per SEMI, G Ø25mm FZ n-type Si:P[100]±2.0°, Ro=(1,500-7,000)Ohmcm, Ground Ingot, NO Flats, MCC Lifetime>1000µs, Oxygen<1E16/cc, Carbon<1E16/cc, Adequately packed, CofC: present. For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-04-26مؤلف ميتا