قناع الصورة

عروض PAM-شيامنالأقنعة

قناع الصورة هو طبقة رقيقة من اخفاء المواد بدعم من الركيزة سمكا، والمواد اخفاء تمتص ضوء بدرجات متفاوتة، ويمكن منقوشة مع تصميم مخصص. ويستخدم هذا النمط لتعديل الضوء ونقل نمط من خلال عملية ضوئيه وهي عملية أساسية تستخدم لبناء ما يقرب من جميع الأجهزة الرقمية اليوم.

  • وصف

وصف المنتج

قناع الصورة

عروض PAM-شيامنالأقنعة

الضوئية الرئيسية الكبيرة الحجم

الضوئية الرئيسية Middium وحجم صغير

لوحة فوتوغرافية

التصوير الفوتوغرافي السينمائي الحروف

التصوير الفوتوغرافي السينمائي

Chrome Photomask

Chromium Photomask Blank

Photolithography Mask

Aقناع الصورةهو طبقة رقيقة من اخفاء المواد بدعم من الركيزة سمكا، وتمتص المواد اخفاء ضوء بدرجات متفاوتة، ويمكن نمط مع تصميم مخصص. يتم استخدام نمط لتعديل الضوء ونقل نمط من خلال عملية ضوئيه وهي عملية أساسية تستخدم لبناء ما يقرب من جميع الأجهزة الرقمية اليوم.

ما هو الضوئية الرئيسية

A الضوئية الرئيسية هي لوحة مبهمة مع ثقوب أو شفافة تسمح للضوء للتألق من خلال في نمط محدد. وهي تستخدم عادة في ضوئيه. مطبوع حجرياالأقنعةوعادة ما تكون شفافة الفراغات السيليكا تنصهر مغطاة نمطا محددا تحديدا مع الكروم فيلم امتصاص المعادن.الأقنعة are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

قناع المواد -Difference بين الكوارتز والصودا الجير الزجاج:

أكثر الأنواع الشائعة من الزجاج لتصنيع الأقنعة الكوارتز والصودا الجير. الكوارتز هي أكثر تكلفة، ولكن له ميزة انخفاض معامل الكثير من التمدد الحراري (مما يعني أنه يوسع أقل إذا قناع يحصل دافئة أثناء الاستخدام) وأيضا الشفافية في أعمق الأشعة فوق البنفسجية (دي يو) الأطوال الموجية، حيث الصودا الجير زجاج معتم. الكوارتز يحتاج لاستخدامها حيث الطول الموجي تستخدم لكشف القناع هو أقل من أو يساوي إلى 365nm (ط خط) قناع .A ضوئيه هو لوحة مبهمة أو فيلم مع المناطق الشفافة التي تسمح للضوء يلمع من خلال في نمط محدد. وهي تستخدم عادة في عمليات ضوئيه، ولكنها تستخدم أيضا في العديد من التطبيقات الأخرى من قبل مجموعة واسعة من الصناعات والتقنيات. كان موجودا نوعا مختلفا من قناع لتطبيقات مختلفة وهي تستند إلى قرار الحاجة.

لمزيد من التفاصيل المنتج، يرجى الاتصال بنا على luna@powerwaywafer.com أو powerwaymaterial@gmail.com.

 

1X ماستر قناع

1X ماستر قناع الأبعاد والمواد الركيزة

نتاج أبعاد المواد الركيزة
1X ماستر 4 "X4" X0.060 "أو 0.090" الكوارتز والصودا الجير
5 "X5" X0.090 " الكوارتز والصودا الجير
6 "X6" X0.120 "أو 0.250" الكوارتز والصودا الجير
7 "X7" X0.120 "أو 0.150" الكوارتز والصودا الجير
7.25 "جولة X 0.150" كوارتز
9 "X9" X0.120 "أو 0.190" الكوارتز والصودا الجير

 

المواصفات المشتركة للأقنعة 1X ماستر (كوارتز المواد)

CD الحجم CD-متوسط-لالاسمية CD التوحيد تسجيل عيب الحجم
2.0 أم ≤0.25 أم ≤0.25 أم ≤0.25 أم ≥2.0 أم
4.0 أم ≤0.30 أم ≤0.30 أم ≤0.30 أم ≥3.5 أم

 

المواصفات المشتركة لأقنعة 1X ماستر (الصودا الجير المواد)

CD الحجم CD-متوسط-لالاسمية CD التوحيد تسجيل عيب الحجم
≤4 أم ≤0.25 أم ---- ≤0.25 أم ≥3.0 أم
> 4 أم ≤0.30 أم ---- ≤0.45 أم ≥5.0 أم

 

UT1X قناع

UT1X قناع الأبعاد والمواد الركيزة

نتاج أبعاد الركيزة المواد
UT1X 3 "X5" X0.090 " كوارتز
5 "X5" X0.090 " كوارتز
6 "X6" X0.120 "أو 0.250" كوارتز

 

المواصفات المشتركة للأقنعة UT1X

CD الحجم CD-متوسط-لالاسمية CD التوحيد تسجيل عيب الحجم
1.5 أم ≤0.15 أم ≤0.15 أم ≤0.15 أم ≥0.50 أم
3.0 أم ≤0.20 أم ≤0.20 أم ≤0.20 أم ≥0.60 أم
4.0 أم ≤0.25 أم ≤0.25 أم ≤0.20 أم ≥0.75 أم

 

أقنعة مستوى ثنائي

مستوى ثنائي الأبعاد قناع والمواد الركيزة

نتاج أبعاد المواد الركيزة
2X 6 "X 6" X0.250 " كوارتز
2.5X
4X
5X 5 "X5" X0.090 " كوارتز
6 "X6" X0.250 " كوارتز

 

المواصفات المشتركة للأقنعة ستاندرد ثنائي

CD الحجم CD-متوسط-لالاسمية CD التوحيد تسجيل عيب الحجم
2.0 أم ≤0.10 أم ≤0.15 أم ≤0.10 أم ≥0.50 أم
3.0 أم ≤0.15 أم ≤0.15 أم ≤0.15 أم ≥0.75 أم
4.0 أم ≤0.20 أم ≤0.20 أم ≤0.20 أم ≥1.00 أم

 

أقنعة متوسطة المساحة

متوسطة المساحة قناع الأبعاد والمواد

نتاج أبعاد المواد الركيزة
1X 9 "X9" 0.120 " الكوارتز الصودا الجير (سواء كروم وأكسيد الحديد الأحواض متوفرة)
9 "X9" 0.190 " كوارتز

 

المواصفات المشتركة للأقنعة متوسط ​​المساحة (كوارتز المواد)

CD الحجم CD-متوسط-لالاسمية CD التوحيد تسجيل عيب الحجم
0.50 أم ≤0.20 أم ---- ≤0.15 أم ≥1.50 أم

 

المواصفات المشتركة للأقنعة متوسط ​​المساحة (الصودا الجير المواد)

CD الحجم CD-متوسط-لالاسمية CD التوحيد تسجيل عيب الحجم
10 أم ≤4.0 أم ---- ≤4.0 أم ≥10 أم
4 أم ≤2.0 أم ---- ≤1.0 أم ≥5 أم
2.5 أم ≤0.5 أم ---- ≤0.75 أم ≥3 أم

ربما يعجبك أيضا…