Hvem er vi

Før 1990 er vi erklærede ejet faststoffysik forskningscenter. I 1990 lancerede center Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), nu er det en førende producent af sammensat halvleder materiale i Kina. PAM-XIAMEN udvikler avancerede krystal vækst og epitaxy teknologier, spænder fra den første generation Germanium wafer, anden generation Galliumarsenid med substrat vækst og epitaksi på ...

Hvorfor vælge os

null

God serviceafdelingen

Vores mål er at opfylde alle dine behov, uanset hvor lille ordrer og hvor svært spørgsmål, de måtte være, for at opretholde en vedvarende og profitabel vækst for hver kunde gennem vores kvalificerede produkter og tilfredsstillende service.
null

25+ års erfaringer

Med mere end 25 + års erfaringer i forbindelse halvledermateriale felt og eksport virksomhed, kan vores team forsikre dig om, at vi kan forstå dine krav og håndtere dit projekt professionelt.
null

Pålidelig kvalitet

Kvalitet er vores første prioritet. PAM-XIAMEN har været ISO9001: 2008, ejer og deler fire moderne facories, som kan give en ganske stor vifte af kvalificerede produkter, der opfylder forskellige behov hos vores kunder, og hver eneste ordre skal håndteres fra vores omfattende kvalitetssystem. Testrapport er fastsat for hver forsendelse, og hver wafer er garanti.
null

Gratis og professionel Teknisk support

Du kan få vores gratis teknologi service fra forespørgsel til efter service baseret på vores 25 + erfaringer i halvleder linje.
Efter mere end 20 års ophobning og udvikling, vores virksomhed har en klar fordel i teknologisk innovation og talentmasse.
I fremtiden er vi nødt til at fremskynde tempoet i faktiske indsats for at give kunderne bedre produkter og tjenester

Læge Chan - CEO for Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Verdens mest berømte universiteter og virksomheder har tillid til os

Partners

Seneste nyheder

(Inviteret) Stamme Udviklet Crack-Free GAN om Si for integrerede Lodrette High Power GaN Enheder med Si CMOS

The ability to grow thin GaN layers on Si substrates has led to the development of lateral high power [...]

Heteroepitaxial Vækst af SiC på Si (100) og (111) af Chemical Vapor Deposition Brug af trimethylsilan

Heteroepitaxial growth of 3C‐SiC on Si by chemical vapor deposition has been investigated using the precursor trimethylsilane. To optimize [...]

Top 10 Offentliggørelse i i Mikroelektronik & Elektronikopbygning af Led

Top 10 Publication in in Microelectronics & Electronic Packaging by Citation Post: PAM-XIAMEN, date: Jan 13,2020 PAM-XIAMEN has compiled top 10 [...]

Analyse af spor af Ge Overført til Si Wafer Overflader løbet SiGe Wafer Processing

Effects of trace levels of Ge transferred to Si surfaces during thermal processing of SiGe wafers are presented here. [...]

Fabrikation og termisk Budget Overvejelser af Advanced Ge og InP SOLES Substrater

The Silicon on Lattice Engineered Substrate (SOLES) platform enables monolithic integration of III-V compound semiconductor (III-V) and silicon (Si) [...]

Selektiv Epitaksial Vækst af SiC: Termodynamiske Analyse af SiC-CI-H og SiC-CI-H-O Systems

Thermodynamic analysis was conducted to determine the conditions necessary for the selective epitaxial growth (SEG) of SiC on  masked Si [...]

Todimensionale arrays af nanometer skala huller og nano-V-riller i oxideret Si wafers til selektiv vækst af Ge prikker eller Ge / Si hetero-nanokrystaller

Two-dimensional (2D) arrays of nanometre scale holes were opened in thin SiO2 layers on silicon by electron beam lithography and [...]

2018 TOP 100 US UDDANNELSESSTED forskningsbevillinger

2018 TOP 100 US HIGHER EDUCATION R&D EXPENDITURES post by PAM-XIAMEN  date: Jan 03,2020 University is an important research and development subject [...]

faqs