650V GaN FET-chip til hurtig opladning
PAM-XIAMEN tilbyder 650V GaN FET-chip til hurtig opladning. På det nuværende marked,hurtigopladningskilder til galliumnitridbruger hovedsageligt 650V GaN-chip (GaN FET'er) som strømafbrydere, og galliumnitrids højfrekvente egenskaber bruges til at gøre terminal hurtigopladningsprodukter mindre i størrelse og højere effektivitet.
PAM65D150DNBI-TS-serien 650V, 150mΩ galliumnitrid(GaN) FET'er er normalt på enheder. PAM-XIAMEN GaN-chip giver bedre effektivitet gennem lavere gate-opladning, hurtigere koblingshastigheder og mindre reverse recovery charge, hvilket giver betydelige fordele i forhold til traditionelle silicium(Si)-enheder. PAM-XIAMEN er en af de førende GaN-chipproducenter med innovation i verdensklasse.
1. Parametre for 650V GaN FET-chip
| Symbol | Parameter | Grænseværdi | Enhed |
| RθJC | Kryds-til-sag | 1.3 | ° C / W |
1.1 Absolut Maksimum Klassificeringer på 650V GaN FET-chip (TC=25°C, medmindre andet er angivet)
| Symbol | Parameter | Grænseværdi | Enhed | |
| VDSS | Dræn til kildespænding | 650 | V | |
| VDSS | Gate til kildespænding | 一 25 ~ + 2 | ||
| ID | Kontinuerlig drænstrøm @TC=25°C | 15 | EN | |
| Kontinuerlig drænstrøm @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | Pulsdrænstrøm | 65 | EN | |
| PD | Maksimal effekttab @ TC=25°C | 65 | W | |
| TC | Driftstemperatur | tilfælde | 一 55 ~ 150 | ° C |
| TJ | Knudepunkt | 一 55 ~ 175 | ° C | |
| TS | Stuetemperatur | 一 55 ~ 150 | ° C | |
TopBund
1.2 Elektriske parametre på 650VGAN Chipsæt (TJ=25°C, medmindre andet er angivet)
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Enhed | Testbetingelser |
| Fremadrettet enhedskarakteristika | ||||||
| V (BL) DS'er | Drænkildespænding | — | 650 | — | v | Vcs = -25V |
| Vasth) | Gatetærskelspænding | — | -18 | — | v | VDs=Vas,IDs=luA |
| RDS (til) | Afløbskilde ved modstand | — | 150 | 180 | mQ | Vcs=OV,ID-10A |
| — | — | — | VGs=OV, ID-10A,TJ= 150'C | |||
| lDss | Dræn-til-kilde-lækage strøm |
— | — | 3 | uA | VD'er=650V, VG'er=-25V |
| — | — | 30 | VD'er=400V,VG'er=-25V, T = 150'c |
|||
| lass | Gate-to-source frem lækstrøm |
— | 3.7 | 100 | nA | VGs= 2V |
| Gate-to-source omvendt lækstrøm |
— | -3.5 | -100 | VGS= -25V | ||
| CSss | Input kapacitans | — | 650 | — | pF | vGs = -25V, VDS=300V,f=1MHz |
| Coss | Udgangskapacitet | — | 40 | — | ||
| CRSS | Omvendt kapacitans | — | 10 | — | ||
| SpørgsmålG | Samlet portafgift | — | 9 | — | nC | VDS= 200V, VGS=-25V til ov, ID= 10A |
| SpørgsmålGS | Gate-kilde-afgift | — | 2 | — | ||
| SpørgsmålGD | Port-drænopladning | — | 7 | — | ||
| tn | Omvendt restitutionstid | — | 4 | — | ns | Er = 0A til 11A,VDD= 400V di/dt=1000A/uS |
| Q. | Omvendt genvindingsafgift | — | 17 | — | nC | — |
| TIX (til) | Tænd forsinkelse | — | 0.5 | — | — | VD'er=200VVG=-25V til ov, ID = 10A |
| tR | Tid til at stå op | — | 9 | — | ||
| tD (fra) | Slukningsforsinkelse | — | 0.5 | — | ||
| tF | Falltid | — | 10 | — | ||
| Omvendte enhedskarakteristika | ||||||
| VSD | Omvendt spænding | — | 7 | — | v | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′C |
1.3 Typiske egenskaber for 650V GaNOplader Chip (TJ=25°C, medmindre andet er angivet)
1.4 Test kredsløb og bølgeformer på 650V GaNStrøm Chip
1,5 PAKKE DIMENSIONER på 650VGaN Chip
| VARE | I.ow 1 efterlign (Mm) |
Center (Mm) |
Øverst 1 efterlign (Mm) |
| EN | 0.80 | — | 1.00 |
| A1 | 0 | — | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| b | 0.9 | 1 | 1.1 |
| D | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| e | 1.9 | — | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. Generelle træk ved 650V GaNStrøm FET'er
Let at køre - kompatibel med standard gate-drivere
Lavt lednings- og koblingstab
Lav Qrr på 17nC—ingen friløbsdiode
krævet
RoHS-kompatibel og halogenfri
3. Bil med 650V GaN FET-chip
Hurtig oplader
Vedvarende energi
Telecom og data-com
Servo motorer
Industriel
Automotive
4. Fordele ved 650V GaN Chip
Øget effektivitet gennem hurtig skift
Øget effekttæthed
Reduceret systemstørrelse og vægt
Som en repræsentant for den tredje generation af halvledermaterialer, når galliumnitrid bruges i hurtigopladningsenheder, er udgangseffekten af GaN-chip-enheder tre gange så stor som traditionelle materialer i tilfælde af samme størrelse. GaN FET-teknologien omdefinerer standarden for hurtigopladning af mobiltelefoner. Tredje generation af halvlederindustrien indvarsler også nye udviklinger på grund af anvendelsen af galliumnitrid.
For mere information, kontakt os venligst e-mail på[email protected]og[email protected]