Black Phosphorus – 2D crystal

Black Phosphorus – 2D crystal

PAM XIAMEN offers Black Phosphorus – 2D crystal.

Black Phosphorus Crystal,(2-2.5) mm x (2-2.5) mm x 0.1 mm, as grown

Black Phosphorus is a semiconductor with a band gap of around 0.3 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions. A few-layer black phosphorus can be obtained by mechanically cleaving

Crystal:                 Black Phosphorus ( single crystal )
Lattice Constant:    a =  3.32 Å, b =  10.52 Å, c =  4.39 Å
Purity:                   > 4N
Appearance         : silver grey
Size:                    (2-2.5) mm x (2-2.5) mm x 0.1 mm , as grown ( no accurate dimension )
Packing:               Vaccum sealed in a plastic box

For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com,
send us email at [email protected] and [email protected]

Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China. PAM-XIAMEN develops advanced crystal growth and epitaxy technologies, manufacturing processes, engineered substrates and semiconductor devices. PAM-XIAMEN’s technologies enable higher performance and lower cost manufacturing of semiconductor wafer.

With more than 25+years experiences in compound semiconductor material field and export business, our team can assure you that we can understand your requirements and deal with your project professionally.

2019-04-17

Share this post

Related Posts

GaAs (100) crystal-1

PAM XIAMEN offers GaAs (100) undoped crystal . GaAs, 10×5,10×10 GaAs , Growing Method: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×3 x0.5 mm, 2SP GaAs , Growing Method: VGF ,(100) undoped Semi-Insulated 10×5 x0.5 mm, 2SP GaAs (100) orientation, SI (semi-insulating), undoped 5x5x 0.5mm, 1sp, GaAs [...]

2019-04-22meta-author
GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers for VCSEL Laser Application

PAM-XIAMEN can offer GaAs epiwafer (gallium arsenide epiwafer) with p-type & n-type AlGaAs multilayer for VCSEL laser application. The specifications of GaAs epiwafer are as follow: 1. Specifications of GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers VCSEL, 980nm, GaAs epiwafer, 4″size PAM210208 Layer No. Material Group Repeat Mole Fraction(x) Strain(ppm) PL(nm) Thickness(nm) Dopant 32 GaAs  –  –  –  –  – 156 C 31 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 50.5 C 30 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 C 29 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 C 28 Al(x)GaAs  – 16 0.04->0.87  –  – 20 C 27 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 C 26 Al(x)GaAs  – 0.87->0.04  –  – 20 C 25 Al(x)GaAs  – 0.87  –  – 59.7 C 24 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 C 23 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 32.9 C 22 Al(x)GaAs  –  – 0.80->0.04  –  – 20 C 21 Al(x)GaAs  –  – 0.98  –  – 20 C 20 Al(x)GaAs  –  – 0.8  –  – 61.6 C 19 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 18 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 17 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 16 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 15 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 14 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 13 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 12 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 Si 11 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 10 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 51.5 Si 9 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 Si 8 Al(x)GaAs  – 6 0.87  –  – 59.7 Si 7 Al(x)GaAs  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 6 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 5 Al(x)GaAs  – 30 0.92->0.04  –  – 20 Si 4 Al(x)GaAs  – 0.92  –  – 59.8 Si 3 Al(x)GaAs  – 0.04->0.92  –  – 20 Si 2 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 1 GaAs  –  –  –  –  – 500 Si 4 inch GaAs substrate Si doped; [...]

2021-04-02meta-author
GaN on Si for RF

GaN HEMT RF Epitxial Wafer on Si substrate, which is a wide bandgap semiconductor, can be offered by PAM-XIAMEN. The GaN HEMT on Si wafer has obvious advantages in the high-power, high-frequency application field. As for the GaN HEMT RF devices, they include PA, LNA, [...]

2019-05-17meta-author
LaAlO3 single crystal-1

PAM XIAMEN offers LaAlO3 Single Crystal Substrat Lanthanum aluminate (LaAlO3) single crystal substrate is the large-scale high-temperature superconducting film,which has good match with YBaCuO and other high temperature superconductor materials and lattice, low dielectric constant and small microwave loss, so LaAlO3 substrate is suitable for [...]

2019-05-07meta-author
BARIUM FLUORIDE BAF2 CRYSTAL

PAM XIAMEN offers BARIUM FLUORIDE BAF2 CRYSTAL. To better serve you, we would like to discuss your specific requirement, Please Contact Us for a quote. Barium fluoride, BaF2, crystal has good transmittance over a wide spectrum range, from 150 nm to 12.5 um. It has been widely used [...]

2019-03-11meta-author
2″ Silicon Wafer-3

PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment Intrinsic Si:- [100-4.0°] ±0.5° 2″ 400 P/E FZ >20,000 SEMI Prime, TTV<5μm Intrinsic Si:- [100] 2″ 400 P/E FZ >20,000 SEMI Prime, TTV<5μm Intrinsic Si:- [100] 2″ 200 P/P FZ >10,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [100] 2″ 350 P/P FZ >10,000 SEMI Test, Wafers with edge chips Intrinsic Si:- [100] 2″ 500 ±10 P/E FZ >10,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [100] 2″ 500 ±10 P/E FZ >10,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [100] 2″ 500 ±10 P/E FZ >10,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [100] 2″ 300 P/E FZ 5,000-10,000 SEMI Prime Intrinsic Si:- [100] 2″ 300 P/E FZ 5,000-10,000 SEMI Prime, in hard cassettes of 2 & 5 wafers Intrinsic Si:- [111] ±0.5° 2″ 330 P/P FZ >20,000 SEMI Intrinsic Si:- [111] ±0.5° 2″ 330 P/P FZ >20,000 SEMI Intrinsic Si:- [111] [...]

2019-03-07meta-author