Sammensat halvleder

PAM-XIAMEN tilbyder Compound Semiconductor Wafer Materiale inklusive SiC wafer og III-V gruppe wafer: InSb wafer, InP wafer, InAs wafer, GaSb wafer, GaP wafer, GaN wafer, AlN wafer og GaAs wafer.
III-V-forbindelsesmateriale omfatter BN, BP, BAs, BSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InAs, InN, InP og InSb. Blandt dem er BN, AlN, GaN og InN Wurtzite-strukturer, og de andre 12 er zinkblandingsstrukturer. Fordi pentavalente atomer har højere elektronegativitet end trivalente atomer, er der nogle få ionbindingskomponenter. På grund af dette, når III-V-materialerne er placeret i det elektriske felt, er gitteret let at polarisere, og ionforskydningen er nyttig til at øge den dielektriske koefficient, hvis det elektriske felts frekvens er i det infrarøde område. Blandt n-type halvledere af GaAs-materialer er elektronmobiliteten (mn-8500) meget højere end Si (mn-1450), så bevægelseshastigheden er hurtig, og dens anvendelse i højhastigheds digitale integrerede kredsløb er overlegen til Si-halvledere.