AlGaInP epi wafer_News_Compound halvlederwafer

AlGaInP epi wafer

AlGaInP bruges til fremstilling af lysemitterende dioder med høj lysstyrke rød, orange, grøn og gul farve, for at danne heterostrukturen, der udsender lys. Det bruges også til at lave diodelasere.

AlGaInP-laget dyrkes ofte ved heteroepitaxy på galliumarsenid eller galliumphosphid for at danne en kvantebrøndstruktur.

1. Specifikationer for AlGaInP Wafers på chips

AlGaInP LED Wafer til chip

Varenr.: PAM-CAYG1101

Dimensioner:

Vækstteknik – MOCVD

Underlagsmateriale: Galliumarsenid

Substratledning: n type

Diameter: 2"

●Chip dimensioner:

1) Chipstørrelse: frontstørrelse: 8mil(±1mil)×8mil(±1mil)

bagside: 9mil(±1mil)×9mil(±1mil)

2) Spåntykkelse: 7 mil (± 1 mil)

3) Pudestørrelse: 4 mil (± 0,5 mil)

4)Struktur:se 1-1

● Fotoelektriske egenskaber

Parameter	Betingelse	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
Fremadspænding (Vf1)	Hvis = 10μA	1.35	﹎	﹎	V
Fremadspænding (Vf2)	Hvis = 20mA	﹎	﹎	2.2	V
Omvendt spænding (Lr)	Vr = 10V	﹎	﹎	2	gA
Dominant bølgelængde（λｄ）	Hvis = 20mA	565	﹎	575	nm
FWHM (Δλ)	Hvis = 20mA	﹎	10	﹎	nm

●Lysstyrke:

Kode	LC	LD	LE	LF	LG	LH	LI
IV (mcd)	20-30	25-35	30-35	35-50	40-60	50-70	60-80

2. Båndgab af spændt AlGaInP på GaAs-substrat

I denne tutorial ønsker vi at studere båndhullerne for anstrengteAl_xga_yI_1-xyP på et GaAs-substrat.

Materialeparametrene er taget fra
Båndparametre for III-V sammensatte halvledere og deres legeringer
I. Vurgaftman, JR Meyer, LR Ram-Mohan
J. Appl. Phys. 89 (11), 5815 (2001)

For at forstå effekten af belastning på båndgabet på de individuelle komponenter i denne kvartær, undersøger vi først virkningerne på

1) ALP	spændt stramt	med hensyn til GaAs
2) GaP	spændt stramt	med hensyn til GaAs
3) InP	spændt kompressionsmæssigt	med hensyn til GaAs
4)AlxGa1-xP	spændt stramt	med hensyn til GaAs
5)GaxIn1-xP	anstrengt	med hensyn til GaAs
6)AlxIn1-xP	anstrengt	med hensyn til GaAs
7) Al0,4Ga0,6P	spændt stramt	med hensyn til GaAs
8) Ga0.4In0.6P	spændt kompressionsmæssigt	med hensyn til GaAs
9) Al0,4In0,6P	spændt kompressionsmæssigt	med hensyn til GaAs
Hvert materialelag har en længde på 10 nm i simuleringen.
Materialelagene 4), 5) og 6) varierer dets legeringsindhold lineært:
4)AlxGa1-xP fra 10 nm til 20 nm fra x=0,0 til x=1,0
5)GaxIn1-xP fra 30 nm til 40 nm fra x=0,0 til x=1,0
6)AlxIn1-xP fra 50 nm til 60 nm fra x=1,0 til x=0,0

3. Om AlGaInP/InGaP-struktur

Da InGaAlP kvaternære materialer kan have et bredt direkte båndgab, ved at justere sammensætningen af In, Al og Ga, kan de lattice-matches med højkvalitets og billige GaAs tynde film. Det lysemitterende område af den epitaksiale struktur kan dække rødt, orange, gult, gulgrønt bånd. I den synlige lysemitterende diode har 650nm rød laser således en bred vifte af anvendelser.

AlGaInP kvaternære sammensatte materialer bruges til at dyrke GaAs epitaksiale wafere, som er meget udbredt i røde lysdioder med høj lysstyrke og halvlederlasere og er blevet mainstream-materialet til rødt lysudsendende enheder. Ledningsbåndrækkefølgen af AlGaInP/GaInP heterojunctions er meget lille, med en maksimal værdi på omkring 270meV, hvilket er mindre end 350meV AlGaAs-materialer. Den elektroniske barriere er relativt lav, og lækstrømmen dannes. Tærskelstrømmen for den laserbaserede GaAs-epitaksi-wafer øges, hvilket er mere tydeligt ved drift med høj temperatur og høj strøm. AlGaInP-laget vil spredes i legeringen, og den termiske modstand er meget højere end for AlGaAs. Den overskydende varme forårsager overgangstemperaturen og kavitets overfladetemperatur. Derfor er AlGaInP-laserens karakteristiske temperatur lavere, og den elektro-optiske konverteringseffektivitet bliver lavere under kontinuerlig drift, og der genereres mere varme.

4. Brydningsindeks for AlGaInP

Kilde: PAM-XIAMEN

For mere information, kontakt os venligst e-mail på[email protected] og [email protected].