Egenskaber ved Ingan blå laserdioder dyrket på bulk -gan -underlag

Højtryksvækst fra løsning er i øjeblikket den eneste metode, der er i stand til at give sandMonokrystaller i bulk gan. I dette papir vil vi gerne demonstrere, at de på trods af deres lille centimeter rækkevidde størrelse kan blive en teknologisk platform til realisering af violet af høj kvalitet og nær-UV-laserdioder. Vi brugte MOVPE -teknik til at deponere Ingan/Algan/GaN -lag, der dannede en separat indeslutning af heterostrukturlaserdiode. Disse enheder er kendetegnet ved en lav densitet af dislokationer (∼10⁵cm⁻²) og en høj optisk udgangseffekt på 1,9 W, målt i korte pulser (30 ns) for at forhindre, at strukturen overophedes. Vi vil kort diskutere de udfordringer, vi står over for under processen med optimering af disse enheder.

Kilde: Journal of Crystal Growth

Hvis du har brug for mere information om egenskaber ved Ingan blå laserdioder dyrket på bulk -gan -underlag ， kan du besøge vores websted:https://www.powerwaywafer.com, send os e-mail på[email protected] eller [email protected].