Fritstående GaN-substrat

Fritstående GaN substrat

PAM-XIAMEN har etableret den fremstillingsteknologi til fritstående (galliumnitrid) GaN substratwafer, der er til UHB-LED og LD. Vokset med hydrid dampfase epitaxy (HVPE) teknologi, Vores GaN substrat har lav defekt tæthed.

  • Beskrivelse

Beskrivelse

Fritstående GaN-substrat

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substratwafer  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our GaN-substrat for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Specifikation af Fritstående GaN-substrat

 Her viser detalje specifikation:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Vare PAM-FS-GaN100-N+
varmeledning type N type/Si doped
Størrelse 4″(100)+/-1mm
Tykkelse 480+/-50
Orientering C-aksen (0001) +/- 0.5o
Primær Flat Beliggenhed (10-10)+/-0.5o
Primær Flad Længde 32+/-1mm
Sekundær Flat Beliggenhed (1-210)+/-3o
Sekundær Flad Længde 18+/-1mm
Resistivity (300K) <0.05Ω·cm
dislokationsdensitet <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
SLØJFE <=+/-30um
Surface Finish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Tilbage Overflade: 1.Fine jorden
2.Polished.
brugbar Area ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Vare PAM-FS-GaN100-N-
varmeledning type N type/undoped
Størrelse 4″(100)+/-1mm
Tykkelse 480+/-50
Orientering C-aksen (0001) +/- 0.5o
Primær Flat Beliggenhed (10-10)+/-0.5o
Primær Flad Længde 32+/-1mm
Sekundær Flat Beliggenhed (1-210)+/-3o
Sekundær Flad Længde 18+/-1mm
Resistivity (300K) <0.5Ω · cm
dislokationsdensitet <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
SLØJFE <=+/-30um
Surface Finish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Tilbage Overflade: 1.Fine jorden
2.Polished.
brugbar Area ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Vare PAM-FS-GaN100-SI
varmeledning type Semi-Insulating
Størrelse 4″(100)+/-1mm
Tykkelse 480+/-50
Orientering C-aksen (0001) +/- 0.5o
Primær Flat Beliggenhed (10-10)+/-0.5o
Primær Flad Længde 32+/-1mm
Sekundær Flat Beliggenhed (1-210)+/-3o
Sekundær Flad Længde 18+/-1mm
Resistivity (300K) >10^6Ω·cm
dislokationsdensitet <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
SLØJFE <=+/-30um
Surface Finish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Tilbage Overflade: 1.Fine jorden
2.Polished.
brugbar Area ≥ 90 %

 

2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Vare PAM-FS-GaN50-N+
varmeledning type N type/Si doped
Størrelse 2 "(50,8) +/- 1 mm
Tykkelse 400+/-50
Orientering C-aksen (0001) +/- 0.5o
Primær Flat Beliggenhed (10-10)+/-0.5o
Primær Flad Længde 16 +/- 1 mm
Sekundær Flat Beliggenhed (1-210)+/-3o
Sekundær Flad Længde 8 +/- 1 mm
Resistivity (300K) <0.05Ω·cm
dislokationsdensitet <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
SLØJFE <=+/-20um
Surface Finish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                    2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Vare PAM-FS-GaN50-N-
varmeledning type N type/undoped
Størrelse 2 "(50,8) +/- 1 mm
Tykkelse 400+/-50
Orientering C-aksen (0001) +/- 0.5o
Primær Flat Beliggenhed (10-10)+/-0.5o
Primær Flad Længde 16 +/- 1 mm
Sekundær Flat Beliggenhed (1-210)+/-3o
Sekundær Flad Længde 8 +/- 1 mm
Resistivity (300K) <0.5Ω · cm
dislokationsdensitet <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
SLØJFE <=+/-20um
Surface Finish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Vare PAM-FS-GaN50-SI
varmeledning type Semi-Insulating
Størrelse 2 "(50,8) +/- 1 mm
Tykkelse 400+/-50
Orientering C-aksen (0001) +/- 0.5o
Primær Flat Beliggenhed (10-10)+/-0.5o
Primær Flad Længde 16 +/- 1 mm
Sekundær Flat Beliggenhed (1-210)+/-3o
Sekundær Flad Længde 8 +/- 1 mm
Resistivity (300K) >10^6Ω·cm
dislokationsdensitet <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
SLØJFE <=+/-20um
Surface Finish Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 

15mm, 10mm, 5mmFrit ståendeGAN Substrat

Vare PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
varmeledning type N-type Semi-isolerende
Størrelse 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
Tykkelse 330-450um
Orientering C-aksen (0001) +/- 0.5o
Primær Flat Beliggenhed  
Primær Flad Længde  
Sekundær Flat Beliggenhed  
Sekundær Flad Længde  
Resistivity (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
dislokationsdensitet <5x106cm-2
Marco Defekt Density 0cm-2
TTV <= 15um
SLØJFE <= 20um
Surface Finish Front Overflade: Ra <0.2nm.Epi-klar poleret
  Tilbage Overflade: 1.Fine jorden
    2.Rough slebet
brugbar Area ≥ 90%


            

Bemærk:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Anvendelse af GaN Substrat

Solid State Lighting: GaN udstyr anvendes som ultra høj lysstyrke lysemitterende dioder (LED), fjernsyn, biler, og generel belysning

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Trådløse basestationer: RF power transistorer

Trådløs bredbåndsadgang: højfrekvente MMICs, RF-kredse MMICs

Tryksensorer: MEMS

Heat Sensorer: Pyro-elektriske detektorer

Power Conditioning: Blandet signal GAN ​​/ Si Integration

Automotive Electronics: Høj temperatur elektronik

Power Transmission Lines: Højspænding elektronik

Frame Sensorer: UV-detektorer

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) legeringer perfekt til at skabe solcellemateriale. På grund af denne fordel, er InGaN solceller dyrket på GaN substrater klar til at blive en af ​​de mest betydningsfulde nye applikationer og markedsvækst for GaN substrat vafler.

Ideel til HEMT'er, FET

GAN Schottky diode projekt: Vi accepterer brugerdefinerede spec af Schottky dioder fremstillet på HVPE dyrket, fritstående galliumnitrid (GAN) lag af N- og p-typer.
Begge kontakter (ohmske og Schottky) blev aflejret på den øverste overflade under anvendelse af Al / Ti og Pd / Ti / Au.
Vi vil tilbyde testrapporter, se nedenfor et eksempel:

Du kan også gerne ...