GaN på SAM -underlag
In recent years, ScAlMgO4 (short for SAM or SCAM) has attracted increasing interest as a substrate material for nitride semiconductors. Compared with traditional sapphire, silicon, and silicon carbide substrates, the lattice parameter of ScAlMgO4 is a=0.3246 nm, c = 2.5195nm, which makes the grown GaN thin film has a small lattice mismatch (1.4%) and a small difference in thermal expansion coefficient. In addition, SCAM materials are transparent at wavelengths as low as 196nm and have good chemical properties, which can resist corrosion and oxidation, enabling the preparation of durable and stable optoelectronic devices. PAM-XIAMEN provides customized epitaxial services for GaN on SAM substrate, please send your requirements to [email protected], vi giver dig professionel teknisk support.
1. Undersøgelse af væksten af GaN/Scalmgo4 af MOCVD
Et team har undersøgt metoden til direkte dyrkning af enkelt krystal GaN ved høje temperaturer på SAM -underlag gennem organisk kemisk dampaflejring (MOCVD). Forskere har fundet, at førflyvning med trimethylaluminum (TMAL) kan undertrykke øen som vækst og opnå et ensartet spejl GA -polært gan -lag. Pre -strømningstiden har en direkte indflydelse på krystalkvaliteten af GaN. Eksperimenter har vist, at denne metode kan undgå defekter forårsaget af lavtemperaturbufferlag og derved forbedre den krystallinske kvalitet af GaN-tynde film. Derudover demonstrerede undersøgelsen også, at GaN -tynde lag, der er dyrket direkte ved høje temperaturer, kan tjene som pufferlag til dyrkning af gitter matchet i0.17GA0.83N lag på SAM'er, hvilket åbner nye måder til forberedelse af InGAN -enheder.
2. SIgnificance ofGroingGaNpå Sam ssubstrat
Den innovative proces med at bruge Scalmgo4 som et gan -epitaksialvækstsubstrat har vist betydelige fordele. Den høje tilpasningsevne af dette materialesystem til galliumnitridkrystallstrukturen lindrer effektivt de almindelige problemer med gittermatch og termiske ekspansionsforskelle i traditionel heteroepitaxy. Sammenlignet med konventionelle safirsubstrater kan det reducere interface -stress markant og derved opnå gan -epitaksiale film med lavere defektdensitet og bedre krystalkvalitet. Dette gennembrud forbedrer ikke kun stabiliteten i enhedsdrift, men åbner også nye stier til miniaturiseret enhedsdesign. Selve de fysiske egenskaber ved ScalmGO4 -substratet er ikke kun befordrende for at opnå kompakt layout af enhedsstrukturen, men skaber også grundlæggende betingelser for udvikling af multifunktionelle integrerede chips på grund af dets fremragende gitterintegritet.
Fra perspektivet af anvendelsesudsigter er præstations gennembrud af galliumnitridenheder, der er fremstillet baseret på dette underlag, især fremragende i ekstreme arbejdsmiljøer: dens højtemperaturresistens kan imødekomme de strenge krav til luftfartsselskabsmotorovervågningssystemer, dets højfrekvensresponsfordeling demonstreres i Millimeter Wave Radar og kommunikationssystemer, og dens fremragende strømbehandlings kapacitet giver teknisk support til opgradering af nye energikøretøjer, der er elektriske, og smarte udstyr. Vigtigere er det, at den vellykkede udvikling af dette materialesystem har givet en ny eksperimentel platform til Wide Bandgap Semiconductor Research, som vil fremskynde den videnskabelige forskningsproces inden for nøgleområder, såsom ny enhedsarkitekturdesign, defektstyringsteknologi og interface -teknik. Det har strategisk betydning for at fremme den industrielle anvendelse af GaN.
* Licens nødvendigt.
Uanset om du har brug for GaN -epitaxy til forskning eller til industrielle applikationer, bedes du kontakte os e -mail på[email protected] og [email protected].