2009 yr work

Hvem er vi

Før 1990 er vi erklærede ejet faststoffysik forskningscenter. I 1990 lancerede center Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), nu er det en førende producent af sammensat halvleder materiale i Kina. PAM-XIAMEN udvikler avancerede krystal vækst og epitaxy teknologier, spænder fra den første generation Germanium wafer, anden generation Galliumarsenid med substrat vækst og epitaksi på ...

Hvorfor vælge os

null

God serviceafdelingen

Vores mål er at opfylde alle dine behov, uanset hvor lille ordrer og hvor svært spørgsmål, de måtte være, for at opretholde en vedvarende og profitabel vækst for hver kunde gennem vores kvalificerede produkter og tilfredsstillende service.
null

25+ års erfaringer

Med mere end 25 + års erfaringer i forbindelse halvledermateriale felt og eksport virksomhed, kan vores team forsikre dig om, at vi kan forstå dine krav og håndtere dit projekt professionelt.
null

Pålidelig kvalitet

Kvalitet er vores første prioritet. PAM-XIAMEN har været ISO9001: 2008, ejer og deler fire moderne facories, som kan give en ganske stor vifte af kvalificerede produkter, der opfylder forskellige behov hos vores kunder, og hver eneste ordre skal håndteres fra vores omfattende kvalitetssystem. Testrapport er fastsat for hver forsendelse, og hver wafer er garanti.
null

Gratis og professionel Teknisk support

Du kan få vores gratis teknologi service fra forespørgsel til efter service baseret på vores 25 + erfaringer i halvleder linje.
Efter mere end 20 års ophobning og udvikling, vores virksomhed har en klar fordel i teknologisk innovation og talentmasse.
I fremtiden er vi nødt til at fremskynde tempoet i faktiske indsats for at give kunderne bedre produkter og tjenester

Læge Chan - CEO for Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd

Verdens mest berømte universiteter og virksomheder har tillid til os

Partners

Seneste nyheder

Hvad er nøgleparametrene til SiC Epitaxial Wafer?

What is the Key Parameters of SiC Epitaxial Wafer? The most basic and key parameters of SiC epitaxial materials are [...]

Hvorfor har vi brug for siliciumcarbid epitaxial wafer?

Why do We Need Silicon Carbide Epitaxial Wafer? Silicon carbide epitaxial wafer is a kind of silicon carbide wafer [...]

Phonon-egenskaber ved SiC Wafer

Phonon Properties of SiC Wafer Nanyang Technological University use our SiC wafer to research Phonon Properties. They research focused on [...]

Dyrkede InGaA'er ved lav temperatur

Low Temperature Grown InGaAs  PAM-XIAMEN offer low temperature grown InGaAs on GaAs Substrate(LT-InGaAs) for InGaAs Photo Conductive antenna substrate for [...]

980 Single Mode Laser Chip

980 Single Mode Laser Chip (PAM200827-LD) PAM XIAMEN offers 980 Single Mode Laser Chip   Powerwaywafer 980 Single mode laser chip property Minimum Typical Maximum Central Wavelength [...]

(20-2-1) Fly Si-GaN fritstående GaN-substrat

(20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane Si-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-SI Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type Semi-Insulating Resistivity (300K) >106 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

(20-2-1) Fly N-GaN fritstående GaN-substrat

(20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane N-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-N Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.05 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

(20-2-1) Fly U-GaN fritstående GaN-substrat

(20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-U Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.1 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

Ofte stillede spørgsmål