GA2O3 på Sapphire heteroepitaxy
Sapphire based gallium oxide(Ga2O3) epitaxial technology is currently one of the hotspots in semiconductor material research. β- Ga2O3 has the characteristics of ultra-high bandgap, high breakdown voltage, and strong radiation resistance, and has shown broad application prospects in the fields of high-voltage, high-power, and high-efficiency electronic devices. Sapphire, as an insulating substrate, can provide a favorable crystal growth environment for gallium oxide epitaxy, thereby improving the quality of epitaxial films and device performance. PAM-XIAMEN can prepare high-quality Ga2O3 on sapphire heteroepitaxial thin film with the following parameters:
1.Epitaksiale parametre afß GA2O3 på safirsubstrat
| Vare | GA2O3 heteroepitaxy | |
| Grad | Industriel kvalitet | Forskningskvalitet |
| substrat | ||
| Materiale | Sapphire （Al2O3） | |
| Størrelse | 10*10 mm, 10*15mm, 2 tommer, tilpasset | |
| Tykkelse | 430um | |
| Orientering | （0001） | |
| Epilag | ||
| Polytype | β-Ga203 | |
| Tykkelse | 0,01 ~ 0,2um | |
| Tolerance | ± 5% | ± 10% |
| ensartethed | ≤5% | ≤10% |
| Orientering | （-201） 、（ 002） | |
| Ledning | UID | |
| Overfladeruhed | ≤5nm （10*10um） | |
| Defektdensitet | <1 cm-2 | <2cm-2 |
| Brugbart område | ≥95 % | ≥90% |
2. iindflydelse afOff-akse sApphireSUbstrate påMORPOLOGI
Substratorientering er en nøglefaktor, der påvirker kvaliteten af epitaksiale film. For nylig anvendte et forskerteam MOCVD-metode til at studere vækstteknologien for galliumoxid på safirsubstrater med forskellige forkert vinkler. Resultaterne indikerer, at et forkert safirsubstrat kan forbedre den epitaksiale krystalkvalitet af galliumoxidmaterialer. For eksempel, når underlagets skæringsvinkel er 6 °, har røntgenrøntgenkurven for den epitaksiale film den mindste fulde bredde ved halvdelen maksimal (FWHM) og højere krystalkvalitet. Dette har en positiv effekt på at studere den heteroepitaxiale vækst af tynde film i galliumoxid og fremme deres anvendelser.
3.AnsøgningPRospekter af safirbaseret galliumoxid
GA2O3 på Sapphire -teknologi har potentielle applikationer inden for følgende felter:
Solar blind ultraviolet fotodetektor: GA2O3 tynd film er velegnet til solblind ultraviolet detektion på grund af dets høje båndgapegenskaber med høj følsomhed og anti-interferensevne;
Effektanordninger, såsom Schottky-dioder (SBD'er) og metaloxid-halvlederfelt-effekttransistorer (MOSFETs), kan påføres højspændings elektroniske enheder med høj effekt;
Andre felter: såsom RF -enheder, gasfølelse, fotokatalyse og information om opbevaring af oplysninger.
På nuværende tidspunkt er GA2O3 på Sapphire-epitaksiale skiver blevet et ideelt materiale til enheder med høj effekt, der understøtter tilpassede størrelser til at imødekomme forskellige applikationskrav. Den globale galliumoxidindustri er gået ind i den tidlige fase af kommercialisering, med strømenheder og solblind ultraviolette fotodetektorer, der er klare retninger for kommercialisering.
* Licens nødvendigt.
Uanset om du har brug for GA2O3 Wafer til forskning eller til industrielle applikationer, bedes du kontakte os e -mail på[email protected] og [email protected].