Galliumnitrid (GaN) er grundmaterialet i blå LED og har vigtige anvendelser i LED og ultraviolet laser.

PAM-XIAMEN kan epitaksialt dyrke GaN-wafere til LED og LD. For flere waferspecifikationer besøg venligst:https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/epitaxial-wafer.html. Hvordan dyrker vi GaN LED epiwafer på safir?

Klik venligst på linkethttps://youtu.be/uu0tCdmAA10for at se GaN LED wafer vækstprocessen fra PAM-XIAMEN.

Den epitaksiteknologi, vi anvender, er MOCVD.

For det første udsættes substratet for højtemperaturbehandling for at rense overfladen.

For det andet, dyrk et bufferlag på omkring 20-30nm ved lave temperaturer på grund af det store misforhold mellem safir og GaN.

For det tredje dyrkes et N-type GaN-lag på ca. 4um tykt, hovedsageligt som et aktivt lag, hvilket giver strålingsrekombinationselektroner.

Derefter dyrkes et sæt af multiple quantum well (MQW), hvis sammensætning bestemmes af lag af InGaN.

Juster sammensætningen af ​​indium i MQW for at opnå den ønskede bølgelængde.

Genereringseffektiviteten kan forbedres ved at optimere parametrene for MQW, såsom antallet af brønde, den periodiske tykkelse af materialegruppemolekylære brønde og dopingkoncentration.

Derefter dyrkes et P-type AlGaN-lag. En højere Al-komponent kan begrænse bæreren og væsentligt forbedre lyseffektiviteten.

Endelig dyrkes P-type GaN epilag for at give strålingsrekombinationselektroner til MQW.

Efter epitaksial vækst kræves udglødning for at aktivere P-laget, hvilket sænker spændingen.

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

For mere information, kontakt os venligst e-mail påvictorchan@powerwaywafer.com og powerwaymaterial@gmail.com.